液晶显示设备的制作方法

本申请要求于2017年11月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0153178号以及于2018年9月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0110474号的优先权和权益，这些申请为了所有目的在此引入，如同本文全面阐述的一样。

本公开涉及一种液晶显示(lcd)设备。

背景技术：

液晶显示(lcd)设备包括两个基板以及注入两个基板之间的液晶层，在两个基板中形成诸如像素电极和公共电极的场生成电极。lcd设备通过向场生成电极施加电压来生成液晶层中的电场，以便确定液晶层中液晶分子的方向，并且通过使用电场控制入射到液晶层上的光的偏振来显示图像。

已经研制了一种垂直取向(va)模式lcd设备，其中液晶分子的长轴在没有电场的情况下垂直于上基板和下基板取向。

va模式lcd设备可能具有比它的前可视性更差的侧向可视性。具体地，va模式lcd设备在从其侧面观察时可能比在从其前面观察时更亮，并且随着在从va模式lcd设备的前面观察时va模式lcd设备的亮度与在从va模式lcd设备的侧面观察时va模式lcd设备的亮度之间的差异增加，va模式lcd设备的可视性可能逐渐恶化。

因此，需要一种能够通过最小化在从lcd设备的前面观察时lcd设备的亮度与在从lcd设备的侧面观察时lcd设备的亮度之间的差异来改善可视性的结构。

技术实现要素：

本公开的示例性实施例提供了一种具有改善的可视性的液晶显示器。

然而，本公开的示例性实施例的方面不受限于本文所阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上面和其它示例性实施例对本公开所属领域的普通技术人员将变得更显而易见。

根据本公开的示例性实施例，提供了一种液晶显示(lcd)设备，包括：基板，基板上限定透射光的有源区域；以及布置在基板上的像素电极；其中，像素电极包括第一主干电极、第二主干电极、第三主干电极和多个分支电极；第一主干电极沿着第一方向延伸；第二主干电极沿着垂直于第一方向的第二方向延伸并且与第一主干电极相交，以被第一主干电极划分成两半；第三主干电极沿着第二方向延伸并且连接到第一主干电极，以被第一主干电极的端部划分成两半；多个分支电极从第一主干电极、第二主干电极和第三主干电极中的至少一个主干电极延伸。

根据本公开的示例性实施例，提供了一种lcd设备，包括：基板，基板上限定透射光的有源区域；以及布置在基板上的像素电极，其中，有源区域包括：布置在第一行和第二列中的第一畴区域、布置在第二行和第二列中的第二畴区域、布置在第一行和第一列中的第三畴区域、布置在第一行和第三列中的第四畴区域、布置在第二行和第一列中的第五畴区域、以及布置在第二行和第三列中的第六畴区域；并且像素电极包括第一主干电极、第二主干电极、第三主干电极和多个分支电极，第一主干电极沿着第一畴区域与第二畴区域之间的边界、第三畴区域与第五畴区域之间的边界以及第四畴区域与第六畴区域之间的边界布置；第二主干电极沿着第一畴区域与第三畴区域之间的边界以及第二畴区域与第五畴区域之间的边界布置；第三主干电极沿着第四畴区域和第六畴区域的远离第二主干电极的侧边布置；多个分支电极从第一主干电极、第二主干电极和第三主干电极中的至少一个主干电极延伸。

根据本公开的上述和其他示例性实施例，可以提供具有改善的可视性的液晶显示器。

其他特征和示例性实施例可以从下面的详细描述、附图和权利要求变得显而易见。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的上面和其他示例性实施例和特征将变得更加显而易见，其中：

图1是根据本公开的示例性实施例的液晶显示(lcd)设备的像素的布局图；

图2是沿着图1的i-i’线截取的截面图；

图3是图1的像素的像素电极的布局图；

图4是示出液晶分子在图1的像素的有源区域中倾斜的方向的示意图；

图5是根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的像素的像素电极的布局图；

图6是根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的像素的像素电极的布局图；

图7是根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的像素的像素电极的布局图；

图8是根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的像素的布局图；

图9是根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的像素的布局图；以及

图10是根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备中包括的两个相邻像素电极的布局图。

具体实施方式

在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，从而提供对各种示例性实施例的透彻理解。然而，显然，可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等效设置的情况下实践各种示例性实施例。在其他实例中，以框图的形式示出公知的结构和设备，从而避免不必要地模糊各种示例性实施例。

在附图中，为了清晰和描述的目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可能被夸大。另外，相同的附图标记表示相同的元件。

