显示设备的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年11月8日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2016-0148116号的优先权和权益，其内容通过引用被整体合并于此。

本公开的示例性实施例针对能显示图像质量改善的图像的显示设备。

背景技术：

液晶显示(“lcd”)设备是使用最广泛的平板显示(“fpd”)设备类型之一。lcd设备包括在其上形成有电极的两个基板和置于两个基板之间的液晶层。一旦向电极施加电压，液晶层的液晶分子就被重新排列，使得lcd设备中透射光的量被控制。

技术实现要素：

本公开的示例性实施例针对能显示图像质量改善的图像的显示设备。

根据本公开的示例性实施例，一种显示设备包括：第一栅线；被布置成彼此相邻并且与第一栅线交叉的第一数据线和第二数据线；被布置在第一数据线与第二数据线之间的第一子像素电极；被布置在第一栅线与第一子像素电极之间的第二子像素电极；连接到第一栅线、第一数据线和第一子像素电极的第一开关元件；连接到第一栅线、第一数据线和第二子像素电极的第二开关元件；连接第一子像素电极和第一开关元件的连接电极；被布置在第一数据线与第二子像素电极之间的第一虚设电极；以及从连接电极延伸并且被布置成与靠近第二数据线相比更靠近第一数据线的第二虚设电极。第一虚设电极的端部和第二虚设电极的端部彼此面对。

第一虚设电极和第一数据线的面对侧之间的距离可与第二虚设电极和第一数据线的面对侧之间的距离基本相等。

显示设备可进一步包括：从第一数据线延伸并且连接到第一开关元件和第二开关元件的延长电极。延长电极的至少一部分被布置在第一虚设电极与第二虚设电极之间。

第一虚设电极和延长电极的面对侧之间的距离可与第二虚设电极和延长电极的面对侧之间的距离不同。

第一虚设电极和延长电极的面对侧之间的距离可大于第二虚设电极和延长电极的面对侧之间的距离。

连接电极可与第一数据线或延长电极不重叠。

第一虚设电极可比第二虚设电极长。

第一虚设电极和第一数据线的面对侧之间的距离可与连接电极和第二数据线的面对侧之间的距离基本相等。

第一虚设电极和第二子像素电极的面对侧之间的距离可与连接电极和第二子像素电极的面对侧之间的距离基本相等。

连接电极的至少一部分可被布置在第二子像素电极与第二数据线之间。

显示设备可进一步包括：沿第一数据线布置并且与第一数据线重叠的第一屏蔽线；与第一屏蔽线交叉的第二屏蔽线；沿第二数据线布置并且与第二数据线重叠的第三屏蔽线，并且第三屏蔽线与第二屏蔽线交叉；以及被布置成与第二屏蔽线平行的第四屏蔽线，第四屏蔽线与第一屏蔽线和第三屏蔽线交叉。

第一子像素电极、第二子像素电极、第一开关元件和第二开关元件可被布置在由第一屏蔽线、第二屏蔽线、第三屏蔽线和第四屏蔽线围绕的区域处。

显示设备可进一步包括：将第一虚设电极和第二虚设电极彼此连接的虚设连接电极。虚设连接电极可与延长电极重叠。

第一子像素电极可具有比第二子像素电极的面积大的面积。

显示设备可进一步包括：被布置成与第一栅线相邻并且与第一数据线和第二数据线交叉的第二栅线；以及连接到第二栅线、连接电极和电荷共享电容器的第三开关元件。

将第一栅信号施加到第一栅线的时间点可与将第二栅信号施加到第二栅线的时间点不同。

根据本公开的示例性实施例，一种显示设备包括：彼此交叉的第一栅线和第一数据线；与第一栅线交叉并且被布置成与第一数据线相邻的第二数据线；被布置在第一数据线与第二数据线之间的第一子像素电极；被布置在第一栅线与第一子像素电极之间的第二子像素电极；连接到第一栅线、第一数据线和第一子像素电极的第一开关元件；连接到第一栅线、第一数据线和第二子像素电极的第二开关元件；连接第一子像素电极和第一开关元件的连接电极；被布置成与第一栅线相邻并且与第一数据线和第二数据线交叉的第二栅线；以及连接到第二栅线、连接电极和电荷共享电容器的第三开关元件。将第一栅信号施加到第一栅线的时间点可与将第二栅信号施加到第二栅线的时间点不同。

显示设备可进一步包括：被布置在第一数据线与第二子像素电极之间的第一虚设电极；以及从连接电极延伸并且被布置成与靠近第二数据线相比更靠近第一数据线的第二虚设电极。第一虚设电极的端部和第二虚设电极的端部可彼此面对。第一虚设电极和第一数据线的面对侧之间的距离可与第二虚设电极和第一数据线的面对侧之间的距离基本相等。第一虚设电极和第一数据线的面对侧之间的距离可与连接电极和第二数据线的面对侧之间的距离基本相等。第一虚设电极和第二子像素电极的面对侧之间的距离可与连接电极和第二子像素电极的面对侧之间的距离基本相等。

显示设备可进一步包括：从第一数据线延伸并且连接到第一开关元件和第二开关元件的延长电极。延长电极的至少一部分被布置在第一虚设电极与第二虚设电极之间，并且第一虚设电极和延长电极的面对侧之间的距离可与第二虚设电极和延长电极的面对侧之间的距离不同。

显示设备可进一步包括：沿第一数据线布置并且与第一数据线重叠的第一屏蔽线；与第一屏蔽线交叉的第二屏蔽线；沿第二数据线布置并且与第二数据线重叠的第三屏蔽线，并且第三屏蔽线与第二屏蔽线交叉；以及被布置成与第二屏蔽线平行的第四屏蔽线，第四屏蔽线与第一屏蔽线和第三屏蔽线交叉。第一子像素电极、第二子像素电极、第一开关元件和第二开关元件可被布置在由第一屏蔽线、第二屏蔽线、第三屏蔽线和第四屏蔽线围绕的区域处。

上述仅仅是例示性的，而不旨在以任何方式进行限制。除了上面描述的例示性的方面、实施例和特征之外，通过参考各附图和下面的详细描述，进一步的方面、实施例和特征将变得显而易见。

附图说明

图1是图示根据示例性实施例的显示设备的平面图。

图2是滤色器进一步被添加到图1的结构的平面图。

图3是遮光层进一步被添加到图2的结构的平面图。

图4、图5、图6和图7每个图示图3的主要部件。

图8是图7的第一子像素电极的放大图。

图9是沿图3的线i-i'截取的截面图。

图10是沿图3的线ii-ii'截取的截面图。

图11是沿图3的线iii-iii'截取的截面图。

图12是沿图3的线iv-iv'截取的截面图。

图13图示具有如图1中所图示的结构的两个相邻像素。

图14是图1的像素的等效电路图。

图15是根据可替代的示例性实施例的显示设备的平面图。

图16是根据另一可替代的示例性实施例的显示设备的平面图。

图17是根据又一可替代的示例性实施例的显示设备的平面图。

图18是图示示例性实施例的效果的表。

具体实施方式

从以下参考附图详细描述的示例性实施例中，本公开的实施例的特征以及用于实现它们的方法将变得清楚。然而，实施例可以具有许多不同的形式，并且不应被解释为局限于本文所阐述的示例性实施例。在整个说明书中，相同的附图标记可指代相同的元件。

在附图中，为了清楚起见并且便于说明，放大了多个层和区域的厚度。当层、区域或板被称为在另一层、另一区域或另一板“上”时，其可直接在另一层、另一区域或另一板上，或者它们之间可存在中间层、中间区域或中间板。进一步，当层、区域或板被称为在另一层、另一区域或另一板“下面”时，其可直接在另一层、另一区域或另一板下面，或者它们之间可存在中间层、中间区域或中间板。

