阵列基板及其制造方法、液晶显示面板及液晶显示装置与流程

文档序号:12062483阅读:181来源:国知局
阵列基板及其制造方法、液晶显示面板及液晶显示装置与流程

本发明涉及触摸屏技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板及液晶显示装置。



背景技术:

半透半反式液晶显示装置(Trans-flective Liquid Crystal Display)同时具有透射式和反射式特性,半透半反式液晶面板在一个像素域内包括有透明电极的透射区和有反射层的反射区。在黑暗的地方可以利用像素区域的透射区和背光源来显示画像,在明亮的地方利用像素区域的反射区和外光来显示画像。因此,半透半反式液晶显示装置可以适应不同的亮暗环境而得到广泛应用。



技术实现要素:

本发明提供一种可以适应不同的亮暗环境的半透半反式阵列基板及液晶显示面板。

本发明还提供一种阵列基板制造方法及液晶显示装置。

本申请提供的阵列基板,包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、数据线,有机绝缘层、像素电极及公共电极,所述像素电极与所述数据线对应的位置均设有开口,所述数据线具有反射作用并形成反射区,用于反射由公共电极层进入的通过开口的光线。

其中,所述开口的宽度小于所述数据线的宽度。也就是说与所述数据线在有机绝缘层上正投影与开口两侧的像素电极有部分重叠,避免发生漏光影响像素。

其中,所述像素电极所在层与所述公共电极所在层层叠设置并通过绝缘层间隔,并且所述开口在对应的公共电极上的正投影的宽度小于该公共电极的宽度,以便光的通过并防止漏光。

其中,与所述开口对应的公共电极的宽度与该开口对应的数据线的宽度相同。

其中,所述阵列基板包括与所述反射区间隔设置的透射区。

其中,所述开口与所述像素电极同一步骤形成。

其中,所述公共电极为具有缝隙的结构,与所述开口相对应的公共电极两个均有缝隙。

本申请提供一种液晶显示面板,包括彩膜基板、所述的阵列基板以及夹持于所述彩膜基板与阵列基板之间的液晶层,所述彩膜基板上与所述开口相对应的位置未设有黑矩阵。

本申请提供的阵列基板制造方法,包括,在基底的有机绝缘层上依次形成像素电极、绝缘层及公共电极,其中像素电极包括与基底上的有机绝缘层下的数据线对应的开口,并且所述开口对应的公共电极两侧为缝隙。

本申请提供一种液晶显示装置,包括所述的液晶显示面板及背光模组。

本申请所述的液晶显示面板在黑暗的地方可以利用像素区域的透射区和背光源来显示画像,在明亮的地方利用像素区域的反射区和外光来显示画像,实现半透半反射液晶显示。

附图说明

为更清楚地阐述本发明的构造特征和功效,下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。

图1是本发明液晶显示面板示意图。

图2是图1所示的阵列基板的截面示意图。

图3是本发明所述阵列基板制造方法流程图。

具体实施例

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。其中,附图仅用于示例性说明,表示的仅是示意图,不能理解为对本专利的限制。

请参阅图1,本发明提供一种阵列基板10及液晶显示面板,其中,液晶显示面板包括彩膜基板20、所述阵列基板10及位于彩膜基板20与阵列基板10之间的液晶层30。其中凸1中阵列基板10为示意图,具体结构参照图2。

如图2所示,所述阵列基板10包括基板11、栅极12、栅极绝缘层13、有源层14、源漏极15、数据线16,有机绝缘层17、像素电极18及公共电极19。所述数据线16具有反射作用并形成反射区A,用于反射由公共电极层19进入的通过像素电极18的光线。

所述基板11为玻璃板。栅极12形成于所述基板11表面。所述栅极绝缘层13覆盖所述基板11表面及栅极12。所述有源层14形成于所述栅极绝缘层13上,所述源极及漏极形成于所述有源层14上并间隔设置,源漏极15与所述有源层14构成沟道。所述数据线16与所述有源层14及源漏极15同时形成并位于同一层。所述有源层14、源漏极15、数据线16上覆盖第一绝缘层160。有机绝缘层17层叠于所述第一绝缘层160上。所述像素电极18、绝缘层180及公共电极19依次层叠于所述有机绝缘层17上。所述像素电极18通过贯穿所述第一绝缘层160及机绝缘层17的通孔连接源极或者漏极。

进一步的,所述像素电极18与所述数据线16对应的位置设有开口181,所述开口181的宽度小于所述数据线16的宽度。也就是说与所述数据线16在有机绝缘层17上正投影与开口两侧的像素电极18有部分重叠,避免发生漏光影响像素。

所述像素电极18所在层与所述公共电极19所在层层叠设置并通过绝缘层180间隔,并且所述开口181在对应的公共电极191上的正投影的宽度小于该公共电极19的宽度,以便光线通过开口181射入所述数据线16的反射面。本实施例中,所述反射区A为所述数据线16的反射面到公共电极19的部分。

进一步的,与所述开口181对应的公共电极19的宽度与该开口181对应的数据线16的宽度相同。

所述阵列基板10包括与所述反射区A间隔设置的透射区(图未标)。所述开口181与所述像素电极18同一步骤形成。

所述公共电极19为具有缝隙的结构,与每一所述开口181相对的公共电极19两边为缝隙,以便光线进入反射区。

请参阅图3,本申请还提供一种所述阵列基板制造方法,该方法包括,步骤S1,在基底11的有机绝缘层17。

步骤S2,在基底11的有机绝缘层17上依次形成像素电极18、绝缘层180及公共电极19,其中像素电极18包括与基底11上的有机绝缘层17下的数据线16对应的开口181,并且所述开口181对应的公共电极19两侧为缝隙。

具体的,所述步骤S1包括在基底11上形成形成第一金属层,图案化所述第一金属层形成所述栅极12。

在所述栅极12及所述基板11的表面上沉积栅极绝缘层13。所述栅极绝缘层13的材质选择氧化硅、氮化硅层,氮氧化硅层及其组合的其中之一。

在所述栅极绝缘层13上依次形成半导体层及第二金属层,图案化所述半导体层及第二金属层分别形成所述有源层14、源漏极15以及与所述源漏极间隔设置的具有反射功能的数据线16。所述第二金属层的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。其中所述半导体层用于形成所述源极和漏极之间导通或者断开的沟道。

其中,图案化工艺包括通过灰色调掩模板进行曝光、显影、金属湿刻、蚀刻、烧光阻和剥离的等构图成膜工艺形成如图1所示的栅线12、有源层14、源漏极15、数据线16。同样包括通过沉积基础层、使用掩模板进行曝光、显影、蚀刻形成有机绝缘层17、第一绝缘13、绝缘层180、像素电极18及公共电极19。

本申请所述的液晶显示面板的彩膜基板20上与所述开口181相对应的位置未设有黑矩阵,以便光线进入,同时节省加工工艺及彩膜基板厚度。本申请所述的液晶显示面板在黑暗的地方可以利用像素区域的透射区和背光源来显示画像,在明亮的地方利用像素区域的反射区和外光来显示画像,实现半透半反射液晶显示。

本申请还提供一种液晶显示装置,其包括所述的液晶显示面板及背光模组,所述液晶显示面板层叠于所述背光模组上,通过背光模组提供光源。

以上所述是本发明的优选实施例,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

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