当元件或层被称为“在”另一个元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一个元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到另一个元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一个元件或层时，不存在中间元件或中间层。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“从x、y和z组成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z或者x、y和z中的两个或更多个的任何组合，诸如例如xyz、xyy、yz和zz。贯穿全文，相同的附图标记指相同的元件。如本文所使用的，术语“和/或”包括关联的列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。

虽然本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层和/或部分与另一元件、部件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层和/或部分。

为了描述的目的，本文中可以使用诸如“之下”、“下面”、“下部”、“上面”、“上部”等的空间相对术语，并且因此描述一个元件或特征与另一元件或特征的关系，如附图中所图示。除了附图中描绘的方向之外，空间相对术语旨在包含使用、操作和/或制造中的装置的不同方向。例如，如果翻转附图中的装置，则描述为在其它元件或特征“下面”或“之下”的元件将定向为在其它元件或特征的“上面”。因此，示例性术语“下面”可以包含上面和下面两个方向。此外，装置可以以其他方式定向(例如，旋转90度或以其他方向)，并且因此，本文中所使用的空间相对描述符被相应地解释。

本文所使用的术语是为了描述特定的实施例的目的，而不是旨在限制。如本文所使用的，单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。而且，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所述特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或添加。

本文参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图来描述各种示例性实施例。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，本文公开的示例性实施例不应被解释为限于区域的特定图示形状，而应包括由例如制造导致的形状偏差。例如，被图示为矩形的植入区域通常在其边缘处具有圆形或弯曲的特征和/或具有植入浓度梯度，而不是从植入区域到非植入区域的二元变化。同样地，通过植入形成的隐埋区域可能导致在隐埋区域与通过其发生植入的表面之间的区域中的一些植入。因此，在附图中所图示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示设备的区域的实际形状，并且不旨在限制。

除非另有限定，本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。诸如常用词典中限定的术语之类的术语，应被解释为具有与在相关技术的上下文中它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此限定。

下文中，将参照附图来描述示例性实施例。

图1是根据本公开的示例性实施例的液晶显示(lcd)设备的像素的布局图，图2是沿着图1的i-i’线截取的截面图，图3是图1的像素的像素电极的布局图，并且图4是示出液晶分子在图1的像素的有源区域中倾斜的方向的示意图。

参考图1至图4，根据本公开的示例性实施例的lcd设备包括第一显示基板100、第二显示基板300和液晶层200。根据本公开的示例性实施例的lcd设备可以进一步包括一对偏振器(未图示)，该一对偏振器附接在第一显示基板100和第二显示基板300的外表面上。

在第一显示基板100中提供用于驱动液晶层200中包括的液晶分子lc的开关元件，例如薄膜晶体管(tft)167。第二显示基板300是布置为面对第一显示基板100的对置基板。

液晶层200可以插入在第一显示基板100与第二显示基板300之间，并且可以包括液晶分子lc，液晶分子lc具有介电各向异性。响应于在第一显示基板100与第二显示基板300之间施加的电场，液晶分子lc可以在第一显示基板100与第二显示基板300之间在特定方向上旋转，以便允许或阻挡光穿过液晶层200透射。如本文所使用的，术语“液晶分子lc的旋转”不仅意味着液晶分子lc实际旋转，而且意味着液晶分子lc的取向由于电场而改变。

根据本公开的示例性实施例的lcd设备包括多于一个的像素10，像素10按照矩阵设置。像素10的灰度级可以是独立可控的。像素10可以是用于显示特定颜色的基本单位。像素10包括有源区域aa，有源区域aa通过控制从第一显示基板100的底部入射到有源区域aa上的光的透射率来控制像素10的灰度级。

下文中将描述第一显示基板100。

第一显示基板100包括第一基底基板110。第一基底基板110可以是透明绝缘基板。例如，第一基底基板110可以是玻璃基板、石英基板或透明树脂基板。

在一些示例性实施例中，第一基底基板110可以沿着特定方向弯曲。在一些其他示例性实施例中，第一基底基板110可以具有柔性。也就是说，第一基底基板110可以是通过卷曲、折叠或弯曲可变形的。

栅极线122、栅电极124和维持线126布置在第一基底基板110上。

栅极线122传输栅极电压，栅极电压控制tft167。栅极线122可以在第一方向d1上延伸。

垂直于第二方向d2的第一方向d1可以在第一基底基板110布置在其上的平面上与第一基底基板110的一个侧面的方向平行，并且可以被限定为由从图1的左侧延伸到右侧的任意直线指示的方向。第二方向d2可以被限定为由从图1的顶部到底部延伸的任意直线指示的方向。