在整个说明书中，当元件被称为“连接”到另一元件时，该元件“直接连接”到另一元件，或者“电连接”到另一元件，在其间插入有一个或多个中间元件。

考虑到讨论中的测量以及与特定量的测量关联的误差，即测量系统的限制，如本文所使用的“大约”或“近似”包括所阐述的值，并意味着在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约”可意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所阐述的值的±30％、20％、10％、5％内。

在下文中，将参考图1至图17详细描述根据示例性实施例的显示设备。

图1是图示根据示例性实施例的显示设备的平面图，图2是滤色器进一步被添加到图1的结构的平面图，并且图3是遮光层进一步被添加到图2的结构的平面图。

图4、图5、图6和图7单独图示图3的主要部件。也就是说，图4图示图3的部件中的第一栅线、第二栅线、第一栅电极、第二栅电极、第三栅电极、存储线、第一存储电极、第二存储电极、第三存储电极和第四存储电极。图5图示图3的部件中的第一数据线、第二数据线、延长电极、第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第三源电极和第三漏电极。图6图示图3的部件中的滤色器。图7图示图3的部件中的第一子像素电极、第二子像素电极、第一连接电极、第二连接电极、第一虚设电极和第二虚设电极。

图8是图7的第一子像素电极的放大图，图9是沿图3的线i-i'截取的截面图，图10是沿图3的线ii-ii'截取的截面图，图11是沿图3的线iii-iii'截取的截面图，并且图12是沿图3的线iv-iv'截取的截面图。

如图1至图12中所图示，根据实施例的显示设备包括第一基板301、第一栅线gl1、第二栅线gl2、第一栅电极ge1、第二栅电极ge2、第三栅电极ge3、存储线750、第一存储电极751、第二存储电极752、第三存储电极753、第四存储电极754、栅绝缘层311、第一半导体层321、第二半导体层322、第三半导体层323、第一欧姆接触层321a、第二欧姆接触层321b、第三欧姆接触层322a、第四欧姆接触层322b、第五欧姆接触层323a、第六欧姆接触层323b、第一数据线dl1、第二数据线dl2、延长电极999、第一源电极se1、第一漏电极de1、第二源电极se2、第二漏电极de2、第三源电极se3、第三漏电极de3、保护层320、滤色器354、第一子像素电极pe1、第二子像素电极pe2、第一连接电极551、第二连接电极552、第一虚设电极881、第二虚设电极882、第二基板302、遮光层376、公共电极330和液晶层333。

如上所述，根据示例性实施例的显示设备是包括液晶层333的液晶显示(“lcd”)设备。

根据实施例，上述部件当中，第一欧姆接触层321a、第二欧姆接触层321b、第三欧姆接触层322a、第四欧姆接触层322b、第五欧姆接触层323a和第六欧姆接触层323b可从显示设备省略。

根据实施例，显示设备包括多个像素px。像素px包括第一开关元件tft1、第二开关元件tft2、第三开关元件tft3、滤色器354、第一子像素电极pe1、第二子像素电极pe2、公共电极330和液晶层333。

根据实施例，如图1和图9中所图示，第一开关元件tft1包括第一栅电极ge1、第一半导体层321、第一源电极se1和第一漏电极de1。

根据实施例，如图1和图10中所图示，第二开关元件tft2包括第二栅电极ge2、第二半导体层322、第二源电极se2和第二漏电极de2。

根据实施例，如图1和图11中所图示，第三开关元件tft3包括第三栅电极ge3、第三半导体层323、第三源电极se3和第三漏电极de3。

根据实施例，如图1中所图示，第一栅线gl1和第二栅线gl2中的每一条在平行于x轴的方向(在下文中称为“x轴方向”)上延伸。如图9中所图示，第一栅线gl1和第二栅线gl2被布置在第一基板301上。

根据实施例，如图1和图4中所图示，第一栅线gl1连接到第一栅电极ge1和第二栅电极ge2。第一栅线gl1、第一栅电极ge1和第二栅电极ge2可全部一体形成。

根据实施例，为了连接到另一层或外部驱动电路，第一栅线gl1的端部具有比第一栅线gl1的其他部分的面积大的面积。类似地，为了连接到另一层或外部驱动电路，第二栅线gl2的端部具有比第二栅线gl2的其他部分的面积大的面积。

根据实施例，第一栅线gl1包括以下中的一种：铝(al)或其合金、银(ag)或其合金、铜(cu)或其合金、或者钼(mo)或其合金。另外，第一栅线gl1包括以下中的一种：铬(cr)、钽(ta)或钛(ti)。在示例性实施例中，第一栅线gl1具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理属性的至少两个导电层。

根据实施例，第二栅线gl2包括与第一栅线gl1基本相同的材料，并且具有与第一栅线gl1基本相同的结构，即多层结构。第二栅线gl2和第一栅线gl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图1和图4中所图示，第一栅电极ge1具有从第一栅线gl1突出的形状。例如，第一栅电极ge1在平行于y轴的方向(在下文中称为“y轴方向”)上从第一栅线gl1突出。第一栅电极ge1是第一栅线gl1的一部分。第一栅电极ge1包括与第一栅线gl1基本相同的材料，并且具有与第一栅线gl1基本相同的结构，即多层结构。第一栅电极ge1和第一栅线gl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图1和图4中所图示，第二栅电极ge2具有从第一栅电极ge1突出的形状。例如，第二栅电极ge2在y轴方向上从第一栅电极ge1突出。第二栅电极ge2可以是第一栅电极ge1的一部分或第一栅线gl1的一部分。第二栅电极ge2包括与第一栅线gl1基本相同的材料，并且具有与第一栅线gl1基本相同的结构，即多层结构。第二栅电极ge2和第一栅线gl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图1和图4中所图示，第三栅电极ge3具有从第二栅线gl2突出的形状。例如，第三栅电极ge3在y轴方向上从第二栅线gl2突出。第三栅电极ge3是第二栅线gl2的一部分。第三栅电极ge3包括与第一栅线gl1基本相同的材料，并且具有与第一栅线gl1基本相同的结构，即多层结构。第三栅电极ge3和第一栅线gl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，在图1和图4中，让第一栅线gl1的面对第二栅线gl2的表面被限定为第一相邻表面，并且让第二栅线gl2的面对第一相邻表面的表面被限定为第二相邻表面，上述第一栅电极ge1和第二栅电极ge2从第一栅线gl1的与第一相邻表面相对的表面突出，并且第三栅电极ge3从第二栅线gl2的与第二相邻表面相对的表面突出。

根据实施例，如图1和图4中所图示，存储线750在x轴方向上延伸。存储线750从电源接收存储电压。存储电压与公共电极330的公共电压基本相同。

根据实施例，为了连接到另一层或外部驱动电路，存储线750的端部具有比存储线750的其他部分的面积大的面积。

根据实施例，第一存储电极751、第二存储电极752和第三存储电极753从存储线750突出。存储线750、第一存储电极751、第二存储电极752和第三存储电极753可全部一体形成。存储线750、第一存储电极751、第二存储电极752和第三存储电极753包括与第一栅线gl1基本相同的材料，并且具有与第一栅线gl1基本相同的结构，即多层结构。存储线750、第一存储电极751、第二存储电极752、第三存储电极753和第一栅线gl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图1和图4中所图示，第一存储电极751在y轴方向上从存储线750突出。第一存储电极751具有至少一个孔。例如，如图4中所图示，第一存储电极751具有第一孔41和第二孔42。第一孔41和第二孔42可具有不同的尺寸。例如，第一孔41大于第二孔42。

根据实施例，第一存储电极751的第一孔41围绕第一子像素电极pe1的一部分，并且第一存储电极751的第二孔42围绕第二子像素电极pe2的一部分。例如，第一子像素电极pe1的除了第一子像素电极pe1的一个边缘之外的一部分被第一孔41围绕，并且第二子像素电极pe2的除了第二子像素电极pe2的一个边缘之外的一部分被第二孔42围绕。

