1.一种阵列基板，包括：
衬底基板，包括显示区域和非显示区域；
第一金属层，位于所述显示区域和所述非显示区域；
第二金属层，位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；
第三金属层，位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧；
第一绝缘层，设置于所述第一金属层和所述第二金属层之间；
第二绝缘层，设置于所述第二金属层和所述第三金属层之间；
第一氧化物导体层，位于所述第三金属层远离所述衬底基板的一侧；
第二氧化物导体层，位于所述第一氧化物导体层远离所述衬底基板的一侧；
第三绝缘层，位于所述第一氧化物导体层和所述第三金属层之间；
其中，在所述显示区域，所述第一氧化物导体层和所述第二氧化物导体层之间设置有第四绝缘层，在所述非显示区域，所述第三金属层与所述第二金属层至少通过所述第一氧化物导体层电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层包括平坦化层，所述平坦化层具有通孔，所述通孔向所述衬底基板的垂直投影与所述第二金属层向所述衬底基板的垂直投影交叠。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层还设置有凹槽。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一氧化物导体层与所述第三金属层通过第一过孔连接，所述第一氧化物导体层与所述第二金属层通过第二过孔连接，所述第一过孔贯穿所述第三绝缘层，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，所述第二过孔向所述衬底基板的垂直投影与所述平坦化层的通孔向所述衬底基板的垂直投影交叠。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属层与所述第二金属层通过所述第一氧化物导体层、所述第二氧化物导体层电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二氧化物导体层包括第一区域和第二区域，在所述第一区域，所述第二氧化物导体层与所述第一氧化物导体层之间设置有所述第四绝缘层；在所述第二区域，所述第二氧化物导体层与所述第一氧化物导体层相互接触；所述第二区域向所述衬底基板的垂直投影与所述平坦化层的通孔向所述衬底基板的垂直投影重叠。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第四绝缘层还设置在所述非显示区域，所述第二氧化物导体层与所述第三金属层通过第三过孔连接，所述第二氧化物导体层与所述第二金属层通过所述第四过孔连接，所述第三过孔贯穿所述第五绝缘层和所述第三绝缘层，所述第四过孔贯穿所述第五绝缘层、所述第三绝缘层和所述第二绝缘层；所述第四过孔向所述衬底基板的垂直投影与所述平坦化层的通孔向所述衬底基板的垂直投影重叠。
8.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域包括多个显示薄膜晶体管、多条数据线、多条栅极线以及多条触控电极线；所述显示薄膜晶体管包括栅极、源极/漏极，所述显示薄膜晶体管的栅极和所述多条栅极线包括于所述第一金属层，所述显示薄膜晶体管的源极/漏极和所述多条数据线包括于所述第二金属层，所述多条触控电极线包括于所述第三金属层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；或者所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极复用为触控电极，所述触控电极与所述多条触控电极线在所述显示区域对应电连接。
11.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，在所述非显示区域设置有防静电电路，所述防静电电路包括防静电薄膜晶体管，所述防静电薄膜晶体管包括栅极、源极/漏极，所述防静电薄膜晶体管的栅极包括于所述第一金属层，所述防静电薄膜晶体管的源极/漏极包括于所述第二金属层。
12.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述非显示区域的控制部，所述第一金属层、所述第二金属以及所述第三金属层均与所述控制部电连接。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属层通过所述第二金属层和所述第一金属层与所述控制部电连接；其中，所述第三金属层和所述第二金属层电连接，所述第二金属层通过第五过孔与所述第一金属层电连接。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-13任一项所述的阵列基板。