栅极电压可以由外部源提供，并且可以具有可变电平。tft167的导通或关断可以通过栅极电压的电平来控制。

栅电极124可以形成为从栅极线122突出，并且可以物理地连接到栅极线122。栅电极124可以是tft167(这将在后面描述)的元件。

维持线126可以布置在栅极线122与另一栅极线122之间。维持线126可以基本上在第一方向d1上延伸，并且可以具有沿着有源区域aa的侧面延伸的部分。维持线126可以布置为与像素电极180(这将在后面描述)的侧面相邻，并且可以在像素电极180与维持线126之间形成预定电容。因此，可以防止提供给像素电极180的电压的突然下降。在提供给像素电极180的电压的下降是可容忍的或不显著的、并且因此不会对根据本公开的示例性实施例的lcd设备的显示质量产生不利影响的情况下，即使不存在维持线126，也可以不提供维持线126。

栅极线122、栅电极124和维持线126可以由相同的材料形成。例如，栅极线122、栅电极124和维持线126可以包括铝(al)、诸如铝合金的铝基金属、银(ag)、诸如银合金的银基金属、铜(cu)、诸如铜合金的铜基金属、钼(mo)、诸如钼合金的钼基金属、铬(cr)、钽(ta)或钛(ti)。栅极线122、栅电极124和维持线126可以具有单层结构，或者可以具有包括具有不同物理特性的两个导电膜的多层结构。

栅极绝缘层130布置在栅极线122、栅电极124和维持线126上。栅极绝缘层130可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层130可以由氮化硅或氧化硅形成。栅极绝缘层130可以具有单层结构，或者可以具有包括具有不同物理特性的两个绝缘膜的多层结构。

第一半导体图案141和第二半导体图案142布置在栅极绝缘层130上。

第一半导体图案141可以至少部分地与栅电极124重叠。可以在第一半导体图案141中形成电连接源电极165和漏电极166(这两者将在后面描述)的沟道。

虽然没有具体图示，但在一些示例性实施例中，欧姆接触构件可以另外提供在第一半导体图案141上。欧姆接触构件可以由硅化物或掺杂有高浓度n型杂质的n+氢化非晶硅形成。欧姆接触构件可以以成对的方式布置在第一半导体图案141上。布置在源电极165、漏电极166与第一半导体图案141之间的欧姆接触构件可以使源电极165、漏电极166和第一半导体图案141能够具有欧姆接触特性。在第一半导体图案141包括氧化物半导体的情况下，可以不提供欧姆接触构件。

第二半导体图案142形成为与第一数据线162、第二数据线163、源电极165和漏电极166重叠，所有这些将在后面描述。由于第二半导体图案142通过单个掩模工艺与第一数据线162、第二数据线163、源电极165和漏电极166一起形成，因此第二半导体图案142可以形成为与第一数据线162、第二数据线163、源电极165和漏电极166重叠。

第一半导体图案141和第二半导体图案142可以由非晶硅、多晶硅或氧化物半导体形成。

第一数据线162、第二数据线163、源电极165和漏电极166布置在第一半导体图案141、第二半导体图案142和栅极绝缘层130上。

第一数据线162和第二数据线163可以在第二方向d2上延伸，并且可以与栅极线122相交。第一数据线162和第二数据线163可以通过栅极绝缘层130与栅极线122和栅电极124绝缘。

第一数据线162可以向图1的像素10的源电极165提供数据电压。因此，源电极165可以电连接到第一数据线162。第二数据线163可以在第二方向d2上向与图1的像素10相邻的像素的源电极提供数据电压。这里，由第一数据线162和第二数据线163提供的数据电压可以从外部源提供，并且可以具有可变电平。像素10的灰度级可以根据由第一数据线162和第二数据线163提供的数据电压的电平而变化。

第一数据线162和第二数据线163可以沿着第二方向d2彼此平行地延伸，并且可以彼此间隔开。

这对于大尺寸的lcd设备或第一半导体图案141由具有低迁移率的半导体材料形成的情况非常有效。

即使第一数据线162和第二数据线163布置为穿过有源区域aa，也可以通过将第一数据线162设置为与第二主干电极182(这将在后面描述)重叠以及将第二数据线163设置为与第一狭缝sl1(这也将在后面描述)重叠，来最小化像素10的透射率的降低。