根据实施例，第二存储电极752在y轴方向上从第一存储电极751突出。包含在第一像素中的第二存储电极752的至少一部分被布置在与第一像素px相邻的第二像素处。第二像素被布置在第一像素的第一存储电极751的突出方向上，诸如图1中像素px的向上方向，并且第二像素和第一像素共同连接到同一条数据线，诸如第一数据线dl1。

根据实施例，第三存储电极753在y轴方向上从存储线750突出。第三存储电极753在与第一存储电极751相反的方向上突出。也就是说，第三存储电极753朝向第一栅线gl1突出。

根据实施例，如图1中所图示，第四存储电极754被布置成与靠近第一栅线gl1相比更靠近第三栅电极ge3和第二栅线gl2。第一像素的第四存储电极754是与第一像素相邻的第三像素的第二存储电极的一部分。第三像素被布置在第一像素的第三存储电极753的突出方向上，诸如图1中像素px的向下方向，并且第三像素和第一像素共同连接到同一条数据线，诸如第一数据线dl1。

根据实施例，第一存储电极751、第二存储电极752、第三存储电极753和第四存储电极754中的每一个包括与第一栅线gl1基本相同的材料，并且具有与第一栅线gl1基本相同的结构，即多层结构。第一存储电极751、第二存储电极752、第三存储电极753以及第四存储电极754和第一栅线gl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图4和图9至图12中所图示，栅绝缘层311被布置在第一栅线gl1、第二栅线gl2、第一栅电极ge1、第二栅电极ge2、第三栅电极ge3、存储线750、第一存储电极751、第二存储电极752、第三存储电极753和第四存储电极754上。栅绝缘层311被布置在包括第一栅线gl1、第二栅线gl2、第一栅电极ge1、第二栅电极ge2、第三栅电极ge3、存储线750、第一存储电极751、第二存储电极752、第三存储电极753和第四存储电极754的第一基板301的整个表面之上。栅绝缘层311包括氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)等。栅绝缘层311具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理属性的至少两个绝缘层。

根据实施例，如图1和图9中所图示，第一半导体层321与第一栅电极ge1、第一源电极se1和第一漏电极de1重叠。另外，如图9中所图示，第一半导体层321被布置在栅绝缘层311上。第一半导体层321包括非晶硅、多晶硅等。

根据实施例，如图1和图10中所图示，第二半导体层322与第二栅电极ge2、第二源电极se2和第二漏电极de2重叠。另外，如图10中所图示，第二半导体层322被布置在栅绝缘层311上。第二半导体层322包括与第一半导体层321基本相同的材料。第二半导体层322和第一半导体层321以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图1和图11中所图示，第三半导体层323与第三栅电极ge3、第三源电极se3和第三漏电极de3重叠。另外，如图11中所图示，第三半导体层323被布置在栅绝缘层311上。第三半导体层323包括与第一半导体层321基本相同的材料。第三半导体层323和第一半导体层321以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图1和图5中所图示，第一数据线dl1和第二数据线dl2中的每一条在y轴方向上延伸。第二数据线dl2与第一数据线dl1平行。如图1中所图示，第一数据线dl1和第二数据线dl2与上述第一栅线gl1、第二栅线gl2和存储线750交叉。

根据实施例，第一数据线dl1的在第一数据线dl1与第一栅线gl1的交叉处的部分比第一数据线dl1的其他部分宽。另外，第一数据线dl1的在第一数据线dl1与第二栅线gl2的交叉处的部分比第一数据线dl1的其他部分宽。另外，第一数据线dl1的在第一数据线dl1与存储线750的交叉处的部分比第一数据线dl1的其他部分宽。

类似地，根据实施例，第二数据线dl2的在第二数据线dl2与第一栅线gl1的交叉处的部分比第二数据线dl2的其他部分宽。另外，第二数据线dl2的在第二数据线dl2与第二栅线gl2的交叉处的部分比第二数据线dl2的其他部分宽。另外，第二数据线dl2的在第二数据线dl2与存储线750的交叉处的部分比第二数据线dl2的其他部分宽。

根据实施例，为了连接到另一层或外部驱动电路，第一数据线dl1的端部具有比第一数据线dl1的其他部分的面积大的面积。类似地，为了连接到另一层或外部驱动电路，第二数据线dl2的端部具有比第二数据线dl2的其他部分的面积大的面积。

因此，根据实施例，在数据线dl1和dl2与栅线gl1和gl2之间的寄生电容，以及在数据线dl1和dl2与存储线750之间的寄生电容可被降低。

根据实施例，如图12中所图示，第一数据线dl1和第二数据线dl2中的每一条被布置在栅绝缘层311上。

根据实施例，第一数据线dl1包括耐火金属，诸如钼、铬、钽和钛，或它们的合金。第一数据线dl1具有多层结构，该多层结构包括耐火金属层和低电阻导电层。多层结构的示例包括：包括铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层的双层结构；或包括钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层的三层结构。在示例性实施例中，第一数据线dl1包括任何其他合适的金属或导体，而不是上述材料。

根据实施例，第二数据线dl2包括与第一数据线dl1基本相同的材料，并且具有与第一数据线dl1基本相同的结构，即多层结构。第二数据线dl2和第一数据线dl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图1中所图示，延长电极999在x轴方向上从第一数据线dl1突出。延长电极999的至少一部分与第一栅电极ge1和第二栅电极ge2重叠。延长电极999可与第一数据线dl1一体形成。延长电极999是第一数据线dl1的一部分。

根据实施例，延长电极999的至少一部分被布置在第一虚设电极881与第二虚设电极882之间。

根据实施例，如图1和图9中所图示，第一源电极se1与第一栅电极ge1和第一半导体层321重叠。另外，如图9中所图示，第一源电极se1被布置在栅绝缘层311和第一半导体层321上。

根据实施例，第一源电极se1从延长电极999朝向第一漏电极de1突出。第一源电极se1可与延长电极999一体形成。第一源电极se1是延长电极999的一部分。

根据实施例，第一源电极se1具有u型形状。第一源电极se1包括与第一数据线dl1基本相同的材料，并且具有与第一数据线dl1基本相同的结构，即多层结构。第一源电极se1和第一数据线dl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图1和图9中所图示，第一漏电极de1被布置在栅绝缘层311和第一半导体层321上，与第一源电极se1隔开预定的距离。第一漏电极de1与第一半导体层321和第一栅电极ge1重叠。第一开关元件tft1的沟道区被放置于第一半导体层321的在第一漏电极de1与第一源电极se1之间的一部分处。

根据实施例，第一漏电极de1具有i型形状。第一漏电极de1包括与第一数据线dl1基本相同的材料，并且具有与第一数据线dl1基本相同的结构，即多层结构。第一漏电极de1和第一数据线dl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图1和图10中所图示，第二源电极se2与第二栅电极ge2和第二半导体层322重叠。另外，如图10中所图示，第二源电极se2被布置在栅绝缘层311和第二半导体层322上。

根据实施例，第二源电极se2从延长电极999朝向第二漏电极de2突出。第二源电极se2可与延长电极999和第一源电极se1一体形成。第二源电极se2是延长电极999的一部分。

根据实施例，第二源电极se2具有u型形状。第二源电极se2的形状相对于第一源电极se1的形状被反转180度。第二源电极se2包括与第一数据线dl1基本相同的材料，并且具有与第一数据线dl1基本相同的结构，即多层结构。第二源电极se2和第一数据线dl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图1和图10中所图示，第二漏电极de2被布置在栅绝缘层311和第二半导体层322上，与第二源电极se2隔开预定的距离。第二漏电极de2与第二半导体层322和第二栅电极ge2重叠。第二开关元件tft2的沟道区被放置于第二半导体层322的在第二漏电极de2与第二源电极se2之间的一部分处。

根据实施例，第二漏电极de2具有i型形状。第二漏电极de2包括与第一数据线dl1基本相同的材料，并且具有与第一数据线dl1基本相同的结构，即多层结构。第二漏电极de2和第一数据线dl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图1和图11中所图示，第三源电极se3与第三栅电极ge3和第三半导体层323重叠。另外，如图11中所图示，第三源电极se3被布置在栅绝缘层311和第三半导体层323上。

