本申请涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板、显示面板及其制造方法。
背景技术
液晶显示面板通常包括上基板、下基板及配置于两基板间的液晶层，其工作原理是通过在两个基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转。
液晶显示面板容易因上下板错位而导致色彩不均、显示效果不佳等不良现象，行业内常采用在阵列上的彩色滤光膜技术(coa，colorfilteronarray)及在阵列上的间隔物技术(poa，psonarray)来改善这些不良现象，并且将coa和poa制程工艺中的工序集中在下基板，以更加简化上基板的结构，降低不良现象出现的机率。
传统的coa+poa技术中的阵列工艺，按照的是薄膜晶体管(tft，thinfilmtransistor)制程、彩色滤光层(colorfilter)制程、电极层(pe，pixelelectrode制程、间隔单元层(ps，photospacer)制程的顺序，其中，ps制程会安排在pe制程完成之后。由于ps制程在pe制程的后面，间隔单元形成于电极层上，这种结构下所对应的下基板的讯号线(未图示)负载较大，从而增加了液晶显示面板的材料及成本。
技术实现要素：
本发明目的在于提供阵列基板、显示面板及其制造方法，降低基板讯号线的负载。
本发明提供一种阵列基板，包括：
基板，包括显示区和非显示区；
多个主动开关，阵列在所述基板上；
彩色滤光层，阵列于所述基板上且形成于所述多个主动开关上；
间隔单元层，形成于所述彩色滤光层上；
电极层，形成于所述彩色滤光层及所述间隔单元层上，所述电极层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层位于所述显示区，所述第二电极层位于所述非显示区。
在一个实施例中，所述间隔单元层包括多个间隔单元，所述第一电极层包括覆盖于所述间隔单元上的第一电极区域。
在一个实施例中，所述第一电极区域覆盖所述间隔单元包括：所述第一电极区域覆盖于所述间隔单元的侧面和/或上端面。
在一个实施例中，所述第一电极区域形成于至少部分所述间隔单元上。
在一个实施例中，所述第一电极层还包括形成于所述色阻单元上的第二电极区域，所述第二电极区域和所述第一电极区域连接。
在一个实施例中，所述第二电极层和所述第一电极层之间绝缘。
本发明还提供一种显示面板，包括：
第一基板，包括公共电极层；
第二基板，包括上述阵列基板，所述第二基板与所述第一基板对向设置；所述第二电极层与所述公共电极层连接导通。
本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：
提供一基板，在所述基板上形成多个主动开关；
在所述基板上形成彩色滤光层；
形成间隔单元层于所述彩色滤光层上；
形成电极层于所述彩色滤光层及所述间隔单元层上，包括：在所述基板的显示区形成第一电极层，在所述基板的非显示区形成第二电极层。
在一实施例中，在所述基板上形成多个色阻单元构成所述彩色滤光层，在至少部分所述色阻单元上形成间隔单元，多个所述间隔单元构成所述间隔单元层。
在一个实施例中，所述第一电极层包括形成于所述间隔单元上的第一电极区域，所述第一电极区域形成于所述间隔单元的侧面和/或上端面。
为解决上述技术问题，本发明提供了阵列基板、显示面板及其制造方法，通过将电极层形成于间隔单元层上，增大了讯号线与电极层之间的距离，使得电容变小，降低了下基板的讯号线的负载，同时，可省略金球材料及涂布制程，以此降低阵列基板的材料及成本。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的阵列基板显示区的剖面结构示意图。
图2为本发明一实施例提供的显示面板非显示区的剖面结构示意图。
图3为本发明一实施例提供的一阵列基板的制造方法的流程示意图。
图4为本发明另一实施例提供的一液晶显示面板的制造方法的流程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
本发明所提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本发明不限于此。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的组件被称作“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者也可以存在中间组件。另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在……上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力上方的顶部上。