源电极165可以从第一数据线162和第二数据线163分叉出来，并且可以至少部分地与栅电极124重叠。

如图1中所图示，源电极165可以与漏电极166间隔开预定距离，并且可以形成为u形以包围漏电极166，但是本公开不限于此。也就是说，可替代地，源电极165和漏电极166可以形成为彼此间隔开预定距离并且彼此平行地延伸的条。也就是说，源电极165和漏电极166可以形成各种形状，只要它们可以彼此面对，并且它们之间具有预定间隙。

第一数据线162、第二数据线163、源电极165和漏电极166可以由相同的材料形成。例如，第一数据线162、第二数据线163、源电极165和漏电极166可以由al、cu、ag、mo、cr、ti、ta或其合金形成。第一数据线162、第二数据线163、源电极165和漏电极166可以具有多层结构，该多层结构包括由难熔金属形成的下膜(未图示)和形成在下膜上的低电阻上膜(未图示)，但是本公开不限于此。

栅电极124、第一半导体图案141、源电极165和漏电极166可以形成作为开关元件的tft167。

钝化层171布置在栅极绝缘层130、第一数据线162、第二数据线163和tft167上。钝化层171可以由无机绝缘材料形成，并且可以布置为覆盖tft167。钝化层171可以保护tft167，并且可以防止滤色器层172和平坦化层173(这两者将在后面描述)的材料渗入第一半导体图案141和第二半导体图案142。在一些示例性实施例中，可以不提供钝化层171。

滤色器层172布置在钝化层171上。滤色器层172可以由包括用于实现颜色的颜料的光敏有机组合物形成，并且该颜料可以包括红色、绿色和蓝色颜料中的任何一种。例如，滤色器层172可以包括多个滤色器。例如，多个滤色器中的每一个滤色器可以显示诸如红色、绿色和蓝色之类的多种原色中的任何一种，但是本公开不限于此。也就是说，在另一示例中，多个滤色器中的每一个滤色器可以显示青色、品红色、黄色和白色中的任何一种。

平坦化层173布置在滤色器层172上。平坦化层173可以由绝缘材料形成。例如，平坦化层173可以是由有机材料形成的有机层。平坦化层173可以对可以由平坦化层173与第一基底基板110之间提供的元件形成的任何区域高度差进行平坦化。换句话说，平坦化层173的顶表面可以是基本平坦的。在一些示例性实施例中，可以对滤色器层172的顶部进行平坦化，在这种情况下，可以不提供平坦化层173。此外，在一些示例性实施例中，后面将描述的元件可以被堆叠在滤色器层172上，而不对滤色器层172的顶部进行平坦化。

接触孔cnt可以形成在钝化层171、滤色器层172和平坦化层173中，接触孔cnt在与第一基底基板110的顶表面垂直的方向上暴露tft167的一部分，尤其是漏电极166的一部分。接触孔cnt可以形成为穿透钝化层171、滤色器层172和平坦化层173。

像素电极180布置在平坦化层173上。像素电极180可以经由接触孔cnt物理地连接到漏电极166，并且可以从漏电极166接收数据电压。

像素电极180可以由诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)或铝掺杂氧化锌(azo)的透明导电材料形成。

像素电极180通常可以布置在有源区域aa内，并且可以包括扩展部分，扩展部分与接触孔cnt重叠以连接到漏电极166。

像素电极180被布置的区域可以被划分成多个区域。特别地，有源区域aa可以根据像素电极180的形状被划分成六个区域。六个区域可以按照两行和三列的矩阵设置。在六个区域之中，矩阵的第一行和第二列中的区域可以限定为第一畴区域dm1，矩阵的第二行和第二列中的区域可以限定为第二畴区域dm2，矩阵的第一行和第一列中的区域可以限定为第三畴区域dm3，矩阵的第一行和第三列中的区域可以限定为第四畴区域dm4，矩阵的第二行和第一列中的区域可以限定为第五畴区域dm5，并且矩阵的第二行和第三列中的区域可以限定为第六畴区域dm6。

第一畴区域dm1和第二畴区域dm2可以大于第三畴区域dm3、第四畴区域dm4、第五畴区域dm5和第六畴区域dm6。具体地，第一畴区域dm1和第二畴区域dm2可以比第三畴区域dm3、第四畴区域dm4、第五畴区域dm5和第六畴区域dm6大两倍。第一畴区域dm1和第二畴区域dm2可以具有相同的面积，第三畴区域dm3和第四畴区域dm4可以具有相同的面积，并且第五畴区域dm5和第六畴区域dm6可以具有相同的面积。