根据实施例，第三源电极se3从第一漏电极de1朝向第三栅电极ge3突出。第三源电极se3可与第一漏电极de1一体形成。

根据实施例，第三源电极se3具有i型形状。第三源电极se3包括与第一数据线dl1基本相同的材料，并且具有与第一数据线dl1基本相同的结构，即多层结构。第三源电极se3和第一数据线dl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，如图1和图11中所图示，第三漏电极de3被布置在栅绝缘层311和第三半导体层323上，与第三源电极se3隔开预定的距离。第三漏电极de3与第三半导体层323和第三栅电极ge3重叠。第三开关元件tft3的沟道区被放置于第三半导体层323的在第三漏电极de3与第三源电极se3之间的一部分处。

根据实施例，第三漏电极de3具有i型形状。第三漏电极de3的一部分被布置在另一像素处。例如，第一像素的第三漏电极de3与第三像素的第一存储电极和第二存储电极重叠。第三漏电极de3包括与第一数据线dl1基本相同的材料，并且具有与第一数据线dl1基本相同的结构，即多层结构。第三漏电极de3和第一数据线dl1以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，第一欧姆接触层321a被布置在第一半导体层321与第一源电极se1之间。第一欧姆接触层321a降低第一半导体层321与第一源电极se1之间的界面电阻。

根据实施例，第一欧姆接触层321a包括硅化物或以高浓度被掺杂有n型杂质离子(例如，磷(p)或磷化氢(ph3))的n+氢化非晶硅。

根据实施例，第二欧姆接触层321b在第一半导体层321与第一漏电极de1之间。第二欧姆接触层321b降低第一半导体层321与第一漏电极de1之间的界面电阻。第二欧姆接触层321b包括与第一欧姆接触层321a基本相同的材料，并且具有与第一欧姆接触层321a基本相同的结构，即多层结构。第二欧姆接触层321b和第一欧姆接触层321a以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，第三欧姆接触层322a被布置在第二半导体层322与第二源电极se2之间。第三欧姆接触层322a降低第二半导体层322与第二源电极se2之间的界面电阻。第三欧姆接触层322a包括与第一欧姆接触层321a基本相同的材料，并且具有与第一欧姆接触层321a基本相同的结构，即多层结构。第三欧姆接触层322a和第一欧姆接触层321a以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，第四欧姆接触层322b被布置在第二半导体层322与第二漏电极de2之间。第四欧姆接触层322b降低第二半导体层322与第二漏电极de2之间的界面电阻。第四欧姆接触层322b包括与第一欧姆接触层321a基本相同的材料，并且具有与第一欧姆接触层321a基本相同的结构，即多层结构。第四欧姆接触层322b和第一欧姆接触层321a以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，第五欧姆接触层323a被布置在第三半导体层323与第三源电极se3之间。第五欧姆接触层323a降低第三半导体层323与第三源电极se3之间的界面电阻。第五欧姆接触层323a包括与第一欧姆接触层321a基本相同的材料，并且具有与第一欧姆接触层321a基本相同的结构，即多层结构。第五欧姆接触层323a和第一欧姆接触层321a以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，第六欧姆接触层323b被布置在第三半导体层323与第三漏电极de3之间。第六欧姆接触层323b降低第三半导体层323与第三漏电极de3之间的界面电阻。第六欧姆接触层323b包括与第一欧姆接触层321a基本相同的材料，并且具有与第一欧姆接触层321a基本相同的结构，即多层结构。第六欧姆接触层323b和第一欧姆接触层321a以基本相同的工艺同时被形成。

根据实施例，第一附加半导体层进一步被布置在栅绝缘层311与第一源电极se1之间。另外，第二附加半导体层进一步被布置在栅绝缘层311与第一漏电极de1之间。另外，第三附加半导体层进一步被布置在栅绝缘层311与第二源电极se2之间。另外，第四附加半导体层进一步被布置在栅绝缘层311与第二漏电极de2之间。另外，第五附加半导体层进一步被布置在栅绝缘层311与第三源电极se3之间。另外，第六附加半导体层进一步被布置在栅绝缘层311与第三漏电极de3之间。另外，第七附加半导体层进一步被布置在栅绝缘层311与第一数据线dl1之间。另外，第八附加半导体层进一步被布置在栅绝缘层311与第二数据线dl2之间。另外，第九附加半导体层进一步被布置在栅绝缘层311与延长电极999之间。

另外，根据实施例，欧姆接触层进一步被布置在第一附加半导体层与第一源电极se1之间，欧姆接触层进一步被布置在第二附加半导体层与第一漏电极de1之间，欧姆接触层进一步被布置在第三附加半导体层与第二源电极se2之间，欧姆接触层进一步被布置在第四附加半导体层与第二漏电极de2之间，欧姆接触层进一步被布置在第五附加半导体层与第三源电极se3之间，欧姆接触层进一步被布置在第六附加半导体层与第三漏电极de3之间，欧姆接触层可进一步被布置在第七附加半导体层与第一数据线dl1之间，欧姆接触层进一步被布置在第八附加半导体层与第二数据线dl2之间，并且欧姆接触层进一步被布置在第九附加半导体层与延长电极999之间。

根据实施例，如图9、图10、图11和图12中所图示，保护层320被布置在栅绝缘层311、第一数据线dl1、第二数据线dl2、延长电极999、第一源电极se1、第二源电极se2、第三源电极se3、第一漏电极de1、第二漏电极de2和第三漏电极de3上。保护层320被布置在包括栅绝缘层311、第一数据线dl1、第二数据线dl2、延长电极999、第一源电极se1、第二源电极se2、第三源电极se3、第一漏电极de1、第二漏电极de2和第三漏电极de3的第一基板301的整个表面之上。

根据实施例，保护层320具有穿过保护层320的第一漏接触孔11和第二漏接触孔12。保护层320的第一漏接触孔11与第一漏电极de1对应，并且保护层320的第二漏接触孔12与第二漏电极de2对应。

根据实施例，保护层320包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)，并且使用具有大约4.0的介电常数的光敏无机绝缘材料。保护层320具有包括下无机层和上有机层的双层结构。保护层320具有大于或等于大约的厚度，例如，在大约到大约的范围内。

根据实施例，如图2中所图示，滤色器354被布置在由彼此交叉的第一屏蔽线961和第二屏蔽线962围绕的区域中。滤色器354的边缘被布置在第一屏蔽线961和第二屏蔽线962上。另外，如图9、图10、图11和图12中所图示，滤色器354被布置在保护层320上。

根据实施例，如图6、图9和图10中所图示，滤色器354具有第一漏接触孔31和第二漏接触孔32。滤色器354的第一漏接触孔31与保护层320的第一漏接触孔11对应，并且滤色器354的第二漏接触孔32与保护层320的第二漏接触孔12对应。

根据实施例，第一漏电极de1的一部分和第三源电极se3的一部分通过滤色器354的第一漏接触孔31和保护层320的第一漏接触孔11被暴露，并且第二漏电极de2的一部分通过滤色器354的第二漏接触孔32和保护层320的第二漏接触孔12被暴露。

根据实施例，滤色器354的第一漏接触孔31大于保护层320的第一漏接触孔11。例如，第一漏接触孔31的直径大于第一漏接触孔11的直径。如图2中所图示，滤色器354的第一漏接触孔31围绕保护层320的第一漏接触孔11。

根据实施例，滤色器354的第二漏接触孔32大于保护层320的第二漏接触孔12。例如，第二漏接触孔32的直径大于第二漏接触孔12的直径。如图2中所图示，滤色器354的第二漏接触孔32围绕保护层320的第二漏接触孔12。

根据实施例，如图7中所图示，第一子像素电极pe1被布置在第一子像素区域p1中。第一子像素区域p1包括由上述第一存储电极751的第一孔41限定的区域。例如，除了由第一孔41限定的区域之外，第一子像素区域p1进一步包括图1的第一存储电极751和第一子像素电极pe1的重叠区域。