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的一种阵列基板、显示面板及制造方法其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
如图1和图2所示，本发明一实施例提供了一种阵列基板，包括一基板10、形成于基板10上的主动开关20、形成于主动开关20上的彩色滤光层30、形成于彩色滤光层30上的间隔单元层50，及形成于彩色滤光层30及间隔单元层50上的电极层60。本实施例提供的阵列基板可进一步用于制成显示面板，比如液晶显示面板。
以下针对本发明实施例提供的阵列基板内的各个组件及组件之间的位置关系作具体说明。
在一实施例中，基板10由玻璃材料制成，包括显示区和非显示区。
在本实施例中，主动开关20为薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)层，其主要用于控制液晶的站立角度。具体的，薄膜晶体管层是在基板10上沉积一层薄膜当作通道区，其包括栅极210、源极220及漏极230，栅极210上设置有栅极绝缘层211，源极220和漏极230均设置在栅极绝缘层211上。
薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管，其工作原理大致如下：当栅极210施以正电压时，栅极正电压在栅极绝缘层211中产生电场，电力线由栅极210指向半导体有源层212的表面，并在表面处产生感应电荷。随着栅电压增加，半导体有源层212中形成反型层。当达到强反型时(即达到开启电压时)，源极220、漏极230间加上电压就会有载流子通过沟道。当源极220、漏极230间电压(以下简称源漏电压)很小时，导电沟道近似为一恒定电阻，漏电流随源漏电压增加而线性增大。当源漏电压很大时，它会对栅电压产生影响，使得栅极绝缘层211中电场由源端到漏端逐渐减弱，薄膜晶体管层的表面反型层中电子由源端到漏端逐渐减少，沟道电阻随着源漏电压增大而增加。漏电流增加变得缓慢，对应线性区向饱和区过渡。当源漏电压增到一定程度，漏端反型层厚度减为零，电压在增加，器件进入饱和区。在实际液晶显示面板的生产中，薄膜晶体管层大多使用氢化非晶硅(a-si:h)作为主要材料，其主要利用a-si:htft的开态(大于开启电压)对电极层60快速充电，利用关态来保持电极层60的电压，从而实现快速响应和良好存储的统一。
在一实施例中，薄膜晶体管层在电极及内部接线使用铟锡氧化物(ito)。
在一实施例中，基板10还包括设置在薄膜晶体管层上的第一钝化层41，第一钝化层41设置在源极220和漏极230之上并且完全覆盖源极220和漏极230。第一钝化层41上设置有导通孔411，漏极230通过导通孔411与电极层60相连。
彩色滤光层30形成在第一钝化层41上。彩色滤光层30的作用主要是将白光形成彩色光。在一实施例中，彩色滤光层30包括多个色阻单元310，多个色阻单元310在基板10上以阵列的形式排布。彩色滤光层30可例如有第一、第二及第三色阻单元，在一些实施例中，第一、第二及第三色阻单元可例如为红色、绿色及蓝色色阻单元。在一实施例中，在每一个像素区域对应一种颜色的色阻单元310。
在一实施例中，基板10还包括一遮光层(比如黑色矩阵blackmatrix，bm)，其位于彩色滤光层30上。
在一实施例中，彩色滤光层30上还设置有第二钝化层42，第二钝化层42完全覆盖在彩色滤光层30上。第二钝化层42在与导通孔411对应的位置，设置有过孔421，用于电极层60延伸至导通孔411内与漏极230相连。
在一实施例中，基板10还包括一遮光层(比如黑色矩阵blackmatrix，bm)，其位于彩色滤光层30上。在遮光层上还设置有第二钝化层42，第二钝化层42完全覆盖在遮光层上。第二钝化层42上在与导通孔411对应的位置，设置有过孔421，用于电极层60延伸至导通孔411内与漏极230相连。