像素电极180的结构可以从有源区域aa的一个畴区域到另一畴区域而不同，并且结果是，液晶分子lc的倾斜方向也可以从有源区域aa的一个畴区域到另一畴区域而略微地不同。

具体地，从图1、图3和图4(下文中称为“平面图”)的角度来看，液晶分子lc可以被控制为在第一畴区域dm1中向左下方向倾斜。此外，在平面图中，液晶分子lc可以被控制为在第二畴区域dm2中向左上方向倾斜。此外，在平面图中，液晶分子lc可以被控制为在第三畴区域dm3和第四畴区域dm4中向右下方向倾斜。此外，在平面图中，液晶分子lc可以被控制为在第五畴区域dm5和第六畴区域dm6中向右上方向倾斜。

因此，在平面图中，被控制为向左下方向倾斜的液晶分子lc所占据的面积(即，第一畴区域dm1的面积)，被控制为向左上方向倾斜的液晶分子lc所占据的面积(即，第二畴区域dm2的面积)，被控制为向右下方向倾斜的液晶分子lc所占据的面积(即，第三畴区域dm3和第四畴区域dm4的组合面积)以及被控制为向右上方向倾斜的液晶分子lc所占据的面积(即，第五畴区域dm5和第六畴区域dm6的组合面积)可以都是相同的。

结果是，液晶分子lc被控制为在各个方向上倾斜，但是被控制为在各个方向上倾斜的液晶分子lc的分布可能都是相同的。因此，可以均匀地改善根据本公开的示例性实施例的lcd设备的侧向可视性。

下文中将描述像素电极180的结构，像素电极180用于控制第一畴区域dm1、第二畴区域dm2、第三畴区域dm3、第四畴区域dm4、第五畴区域dm5和第六畴区域dm6中的每一个畴区域中的液晶分子lc。

像素电极180包括第一主干电极181、第二主干电极182、第三主干电极183、分支电极184、边缘电极185和延伸电极186。

除了延伸电极186之外，像素电极180的所有元件可以布置在有源区域aa内，并且仅延伸电极186可以布置在有源区域aa外。

第一主干电极181可以沿着第一方向d1延伸穿过有源区域aa。第一主干电极181可以在第一方向d1上延伸，以将有源区域aa划分成两半。也就是说，第一主干电极181可以将有源区域aa划分成布置第一畴区域dm1、第三畴区域dm3和第四畴区域dm4的区域以及布置第二畴区域dm2、第五畴区域dm5和第六畴区域dm6的区域。换句话说，第一主干电极181可以沿着第三畴区域dm3与第五畴区域dm5之间的边界、第一畴区域dm1与第二畴区域dm2之间的边界以及第四畴区域dm4与第六畴区域dm6之间的边界布置。

第二主干电极182可以沿着第二方向d2延伸穿过有源区域aa。第二主干电极182可以将有源区域aa划分成布置第三畴区域dm3和第五畴区域dm5的区域以及布置第一畴区域dm1、第二畴区域dm2、第四畴区域dm4和第六畴区域dm6的区域。换句话说，第二主干电极182可以沿着第一畴区域dm1与第三畴区域dm3之间的边界以及第二畴区域dm2与第五畴区域dm5之间的边界布置。也就是说，第二电极182可以沿着第二方向d2延伸并且可以与第一主干电极181相交，以被第一主干电极181划分成两半。

第三主干电极183可以沿着有源区域aa的一侧在第二方向d2上延伸。与第一主干电极181和第二主干电极182不同，第三主干电极183不能延伸穿过有源区域aa。第三主干电极183可以沿着有源区域aa的一对侧边中的相对远离第二主干电极182的一个侧边延伸。也就是说，在平面图中，第三主干电极183可以沿着第四畴区域dm4和第六畴区域dm6的右侧布置。换句话说，第三主干电极183可以沿着第二方向d2延伸并且可以连接到第一主干电极181的一端，以被第一主干电极181划分成两半。具体地，第三主干电极183可以连接到第一主干电极181的两个端部中的相对远离第二主干电极182的一个端部。

分支电极184可以在相对于第一方向d1和第二方向d2的对角方向上(即，在不与第一方向d1和第二方向d2平行的方向上)从第一主干电极181、第二主干电极182和第三主干电极183延伸。分支电极184延伸的方向可以从有源区域aa的一个畴区域到另一个畴区域而不同。分支电极184可以形成为具有比第一主干电极181、第二主干电极182和第三主干电极183小的宽度。