根据实施例，如图1中所图示，第一子像素电极pe1的至少一部分被布置在上述第一存储电极751的第一孔41处。例如，第一子像素电极pe1的除了第一子像素电极pe1的一个边缘之外的部分被布置在第一孔41处。第一子像素电极pe1的一个边缘与第一存储电极751重叠。另外，如图12中所图示，第一子像素电极pe1被布置在滤色器354上。

根据实施例，第一子像素电极pe1通过第一连接电极551连接到第一开关元件tft1和第三开关元件tft3。换句话说，第一连接电极551将第一子像素电极pe1与第一开关元件tft1的第一漏电极de1电连接。另外，第一连接电极551将第一子像素电极pe1与第三开关元件tft3的第三源电极se3电连接。

根据实施例，第一子像素电极pe1包括透明导电材料，诸如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。ito可以是多晶材料或单晶材料，并且izo也可以是多晶材料或单晶材料。可替代地，izo可以是非晶材料。

根据实施例，如图8中所图示，第一子像素电极pe1包括主干电极613以及多个分支电极601a、601b、601c和601d。主干电极613以及分支电极601a、601b、601c和601d可以一体形成。

根据实施例，主干电极613将第一子像素区域p1划分成多个畴。例如，主干电极613包括彼此交叉的水平部分611和垂直部分612。水平部分611将第一子像素区域p1划分成两个畴，并且垂直部分612将划分的两个畴中的每一个畴划分成另两个更小的畴。像素区域p被主干电极613的水平部分611和垂直部分612划分成四个畴a、b、c和d。

根据实施例，分支电极包括在不同方向上从主干电极613分别延伸的第一分支电极601a、第二分支电极601b、第三分支点击601c和第四分支电极601d。也就是说，第一分支电极601a、第二分支电极601b、第三分支点击601c和第四分支电极601d从主干电极613延伸到相应的畴a、b、c和d中。例如，第一分支电极601a被布置在第一畴a中，第二分支电极601b被布置在第二畴b中，第三分支电极601c被布置在第三畴c中，并且第四分支电极601d被布置在第四畴d中。

根据实施例，第一分支电极601a和第二分支电极601b相对于垂直部分612对称，并且第三分支电极601c和第四分支电极601d相对于垂直部分612对称。另外，第一分支电极601a和第四分支电极601d相对于水平部分611对称，并且第二分支电极601b和第三分支电极601c相对于水平部分611对称。

根据实施例，多个第一分支电极601a被提供在第一畴a处。多个第一分支电极601a彼此平行。第一分支电极601a中的一些从水平部分611的一侧对角地延伸到第一畴a中。另外，第一分支电极601a中的一些从垂直部分612的一侧对角地延伸到第一畴a中。

根据实施例，多个第二分支电极601b被提供在第二畴b处。多个第二分支电极601b彼此平行。第二分支电极601b中的一些从水平部分611的一侧对角地延伸到第二畴b中。另外，第二分支电极601b中的一些从垂直部分612的一侧对角地延伸到第二畴b中。

根据实施例，多个第三分支电极601c被提供在第三畴c处。多个第三分支电极601c彼此平行。第三分支电极601c中的一些从水平部分611的一侧对角地延伸到第三畴c中。另外，第三分支电极601c中的一些从垂直部分612的一侧对角地延伸到第三畴c中。

根据实施例，多个第四分支电极601d被提供在第四畴d处。多个第四分支电极601d彼此平行。第四分支电极601d中的一些从水平部分611的一侧对角地延伸到第四畴d中。另外，第四分支电极601d中的一些从垂直部分612的一侧对角地延伸到第四畴d中。

在示例性实施例中，上述主干电极613进一步包括第一连接部分614a和第二连接部分614b。第一连接部分614a连接到水平部分611的一个端部，并且第二连接部分614b连接到水平部分611的另一端部。第一连接部分614a和第二连接部分614b与垂直部分612平行。第一连接部分614a和第二连接部分614b可与主干电极613一体形成。

根据实施例，布置在第一畴a中的至少两个第一分支电极601a的端部和布置在第四畴d中的至少两个第四分支电极601d的端部通过第二连接部分614b彼此连接。类似地，布置在第二畴b中的至少两个第二分支电极601b的端部和布置在第三畴c中的至少两个第三分支电极601c的端部通过第一连接部分614a彼此连接。

另外，根据实施例，布置在第一畴a中的至少两个第一分支电极601a的端部和布置在第二畴b中的至少两个第二分支电极601b的端部通过不同的连接部分彼此连接。另外，布置在第三畴c中的至少两个第三分支电极601c的端部和布置在第四畴d中的至少两个第四分支电极601d的端部通过另一不同的连接部分彼此连接。

根据实施例，如图7中所图示，第二子像素电极pe2被布置在第二子像素区域p2中。第二子像素区域p2包括由上述第一存储电极751的第二孔42限定的区域。例如，除了由第二孔42限定的区域之外，第二子像素区域p2进一步包括图1的第一存储电极751和第二子像素电极pe2的重叠区域。

根据实施例，如图1中所图示，第二子像素电极pe2被布置在第一子像素电极pe1与第一栅线gl1之间。如图1中所图示，第二子像素电极pe2的至少一部分被布置在由上述第一存储电极751限定的第二孔42中。例如，第二子像素电极pe2的除了第二子像素电极pe2的一个边缘之外的部分被布置在第二孔42中。第二子像素电极pe2的一个边缘与第一存储电极751重叠。另外，如图12中所图示，第二子像素电极pe2被布置在滤色器354上。

根据实施例，第二子像素电极pe2通过第二连接电极552连接到第二开关元件tft2。换句话说，第二连接电极552将第二子像素电极pe2与第二开关元件tft2的第二漏电极de2电连接。

根据实施例，第二子像素电极pe2包括与包含在上述第一子像素电极pe1中的材料基本相同的材料。也就是说，第二子像素电极pe2和第一子像素电极pe1可以以基本相同的工艺同时被制造。

根据实施例，第二子像素电极pe2具有与上述第一子像素电极pe1的结构基本相同的结构。例如，第二子像素电极pe2包括主干电极和分支电极，主干电极将第二子像素区域p2划分成多个畴，分支电极从主干电极延伸到每个畴中。另外，第二子像素电极pe2进一步包括第一连接部分和第二连接部分。

根据实施例，第二子像素电极pe2的主干电极、分支电极、第一连接部分和第二连接部分与上述第一子像素电极pe1的主干电极、分支电极、第一连接部分和第二连接部分基本相同，将参考图5及相关描述进行描述。

根据实施例，第一子像素电极pe1的面积基本等于或大于第二子像素电极pe2的面积。第一子像素电极pe1的面积可以是例如第二子像素电极pe2的面积的一倍至两倍。

根据实施例，如图1、图7和图8中所图示，第一连接电极551从第一子像素电极pe1延伸，并且连接到第一漏电极de1和第三源电极se3。例如，第一连接电极551从第一子像素电极pe1的第四分支电极601d延伸。第一连接电极551通过滤色器354的第一漏接触孔31和保护层320的第一漏接触孔11连接到第一漏电极de1和第三源电极se3。

根据实施例，如图10中所图示，第一连接电极551被布置在滤色器354上。

根据实施例，如图1中所图示，第一连接电极551与第一存储电极751、存储线750、第四存储电极754、第一栅线gl1和第二栅线gl2重叠。

根据实施例，如图1和图7中所图示，第一连接电极551的至少一部分被布置在第二子像素电极pe2与第二数据线dl2之间。第一连接电极551的在第二子像素电极pe2与第二数据线dl2之间的部分与第二数据线dl2平行。

根据实施例，第一连接电极551与第一数据线dl1或延长电极999不重叠。另外，第一连接电极551与连接到延长电极999的第一源电极se1和第二源电极se2不重叠。