间隔单元层50包括多个间隔单元510，间隔单元510由绝缘材料制成。在一实施例中，间隔单元510设置在基板10上，并且，在基板10上设置有多个与间隔单元510相对应的平台(未标示)，使得间隔单元510能够更稳定地维持面板间距。具体的，间隔单元510设置在至少部分色阻单元310上，在一实施例中，仅在部分色阻单元310上形成间隔单元510，而不是每个色阻单元310上均形成间隔单元510。间隔单元510包括朝向彩色滤光层30的下端面501、及朝向阵列基板100上的上表面，间隔单元510的上表面包括与下端面501相背的上端面502以及连接上端面502和下端面501的侧面503。在一实施例中，间隔单元510呈梯形柱状，其上端面502的面积小于下端面501的面积。
在本实施例中，电极层60包括第一电极层601和第二电极层602，第一电极层601位于显示区，第二电极层602位于非显示区，且第一电极层601和第二电极层602之间绝缘，即第一电极层601和第二电极层602之间未电性连接。第一电极层601为像素电极层，像素电极层的材料为金属或金属氧化物，例如铟锡氧化物(indiumtinoxide，ito)。第二电极层602为导电电极层，其材料也为金属或金属氧化物，优选材料为铟锡氧化物(indiumtinoxide，ito)。
第一电极层601形成于彩色滤光层30及间隔单元层50上且图案化设置。具体的，第一电极层601包括多个第一电极区域610和第二电极区域620，第一电极区域610覆盖于至少部分间隔单元510上，包括：第一电极区域610覆盖于间隔单元510的侧面和/或上端面，第二电极区域620覆盖于色阻单元310上。
定义第一电极区域610覆盖于间隔单元510的侧面503的部分为第一部分611，第一电极区域610覆盖于间隔单元510的上端面502的部分为第二部分612。由于电极层60为图案化设置，所以，对于最终形成的阵列基板，在部分色阻单元310上，仅形成有第二电极区域620；在部分色阻单元310上，同时形成有第一电极区域610和第二电极区域620，并且第一电极区域610和第二电极区域620连接。第一电极区域610覆盖于间隔单元510的侧面和/或上端面，具体的，于部分间隔单元510上，第一电极区域仅覆盖于间隔单元510的侧面503，即第一电极区域610仅包括第一部分611，第一部分611与第二电极区域620连接；于部分间隔单元510上，第一电极区域610同时覆盖于间隔单元510的侧面503及上端面502，第一电极区域610包括第一部分611和第二部分612，第一部分611连接第二电极区域620和第二部分612。
第二电极层602形成于非显示区的彩色滤光层30及间隔单元层50上且图案化设置。
在一实施例中，在基板10上所设置的与间隔单元510相对应的平台(未标示)的上表面为第二钝化层42的上表面，间隔单元510形成于第二钝化层42的上表面，第二电极区域620形成于第二钝化层42的上表面。
本发明提供的阵列基板，通过将电极层60形成于间隔单元层50上，增大了讯号线与电极层60之间的距离，从而使得电容变小，以此降低了基板10的讯号线(未图示)的负载。由于降低了对于讯号线的负载，对讯号线的材料的要求便降低了，从而可以降低液晶显示面板的材料及成本。
如图2所示，本发明另一实施例提供了一种液晶显示面板，包括上基板70、下基板(未标示)以及一液晶层(未图示)，其中，下基板由上述实施例中所提供的阵列基板制成，上基板70与下基板对向设置，间隔单元501用于稳定地维持上基板70和下基板之间的间距，并定义一液晶间隔空间。该液晶间隔空间由液晶层填满，下基板的周边设置有胶框(未图示)，胶框附近设置有间隔单元501，第二电极层602覆盖在该间隔单元501上，第二电极层602与上基板70的公共电极层71连接导通，以此省略金球材料及涂布制程，从而可进一步降低液晶显示面板的材料及成本。本实施例所提供的液晶显示面板可进一步应用为平面型或曲面型的显示面板。
参考图1至图3所示，本发明一实施例还提供一种阵列基板的制造方法，包括以下步骤：
s11：提供一基板10，在基板10上形成多个主动开关20；
在本实施例中，主动开关20为薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)层，其主要用于控制液晶的站立角度。具体的，薄膜晶体管层是在基板10上沉积一层薄膜当做通道区，其包括栅极210、源极220及漏极230，栅极210上设置有栅极绝缘层211，源极220和漏极230均设置在栅极绝缘层211上。
s12：在基板10上形成彩色滤光层30；
在一实施例中，以阵列的形式在基板10上形成多个色阻单元310，多个色阻单元310构成彩色滤光层30。彩色滤光层30可例如包括有第一、第二、第三及第四色光阻层，在一些实施例中，第一、第二、第三及第四色光阻层可例如为红色、绿色、蓝色及白色光阻层，且第一、第二、第三及第四色光阻层之一的材料相同于间隔单元。在一实施例中，在每一个像素区域对应一种颜色的色阻单元310。