具体地，在平面图中，分支电极184可以在第一畴区域dm1中从第一主干电极181和第二主干电极182向右上方向延伸。

在平面图中，分支电极184可以在第二畴区域dm2中从第一主干电极181和第二主干电极182向右下方向延伸。

在平面图中，分支电极184可以在第三畴区域dm3中从第一主干电极181和第二主干电极182向左上方向延伸。

在平面图中，分支电极184可以在第四畴区域dm4中从第一主干电极181和第三主干电极183向左上方向延伸。

在平面图中，分支电极184可以在第五畴区域dm5中从第一主干电极181和第二主干电极182向左下方向延伸。

在平面图中，分支电极184可以在第六畴区域dm6中从第一主干电极181和第三主干电极183向左下方向延伸。

分支电极184可以在第三畴区域dm3和第四畴区域dm4两者中在相同方向上延伸，并且也可以在第五畴区域dm5和第六畴区域dm6两者中在相同方向上延伸。

未布置透明导电材料的第一狭缝sl1或第二狭缝sl2可以布置在第一主干电极181、第二主干电极182和第三主干电极183与分支电极184之间。由于存在第一狭缝sl1和第二狭缝sl2，因此在像素电极180上形成图案，并且能够根据像素电极180的形状和图案来控制与像素电极180重叠的液晶分子lc倾斜的方向。

第一狭缝sl1可以是布置在第一畴区域dm1中的分支电极184与布置在第四畴区域dm4中的分支电极184之间以及布置在第二畴区域dm2中的分支电极184与布置在第六畴区域dm6中的分支电极184之间形成的开口。因此，第一狭缝sl1可以布置在第二主干电极182与第三主干电极183之间。而且，第一狭缝sl1可以与从第二主干电极182延伸的分支电极184面对从第三主干电极183延伸的分支电极184的区域重叠。

第二主干电极182与第一狭缝sl1之间的区域(即，第一畴区域dm1和第二畴区域dm2)可以大于布置在第二主干电极182外部的区域(即，第三畴区域dm3和第五畴区域dm5)以及布置在第一狭缝sl1外部的区域(即，第四畴区域dm4和第六畴区域dm6)。

除了第一狭缝sl1之外，第二狭缝sl2可以占据有源区域aa中形成的整个开口。

由于第一主干电极181、第二主干电极182和第三主干电极183、分支电极184以及第一狭缝sl1和第二狭缝sl2的设置，因此可以控制液晶分子lc的倾斜方向。

具体地，液晶分子lc被控制为沿着布置第一主干电极181、第二主干电极182和第三主干电极183以及分支电极184的方向倾斜，并且被控制为偏离第一狭缝sl1和第二狭缝sl2。多个分支电极184被布置为彼此平行，并且具有比第一主干电极181、第二主干电极182和第三主干电极183小的宽度。因此，液晶分子lc可以倾斜成与分支电极184在第一畴区域dm1、第二畴区域dm2、第三畴区域dm3、第四畴区域dm4、第五畴区域dm5和第六畴区域dm6中的每一个畴区域中延伸的方向平行，并且这同样可以应用于第二狭缝sl2。

由于第一狭缝sl1沿着第一畴区域dm1与第四畴区域dm4之间的边界以及第二畴区域dm2与第六畴区域dm6之间的边界布置，所以可以控制液晶分子lc以偏离第一畴区域dm1与第四畴区域dm4之间的边界以及第二畴区域dm2与第六畴区域dm6之间的边界。

因此，在第一畴区域dm1中，第一主干电极181和第二主干电极182沿着第一畴区域dm1的左侧和下侧布置，并且分支电极184向右上方向延伸。因此，在第一畴区域dm1中，液晶分子lc可以被控制为向左下方向倾斜。

在第二畴区域dm2中，第一主干电极181和第二主干电极182沿着第二畴区域dm2的左侧和上侧布置，并且分支电极184向右下方向延伸。因此，在第二畴区域dm2中，液晶分子lc可以被控制为向左上方向倾斜。

在第三畴区域dm3中，第一主干电极181和第二主干电极182沿着第三畴区域dm3的右侧和下侧布置，并且分支电极184向左上方向延伸。因此，在第三畴区域dm3中，液晶分子lc可以被控制为向右下方向倾斜。

在第四畴区域dm4中，第一主干电极181沿着第四畴区域dm4的下侧布置，并且第一狭缝sl1布置在第四畴区域dm4的左侧上，并且分支电极184向左上方向延伸。因此，在第四畴区域dm4中，液晶分子lc可以被控制为向右下方向倾斜。