根据实施例，如图7中所图示，第一连接电极551包括第一连接部分551a和第二连接部分551b。

根据实施例，第一连接部分551a与第二数据线dl2平行地从第一子像素电极pe1延伸。第一连接部分551a的至少一部分被布置在第二子像素电极pe2与第二数据线dl2之间。第一连接部分551a的在第二子像素电极pe2与第二数据线dl2之间的部分与第一存储电极751和存储线750重叠。

根据实施例，第二连接部分551b从第一连接部分551a对角地延伸，以连接到第一漏电极de1。第二连接部分551b与第一栅线gl1、第二栅线gl2和第四存储电极754重叠。

根据实施例，如图1中所图示，第二连接部分551b与第一栅线gl1之间的角θ1是钝角。

根据实施例，如图1中所图示，第二连接部分551b与第一连接部分551a之间的角θ2是钝角。

根据实施例，如图1、图7和图8中所图示，第一虚设电极881从第一子像素电极pe1延伸。例如，第一虚设电极881从第一子像素电极pe1的第三分支电极601c延伸。

根据实施例，如图1中所图示，第一虚设电极881的至少一部分被布置在第二子像素电极pe2与第一数据线dl1之间。第一虚设电极881与第一数据线dl1平行。另外，第一虚设电极881与第一连接电极551的第一连接部分551a平行。

根据实施例，如图1中所图示，第一数据线dl1与第一虚设电极881之间的距离d1和第二数据线dl2与第一连接电极551的第一连接部分551a之间的距离d2基本相等。在图1中，距离d1是指第一数据线dl1和第一虚设电极881的面对侧之间的距离，并且距离d2是指第二数据线dl2和第一连接电极551的第一连接部分551a的面对侧之间的距离。

另外，根据实施例，如图1中所图示，第一虚设电极881与第二子像素电极pe2之间的距离d11和第一连接电极551的第一连接部分551a与第二子像素电极pe2之间的距离d22基本相等。在图1中，距离d11是指第一虚设电极881和第二子像素电极pe2的面对侧之间的距离，并且距离d22是指第一连接电极551的第一连接部分551a和第二子像素电极pe2的面对侧之间的距离。

根据实施例，如图7中所图示，第二子像素电极pe2被布置在第一虚设电极881与第一连接电极551之间。

根据实施例，如图1和图7中所图示，第二虚设电极882从第一连接电极551延伸。例如，第一连接电极551与第一漏电极de1之间的连接部分被布置在第一漏接触孔11和31处，并且第二虚设电极882从第一连接电极551的连接部分朝向第一虚设电极881延伸。

根据实施例，如图1中所图示，第二虚设电极882与第一栅线gl1和第二栅线gl2重叠。

根据实施例，如图7中所图示，第二虚设电极882包括第一虚设部分882a和第二虚设部分882b。

根据实施例，第一虚设部分882a从第一连接电极551的连接部分对角地延伸。第一虚设部分882a被布置成与靠近第二数据线dl2相比更靠近第一数据线dl1。

根据实施例，第二虚设部分882b从第一虚设部分882a朝向第一虚设电极881延伸。第二虚设部分882b与第一栅线gl1和第二栅线gl2重叠。第二虚设部分882b被布置成与靠近第二数据线dl2相比更靠近第一数据线dl1。第二虚设部分882b与第一数据线dl1和第二数据线dl2平行。

根据实施例，如图1中所图示，第一数据线dl1与第二虚设电极882的第二虚设部分882b之间的距离d3和第一数据线dl1与第一虚设电极881之间的距离d1基本相等。另外，第一数据线dl1与第二虚设电极882的第二虚设部分882b之间的距离d3和第二数据线dl2与第一连接电极551的第一连接部分551a之间的距离d2基本相等。在图1中，距离d3是指第一数据线dl1和第二虚设电极882的第二虚设部分882b的面对侧之间的距离。

根据实施例，如图1中所图示，第一虚设电极881的端部和第二虚设电极882的端部彼此面对，它们之间具有延长电极999。

根据实施例，第一虚设电极881和延长电极999的面对侧之间的距离与第二虚设电极882和延长电极999的面对侧之间的距离不同。例如，第一虚设电极881和延长电极999的面对侧之间的距离大于第二虚设电极882和延长电极999的面对侧之间的距离。

根据实施例，如图1中所图示，第二虚设部分882b与第一栅线gl1之间的角θ3是大约90度。

根据实施例，如图1中所图示，第一虚设部分882a与第二虚设部分882b之间的角θ4是钝角。

根据实施例，如图1和图7中所图示，第二连接电极552从第二子像素电极pe2延伸，以连接到第二漏电极de2。例如，第二连接电极552从第二子像素电极pe2的第三分支电极延伸。第二连接电极552通过滤色器354的第二漏接触孔32和保护层320的第二漏接触孔12连接到第二漏电极de2。

根据实施例，如图10中所图示，第二连接电极552被布置在滤色器354上。

根据实施例，如图1中所图示，第二连接电极552与第一存储电极751、存储线750和第三存储电极753重叠。

根据实施例，如图1和图7中所图示，第二连接电极552的至少一部分被布置在第一虚设电极881与第一连接电极551之间。

根据实施例，第一连接电极551、第一虚设电极881和第二虚设电极882中的每一个包括与上述第一子像素电极pe1基本相同的材料。也就是说，第一连接电极551、第一虚设电极881、第二虚设电极882和第一子像素电极pe1可以以基本相同的工艺同时被制造。

根据实施例，第一子像素电极pe1、第一连接电极551、第一虚设电极881和第二虚设电极882一体形成。

根据实施例，第二子像素电极pe2和第二连接电极552一体形成。

因此，根据实施例，第一虚设电极881被布置在第二子像素电极pe2与第一数据线dl1之间，并且第一连接电极551被布置在第二子像素电极pe2与第二数据线dl2之间。也就是说，第一虚设电极881被布置成与第一数据线dl1相邻，并且第一连接电极551被布置成与第二数据线dl2相邻。第一虚设电极881和第一连接电极551连接到第一子像素电极pe1。第一虚设电极881和第一连接电极551被布置成在第一子像素电极pe1的相对侧上与第一数据线dl1和第二数据线dl2相邻，并且因此，第一数据线dl1与第一虚设电极881之间的寄生电容和第二数据线dl2与第一连接电极551之间的寄生电容之间的偏差可基本被最小化。换句话说，第一子像素电极pe1与第一数据线dl1之间的寄生电容和第一子像素电极pe1与第二数据线dl2之间的寄生电容之间的偏差可基本被最小化。由于第一连接电极551与延长电极999不重叠，因此可基本防止可能由第一连接电极551和延长电极999的重叠引起的上述偏差的增加。

另外，根据实施例，当第二虚设电极882进一步被布置成与第一数据线dl1相邻时，与第一数据线dl1相邻的虚设电极的总长度(即，第一虚设电极881的长度加上第二虚设电极882的长度)和与第二数据线dl2相邻的第一连接电极551的长度之间的偏差可进一步被降低。在这样的示例性实施例中，第一子像素电极pe1与第一数据线dl1之间的寄生电容和第一子像素电极pe1与第二数据线dl2之间的寄生电容之间的偏差可进一步被降低。

根据实施例，第一屏蔽线961和第二屏蔽线962限定相邻像素之间的边界。像素被放置在由第一屏蔽线961和第二屏蔽线962限定的区域中，该区域被称为像素区域。

根据实施例，如图1中所图示，第一屏蔽线961沿数据线被布置。例如，第一屏蔽线961沿第一数据线dl1被布置并且与第一数据线dl1重叠。第一屏蔽线961可与整个第一数据线dl1重叠。另外，如图9和图12中所图示，第一屏蔽线961被布置在滤色器354上。