在一实施例中，基板10还包括一遮光层(比如黑色矩阵blackmatrix，bm)，其位于彩色滤光层30上。
在一实施例中，基板10上形成有第一钝化层41，彩色滤光层30形成在第一钝化层41上。
在一实施例中，基板10还包括一遮光层(比如黑色矩阵blackmatrix，bm)，其位于彩色滤光层30上。
在一实施例中，彩色滤光层30上还设置有第二钝化层42，第二钝化层42完全覆盖于彩色滤光层30上。
s13:形成间隔单元层50于彩色滤光层30上；
间隔单元层50包括多个间隔单元510，间隔单元510由绝缘材料制成。在一实施例中，在基板10上设置有多个与间隔单元510相对应的平台(未标示)，使得间隔单元510能够更稳定地维持面板间距。具体的，间隔单元510形成于色阻单元310上，在一实施例中，仅在一部分色阻单元310上形成间隔单元510，而不是在每个色阻单元310上均形成间隔单元510。在一实施例中，间隔单元510呈梯形柱状，其上端面502的面积小于下端面501的面积。
s14：形成电极层60于彩色滤光层30及间隔单元层50上，包括：在基板10的显示区形成第一电极层601，在基板10的非显示区形成第二电极层602。
第一电极层601为像素电极层，像素电极层的材料为金属或金属氧化物，优选材料为铟锡氧化物(indiumtinoxide，ito)。第二电极层602为导电电极层，其材料也为金属或金属氧化物，优选材料为铟锡氧化物(indiumtinoxide，ito)。第一电极层601和第二电极层602可通过光刻胶曝光显影工艺及刻蚀工艺进行图案化。具体的，第一电极层601和第二电极层602可通过同一道光罩形成预设图案，也可以通过不同的光罩先后形成图案化。在本实施例中，第一电极层601和第二电极层602之间绝缘。第一电极层601形成于彩色滤光层30及间隔单元层50上。具体的，第一电极层601包括多个第一电极区域610和第二电极区域620，第一电极区域610覆盖于间隔单元510上，包括：第一电极区域610覆盖于间隔单元510的侧面和/或上端面，第二电极区域620形成于色阻单元310上。
定义第一电极区域610覆盖于间隔单元510的侧面503的部分为第一部分611，第一电极区域610覆盖于间隔单元510的上端面502的部分为第二部分612。由于第一电极层601和第二电极层602通过图案化形成，所以，对于最终形成的阵列基板，在部分色阻单元310上，仅形成有第二电极区域620；在部分色阻单元310上，同时形成有第一电极区域610和第二电极区域620，并且第一电极区域610和第二电极区域620连接。第一电极区域610形成于间隔单元510的侧面和/或上端面，具体的，于部分间隔单元510上，第一电极区域仅形成于间隔单元510的侧面503，即第一电极区域610仅包括第一部分611，第一部分611与第二电极区域620连接；于部分间隔单元510上，第一电极区域610同时形成于间隔单元510的侧面503及上端面502，第一电极区域610包括第一部分611和第二部分612，第一部分611连接第二电极区域620和第二部分612。
第二电极层602形成于非显示区的彩色滤光层30及间隔单元层50上，且通过图案化获得。
在一实施例中，在基板10上所设置的与间隔单元510相对应的平台(未标示)的上表面为第二钝化层42的上表面，间隔单元510形成于第二钝化层42的上表面，第二电极区域620形成于第二钝化层42的上表面。
参考图1、图2和图4所示，本发明另一实施例还提供一种液晶显示面板的制造方法，包括以下步骤：
s21：提供一基板10，在基板10上形成主动开关20；
基板10包括显示区和非显示区。在本实施例中，主动开关20为薄膜晶体管层，其具有控制液晶站立角度的作用。具体的，薄膜晶体管层是在基板10上沉积一层薄膜当做通道区，其包括栅极210、源极220及漏极230，栅极210上设置有栅极绝缘层211，源极220和漏极230均设置在栅极绝缘层211上。
薄膜晶体管层使用氢化非晶硅(a-si:h)作为主要材料，其主要利用a-si:htft的开态(大于开启电压)对电极层60快速充电，利用关态来保持电极层60的电压，从而实现快速响应和良好存储的统一。
在一实施例中，薄膜晶体管层在电极及内部接线使用铟锡氧化物(ito)。
s22：在主动开关20上形成第一钝化层41；
具体的，第一钝化层41形成在源极220和漏极230之上并且完全覆盖源极220和漏极230。第一钝化层41上形成有导通孔411。
s23：在第一钝化层41上形成彩色滤光层30；