在第五畴区域dm5中，第一主干电极181和第二主干电极182沿着第五畴区域dm5的右侧和上侧布置，并且分支电极184向左下方向延伸。因此，在第五畴区域dm5中，液晶分子lc可以被控制为向右上方向倾斜。

在第六畴区域dm6中，第一主干电极181沿着第六畴区域dm6的上侧布置，并且第一狭缝sl1布置在第六畴区域dm6的左侧上，并且分支电极184向左下方向延伸。因此，在第六畴区域dm6中，液晶分子lc可以被控制为向右上方向倾斜。

边缘电极185可以从第一主干电极181、第二主干电极182和第三主干电极183沿着有源区域aa的未布置第三主干电极183的一侧延伸。此外，边缘电极185可以与分支电极184间隔开，以便不连接到分支电极184。

边缘电极185可以控制液晶分子lc在分支电极184的末端处有规律地倾斜。也就是说，边缘电极185可以最小化在分支电极184的末端处形成的纹理。

延伸电极186延伸超出有源区域aa，并且布置为与接触孔cnt重叠。延伸电极186可以经由接触孔cnt物理地连接到漏极电极166，并且可以提供有数据电压。提供给延伸电极186的数据电压可以经由延伸电极186传输到像素电极180的第一主干电极181、第二主干电极182和第三主干电极183、分支电极184以及边缘电极185。

由于像素电极180的结构，通过控制第一畴区域dm1、第二畴区域dm2、第三畴区域dm3、第四畴区域dm4、第五畴区域dm5和第六畴区域dm6中的每一个畴区域中的液晶分子lc，可以改善根据本公开的示例性实施例的lcd设备的可视性。此外，由于第一数据线162和第二数据线163的设置，可以改善根据本公开的示例性实施例的lcd设备的透射率。

具体地，第一数据线162和第二数据线163沿着第二方向d2延伸，并且由不透明的金属材料形成。因此，第一数据线162和第二数据线163可以阻挡光的透射。类似地，第二主干电极182和第一狭缝sl1沿着第二方向d2延伸，并且可以沿着液晶分子lc相互碰撞的边界布置。因此，第二主干电极182和第一狭缝sl1也可以阻挡光的透射。然而，由于第一数据线162和第二数据线163被设置为与第二主干电极182和第一狭缝sl1重叠，因此可以最小化光的透射被阻挡的区域。因此，可以改善根据本公开的示例性实施例的lcd设备的透射率。

显然，可以对像素电极180的结构进行各种修改。例如，可以改变第二主干电极182和第一狭缝sl1的位置，并且结果是，液晶分子lc在第一畴区域dm1、第二畴区域dm2、第三畴区域dm3、第四畴区域dm4、第五畴区域dm5和第六畴区域dm6中的每一个畴区域中的倾斜方向可以被改变。即使在这种情况下，在第一畴区域dm1、第二畴区域dm2、第三畴区域dm3、第四畴区域dm4、第五畴区域dm5和第六畴区域dm6中也可以均匀地维持在相同方向上倾斜的液晶分子lc的数量。

第一取向膜(未图示)可以另外布置在像素电极180上。第一取向膜可以控制注入到液晶层200中的液晶分子lc的初始取向角。

下文中将描述第二显示基板300。

第二显示基板300可以包括第二基底基板310、遮光构件320、覆盖层330和公共电极340。

第二基底基板310布置为面对第一基底基板110。第二基底基板310可以是足够耐用的，以承受外部冲击。第二基底基板310可以是透明绝缘基板。例如，第二基底基板310可以是玻璃基板、石英基板或透明树脂基板。第二基底基板310可以具有平板的形状，或者可以在特定方向上弯曲。

遮光构件320布置在第二基底基板310的面对第一显示基板100的表面上。遮光构件320可以布置为与栅极线122、第一数据线162、第二数据线163、tft167和接触孔cnt重叠，并且可以阻挡光的透射。

覆盖层330布置在遮光部件320的面对第一显示基板100的表面上。覆盖层330可以减小由遮光构件320形成的任何高度差。在一些示例性实施例中，可以不提供覆盖层330。

公共电极340布置在覆盖层330的面对第一显示基板100的表面上。

公共电极340可以由诸如ito、izo、itzo或azo的透明导电材料形成。

公共电极340可以作为板在第二基底基板310的整个表面上形成。由外部源提供的公共电压可以提供给公共电极340，并且因此，公共电极340可以与像素电极180一起在液晶层200中形成电场。