根据实施例，第一屏蔽线961比第一数据线dl1宽。

根据实施例，第一屏蔽线961与第一数据线dl1平行地延伸。例如，第一屏蔽线961在y轴方向上延伸。

根据实施例，第一屏蔽线961接收与公共电极330的电压相同的电压。例如，第一屏蔽线961从电源接收公共电压。

根据实施例，第一屏蔽线961也可被布置在第二数据线dl2上。第二数据线dl2上的第一屏蔽线961具有与上述第一数据线dl1上的第一屏蔽线961的结构基本相同的结构。

根据实施例，第一屏蔽线961基本防止数据线(即，第一数据线dl1或第二数据线dl2)与子像素电极(即，第一子像素电极pe1或第二子像素电极pe2)之间电场的形成。另外，由于第一屏蔽线961和公共电极330接收相同的电压，即公共电压，因此第一屏蔽线961和公共电极330是等电位的。因此，穿过第一屏蔽线961与公共电极330之间的液晶层333的光被阻挡。因此，基本防止在数据线处的漏光。另外，由于第一屏蔽线961替代数据线上的遮光层376的一部分，因此当使用这样的第一屏蔽线961时，数据线上的遮光层376的该部分可被去除。因此，当使用第一屏蔽线961时，可进一步增加像素px的开口率。

根据实施例，如图1中所图示，第二屏蔽线962与第一屏蔽线961交叉。第二屏蔽线962在与第一栅线gl1平行的方向上延伸。例如，第二屏蔽线962在x轴方向上延伸。

根据实施例，第二屏蔽线962被布置在相邻像素之间的边界处。

根据实施例，如图1中所图示，第二屏蔽线962与第一存储电极751和第二存储电极752重叠。

根据实施例，第二屏蔽线962连接到第一屏蔽线961。第二屏蔽线962和第一屏蔽线961可一体形成。

根据实施例，由于第二屏蔽线962和公共电极接收相同的电压，即公共电压，因此第二屏蔽线962和公共电极330是等电位的。因此，穿过第二屏蔽线962与公共电极330之间的液晶层333的光被阻挡。因此，在相邻像素之间的边界区域处，可基本防止漏光。另外，由于第二屏蔽线962替代边界区域上的遮光层376的一部分，因此当使用这样的第二屏蔽线962时，边界区域上的遮光层376的该部分可被去除。因此，当使用第二屏蔽线962时，可进一步增加像素px的开口率。

根据实施例，第一屏蔽线961和第二屏蔽线962中的每一条包括与上述第一子像素电极pe1基本相同的材料。也就是说，第一屏蔽线961、第二屏蔽线962和第一子像素电极pe1可以以基本相同的工艺同时被制造。

根据实施例，如图3中所图示，遮光层376被布置在除了存储线750与第一子像素电极pe1的一个边缘之间的区域之外的区域处。第一子像素电极pe1的一个边缘是指第一子像素电极pe1的与如上所述的第一存储电极751重叠的部分。

根据实施例，如图9、图10和图11中所图示，遮光层376被布置在第二基板302上。可替代地，在其他实施例中，遮光层376可被布置在第一基板301的滤色器354上。

根据实施例，如图9、图10、图11和图12中所图示，公共电极330被布置在遮光层376和第二基板302上。公共电极330被布置在包括遮光层376的第二基板302的整个表面之上。可替代地，在其他实施例中，公共电极330被布置在第二基板302的与第一子像素区域p1和第二子像素区域p2对应的部分上。公共电极330从电源接收公共电压。

根据实施例，液晶层333被布置在第一基板301与第二基板302之间。液晶层333包括具有负介电各向异性并且垂直排列的液晶分子。可替代地，在其他实施例中，液晶层333包括光聚合材料，并且在这样的示例性实施例中，光聚合材料可以是活性单体或活性基团。

图13图示具有如图1中所图示的结构的两个相邻像素。在图13中，第一像素的一部分和第二像素的一部分被图示。在示例性实施例中，第一像素和第二像素中的每一个具有与上述图1的像素px的结构基本相同的结构。

根据实施例，如图13中所图示，第一像素px1的第四存储电极754连接到第二像素px2的第一存储电极751。换句话说，第一像素px1的第四存储电极754是第二像素px2的第二存储电极752的一部分。

例如，第一像素px1的第四存储电极754连接到相邻的第二像素px2的第一存储电极751，它们之间具有第二屏蔽线962。在这样的示例性实施例中，第一像素px1的第四存储电极754和第二像素px2的第一存储电极751可一体形成。

图14是图1的像素的等效电路图。

根据实施例，如图14中所图示，像素px包括第一开关元件tft1、第二开关元件tft2、第三开关元件tft3、第一子像素电极pe1、第二子像素电极pe2、第一液晶电容器clc1、第二液晶电容器clc2、电荷共享电容器ccs、第一存储电容器cst1和第二存储电容器cst2。

根据实施例，第一开关元件tft1连接到第一栅线gl1、第一数据线dl1和第一子像素电极pe1。第一开关元件tft1由来自第一栅线gl1的第一栅信号控制，并且连接在第一数据线dl1与第一子像素电极pe1之间。第一开关元件tft1由第一栅信号的栅高电压导通，并且当导通时，第一开关元件tft1将数据电压从第一数据线dl1传输到第一子像素电极pe1。第一开关元件tft1由第一栅信号的栅低电压截止。在本文中，数据电压是图像数据电压。

根据实施例，第一液晶电容器clc1被形成在第一子像素电极pe1与公共电极330之间。第一液晶电容器clc1包括连接到第一子像素电极pe1的第一电极、连接到公共电极330的第二电极以及在第一电极与第二电极之间的液晶层。第一液晶电容器clc1的第一电极是第一子像素电极pe1的一部分，并且第一液晶电容器clc1的第二电极是公共电极330的一部分。

根据实施例，公共电压vcom被施加到公共电极330。

根据实施例，第一存储电容器cst1被形成在第一子像素电极pe1与第一存储电极751之间。第一存储电容器cst1包括连接到第一子像素电极pe1的第一电极、连接到第一存储电极751的第二电极以及在第一存储电容器cst1的第一电极与第二电极之间的电介质元件。电介质元件包括至少一个绝缘层。第一存储电容器cst1的第一电极是第一子像素电极pe1的一部分，并且第一存储电容器cst1的第二电极是第一存储电极751的一部分。

根据实施例，存储电压vcst被传输到第一存储电极751。存储电压vcst与公共电压vcom基本相等。

根据实施例，第二开关元件tft2连接到第一栅线gl1、第一数据线dl1和第二子像素电极pe2。第二开关元件tft2由来自第一栅线gl1的第一栅信号控制，并且连接在第一数据线dl1与第二子像素电极pe2之间。第二开关元件tft2由第一栅信号的栅高电压导通，并且当导通时，第二开关元件tft2将数据电压从第一数据线dl1传输到第二子像素电极pe2。第二开关元件tft2由第一栅信号的栅低电压截止。在本文中，数据电压是图像数据电压。

根据实施例，第二液晶电容器clc2被形成在第二子像素电极pe2与公共电极330之间。第二液晶电容器clc2包括连接到第二子像素电极pe2的第一电极、连接到公共电极330的第二电极以及在第一电极与第二电极之间的液晶层。第二液晶电容器clc2的第一电极是第二子像素电极pe2的一部分，并且第二液晶电容器clc2的第二电极是公共电极330的一部分。

根据实施例，第二存储电容器cst2被形成在第二子像素电极pe2与第一存储电极751之间。第二存储电容器cst2包括连接到第二子像素电极pe2的第一电极、连接到第一存储电极751的第二电极以及在第二存储电容器cst2的第一电极与第二电极之间的电介质元件。电介质元件包括至少一个绝缘层。第二存储电容器cst2的第一电极是第二子像素电极pe2的一部分，并且第二存储电容器cst2的第二电极是第一存储电极751的一部分。