多个色阻单元310以阵列的形式排布。彩色滤光层30可例如有第一、第二及第三色阻单元，在一些实施例中，第一、第二及第三色阻单元可例如为红色、绿色及蓝色色阻单元。在一实施例中，在每一个像素区域对应一种颜色的色阻单元310。
在一实施例中，基板10还包括一遮光层(比如黑色矩阵blackmatrix，bm)，将其形成于彩色滤光层30上。
s24：在彩色滤光层30上形成第二钝化层42；
具体的，第二钝化层42完全覆盖在彩色滤光层30上。
s25：在第二钝化层42上形成间隔单元层50；
间隔单元层50包括多个间隔单元510，间隔单元510用以定义一液晶间隔空间，其由绝缘材料制成。在一实施例中，在基板10上设置有多个与间隔单元510相对应的平台(未标示)，使得间隔单元510能够更稳定地维持面板间距。具体的，间隔单元510设置在色阻单元310上，且仅在一部分色阻单元310上形成间隔单元510，而不是每个色阻单元310上均形成间隔单元510。在一实施例中，间隔单元510呈梯形，其上表面的面积小于下表面的面积。
s26：将电极层60形成于第二钝化层42和间隔单元层50上，以得到下基板；
在第二钝化层42及间隔单元层50上形成电极层60，包括：在显示区的第二钝化层42及间隔单元层50上形成第一电极层601，在非显示区的第二钝化层42及间隔单元层50上形成第二电极层602。在本实施例中，第一电极层601和第二电极层602之间绝缘。第一电极层601和第二电极层60均通过图案化形成。具体的，第一电极层601包括多个第一电极区域610和第二电极区域620，第一电极区域610形成于间隔单元510上，包括：第一电极区域610形成于间隔单元510的侧面和/或上端面，第二电极区域620形成于色阻单元310上。
定义第一电极区域610形成于间隔单元510的侧面503的部分为第一部分611，第一电极区域610形成于间隔单元510的上端面502的部分为第二部分612。由于第一电极层601和第二电极层602通过图案化形成，所以，对于最终形成的阵列基板，在部分色阻单元310上，仅形成有第二电极区域620；在部分色阻单元310上，同时形成有第一电极区域610和第二电极区域620，并且第一电极区域610和第二电极区域620连接。第一电极区域610形成于间隔单元510的侧面和/或上端面，具体的，于部分间隔单元510上，第一电极区域仅形成于间隔单元510的侧面503，即第一电极区域610仅包括第一部分611，第一部分611与第二电极区域620连接；于部分间隔单元510上，第一电极区域610同时形成于间隔单元510的侧面503及上端面502，第一电极区域610包括第一部分611和第二部分612，第一部分611连接第二电极区域620和第二部分612。在基板10上所设置的与间隔单元510相对应的平台(未标示)的上表面为第二钝化层42的上表面，间隔单元510形成于第二钝化层42的上表面，第二电极区域620形成于第二钝化层42的上表面。
第二电极层602形成于非显示区的第二钝化层42及间隔单元层50上。
s27：提供一上基板70，将上基板70和下基板对向设置，间隔单元层50位于上基板70和下基板之间，间隔单元层50定义一液晶间隔空间；
间隔单元层50稳定地形成于上基板70和下基板之间，维持上基板70和下基板之间的间距不变。
在一实施例中，上基板70包括公共电极层71，主动开关20为电极层60进行供电，在液晶显示面板的显示区，上基板70的公共电极层71和下基板的电极层60之间形成电场。在液晶显示面板的非显示区，于下基板上设置有胶框(未图示)，胶框附近设置有间隔单元510，第二电极层71覆盖在该间隔单元510上，第二电极层602与上基板70的公共电极层71连接导通，以此省略金球材料及涂布制程，从而可进一步降低液晶显示面板的材料及成本。
s28：在上述的液晶间隔空间内灌满液晶，制成液晶显示面板。
通过本发明提供的制造方法制成的阵列基板或液晶显示面板，将电极层60形成于间隔单元层50上，使得讯号线与电极层60的距离变大，电容变小，降低了电极层60的电阻，以此降低了基板10的讯号线(未图示)的负载。由于降低了对于讯号线的负载，对讯号线的材料的要求便降低了，同时，可省略金球材料及涂布制程，从而进一步降低阵列基板或液晶显示面板的材料及成本。
以上所述，仅是本发明的最佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，利用上述揭示的方法内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，均属于权利要求保护的范围。