根据实施例，第三开关元件tft3连接到第二栅线gl2、第一子像素电极pe1和电荷共享电容器ccs。第三开关元件tft3由来自第二栅线gl2的第二栅信号控制，并且连接在第一子像素电极pe1与电荷共享电容器ccs之间。第三开关元件tft3由第二栅信号的栅高电压导通，并且当导通时，第三开关元件tft3将第一子像素电极pe1的电荷传输到电荷共享电容器ccs。因此，第一子像素电极pe1的数据电压变得比第二子像素电极pe2的数据电压低。第三开关元件tft3由第二栅信号的栅低电压截止。也就是说，第一子像素电极pe1接收比第二子像素电极pe2的数据电压低的数据电压。换句话说，第一子像素电极pe1是低灰度级的子像素电极，该低灰度级的子像素电极接收比第二子像素电极pe2的数据电压低的数据电压，并且第二子像素电极pe2是高灰度级的子像素电极，该高灰度级的子像素电极接收比第一子像素电极pe1的数据电压高的数据电压。

根据实施例，电荷共享电容器ccs被形成在第三开关元件tft3的第三漏电极de3与第四存储电极754之间。电荷共享电容器ccs包括连接到第三开关元件tft3的第三漏电极de3的第一电极、连接到第四存储电极754的第二电极以及在电荷共享电容器ccs的第一电极与第二电极之间的电介质元件。电介质元件包括至少一个绝缘层。电荷共享电容器ccs的第一电极是第三漏电极de3的一部分，并且电荷共享电容器ccs的第二电极是第四存储电极754的一部分。

根据实施例，上述第一栅信号的栅高电压是第一栅信号的逻辑高电压，该第一栅信号的逻辑高电压被设置为大于或等于第一开关元件tft1的阈值电压和第二开关元件tft2的阈值电压，并且第一栅信号的栅低电压是第一栅信号的逻辑低电压，该第一栅信号的逻辑低电压被设置为第一开关元件tft1的截止电压和第二开关元件tft2的截止电压。

根据实施例，上述第二栅信号的栅高电压是第二栅信号的逻辑高电压，该第二栅信号的逻辑高电压被设置为大于或等于第三开关元件tft3的阈值电压，并且第二栅信号的栅低电压是第二栅信号的逻辑低电压，该第二栅信号的逻辑低电压被设置为第三开关元件tft3的截止电压。

根据实施例，在一个帧时间段期间，第二栅信号具有比第一栅信号的输出时序晚的输出时序。例如，第二栅信号的上升沿的时间点至少比第一栅信号的下降沿的时间点晚。换句话说，在第一栅信号从栅高电压电平转变为栅低电压电平之后，第二栅信号从栅低电压电平转变为栅高电压电平。因此，在包含于一个像素px中的第一开关元件tft1、第二开关元件tft2和第三开关元件tft3当中，第三开关元件tft3最晚导通。也就是说，在第一开关元件tft1、第二开关元件tft2和第三开关元件tft3当中，第一开关元件tft1和第二开关元件tft2首先基本上同时导通，并且在第一开关元件tft1和第二开关元件tft2基本上同时截止之后，第三开关元件tft3导通。

图15是根据可替代的示例性实施例的显示设备的平面图。

图15的显示设备与上述图1至图12的显示设备基本相同。然而，根据实施例，如图15中所图示，图15的显示设备不包括第一屏蔽线961和第二屏蔽线962。

图16是根据另一可替代的示例性实施例的显示设备的平面图。

图16的显示设备与上述图1至图12的显示设备基本相同。然而，根据实施例，如图16中所图示，图16的显示设备不包括第二虚设电极882。

图17是根据又一可替代的示例性实施例的显示设备的平面图。

根据实施例，图17的显示设备与上述图1至图12的显示设备基本相同。然而，如图17中所图示，图17的显示设备可进一步包括虚设连接电极883。

根据实施例，虚设连接电极883将第一虚设电极881连接到第二虚设电极882。因此，第一虚设电极881和第二虚设电极882彼此连接。虚设连接电极883与上述提及的延长电极999重叠。第一虚设电极881、第二虚设电极882和虚设连接电极883可一体形成。

根据实施例，虚设连接电极883包括与第一子像素电极pe1基本相同的材料，并且具有与第一子像素电极pe1基本相同的结构，即多层结构。虚设连接电极883和第一子像素电极pe1以基本相同的工艺同时被形成。

这样，根据实施例，当第一虚设电极881和第二虚设电极882通过虚设连接电极883彼此连接时，与第一数据线dl1相邻的整个虚设电极的总长度(其是第一虚设电极881的长度加上第二虚设电极882的长度加上虚设连接电极883的长度)与上述第一连接电极551的长度基本彼此相等。在这样的示例性实施例中，第一子像素电极pe1与第一数据线dl1之间的寄生电容和第一子像素电极pe1与第二数据线dl2之间的寄生电容之间的偏差可进一步被降低。

图18是图示示例性实施例的效果的表。

根据实施例，第一像素even和第二像素odd分别连接到不同的栅线和不同的数据线，并且彼此垂直相邻。例如，第一像素even连接到第一栅线和第一数据线，并且第二像素odd连接到第二栅线和第二数据线。第一像素even和第二像素odd彼此垂直相邻。例如，第一像素even与图13的上述第一像素px1对应，并且第二像素odd与图13的上述第二像素px2对应。

根据实施例，第一像素even和第二像素odd具有与图1中所图示的上述像素基本相同的结构。

根据实施例，图18的第一像素even的行标签“high_cdp_l”表示第一像素even的第二子像素电极与第一数据线之间的电容，第一像素even的行标签“high_cdp_r”表示第一像素even的第二子像素电极与第二数据线之间的电容，第一像素even的行标签“low_cdp_l”表示第一像素even的第一子像素电极与第一数据线之间的第一电容，并且第一像素even的行标签“low_cdp_r”表示第一像素even的第一子像素电极与第二数据线之间的第二电容。

根据实施例，图18的第二像素odd的行标签“high_cdp_l”表示第二像素odd的第二子像素电极与第一数据线之间的电容，第二像素odd的行标签“high_cdp_r”表示第二像素odd的第二子像素电极与第二数据线之间的电容，第二像素odd的行标签“low_cdp_l”表示第二像素odd的第一子像素电极与第一数据线之间的第三电容，并且第二像素odd的行标签“low_cdp_r”表示第二像素odd的第一子像素电极与第二数据线之间的第四电容。

根据实施例，与第一像素even关联的行标签“δlow_cdp(l-r)”表示第一电容与第二电容之间的偏差，并且与第二像素odd关联的行标签“δlow_cdp(l-r)”表示第三电容与第四电容之间的偏差。

根据实施例，列标签“-3μm”指示第一像素的第一子像素电极和第二子像素电极以及第二像素的第一子像素电极和第二子像素电极朝向左侧(即朝向第一数据线)偏移3μm。

根据实施例，列标签“+3μm”指示第一像素的第一子像素电极和第二子像素电极以及第二像素的第一子像素电极和第二子像素电极朝向右侧(即朝向第二数据线)偏移3μm。

根据实施例，列标签“0”指示第一像素的第一子像素电极和第二子像素电极以及第二像素的第一子像素电极和第二子像素电极不偏移。

根据实施例，图18中所示的值是电容偏差值，并且非偏移状态的平均电容偏差(avg)为大约0.013，其显著小于偏移状态的值。

如在上文所阐述的，在一个或多个示例性实施例中，显示设备可提供下面的效果。

在根据实施例的显示设备中，第一子像素电极与第一数据线之间的寄生电容和第一子像素电极与第二数据线之间的寄生电容之间的偏差可基本被最小化。因此，减少垂直串扰，能改善显示设备的图像质量。

从前述内容将会理解，为了例示的目的，已在本文中描述了本公开的各种示例性实施例，并且在不脱离本教导的范围和精神的情况下可进行各种修改。因此，在本文中公开的示例性实施例并不旨在限制本教导的真实范围和精神。上面描述的各种特征和其他实施例可以以任意方式被混合并匹配，以产生与本公开一致的进一步的实施例。