公共电压可以由外部源提供，并且公共电压的电平可以在根据本公开的示例性实施例的lcd设备的操作期间被均匀地维持。因此，由于提供给像素电极180的数据电压与提供给公共电极340的公共电压之间的差，所以在像素电极180与公共电极340之间的空间中可以形成电场，像素电极180和公共电极340被布置为彼此重叠。由于该电场，因此液晶分子lc可以旋转或倾斜。

第二取向膜(未图示)可以布置在公共电极340的面对第一显示基板100的表面上。与第一取向膜一样，第二取向膜可以控制注入到液晶层200中的液晶分子lc的初始取向角。

下文中将描述液晶层200。

液晶层200包括液晶分子lc，液晶分子lc具有介电各向异性和折射各向异性。在液晶层200中没有电场的情况下，液晶分子lc可以相对于第一显示基板100和第二显示基板300在垂直方向上取向。响应于在第一显示基板100与第二显示基板300之间形成电场，液晶分子lc可以在第一显示基板100与第二显示基板300之间在特定方向上旋转或倾斜，从而改变光的偏振。

图5是根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的像素的像素电极的布局图。

上面已经参照图1至图4描述的元件和附图标记的描述将被省略，并且下文中将描述图5的示例性实施例，主要集中在与图1至图4的示例性实施例的不同之处。

参照图5，像素电极180包括第一主干电极181、第二主干电极182、第三主干电极183、分支电极184、边缘电极185、延伸电极186和辅助电极187。图5的像素电极180与图1至图4的像素电极180不同，因为它进一步包括辅助电极187。

辅助电极187可以沿着第二方向d2延伸，并且可以布置为与第一狭缝sl1重叠。辅助电极187可以控制液晶分子lc有规律地倾斜，以便使由于液晶分子lc在第一狭缝sl1处偏离而可能形成的纹理的尺寸最小化。因此，可以改善根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的透射率。

图6是根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的像素的像素电极的布局图。

参照图6，像素电极180包括第一主干电极181、第二主干电极182、第三主干电极183、分支电极184和延伸电极186。图6的像素电极180与图1至图4的像素电极180不同，因为它不包括图3的边缘电极185。

图7是根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的像素的像素电极的布局图。

参照图7，像素电极180包括第一主干电极181、第二主干电极182、第三主干电极183、分支电极184、延伸电极186和辅助电极187。图7的像素电极180与图6的像素电极180不同，因为它包括辅助电极187。

图8是根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的像素的布局图。

参考图8，像素10包括第一数据线162。图8的像素10与图1至图4的像素10不同，因为它不包括图1的第二数据线163。也就是说，图8的像素10仅包括用于提供数据电压的一条导线。

图9是根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的像素的布局图。

参考图9，像素10包括第一数据线162，但不包括图1的第二数据线163。图9的像素10与图1至图4的像素10不同，因为它不包括图1的第二数据线163。图9的像素10还与图1至图4的像素10不同，因为第一数据线162布置在有源区域aa外，并且不与像素电极180重叠。

图10是根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备中包括的两个相邻像素电极的布局图。

图10图示在第一方向d1上并排布置的两个任意像素，即第一像素10_1和第二像素10_2。第一像素10_1包括第一像素电极180_1，并且第二像素10_2包括第二像素电极180_2。第一像素10_1和第二像素10_2的结构可以与图1至图4的像素10的结构基本相同。

参照图10，第一像素10_1包括第一有源区域aa_1，并且第二像素10_2包括第二有源区域aa_2。

第一有源区域aa_1包括第一畴区域dm1_1、第三畴区域dm3_1和第四畴区域dm4_1。第二有源区域aa_2包括第二畴区域dm2_2、第五畴区域dm5_2和第六畴区域dm6_2。与在图1至图4的第一畴区域dm1、第二畴区域dm2、第三畴区域dm3、第四畴区域dm4、第五畴区域dm5和第六畴区域dm6中一样，可以控制液晶分子lc在第一畴区域dm1_1、第二畴区域dm2_2、第三畴区域dm3_1、第四畴区域dm4_1、第五畴区域dm5_2和第六畴区域dm6_2中在相同方向上倾斜。

也就是说，通过使用彼此相邻的第一像素10_1和第二像素10_2，可以控制液晶分子lc在第一畴区域dm1_1、第二畴区域dm2_2、第三畴区域dm3_1、第四畴区域dm4_1、第五畴区域dm5_2和第六畴区域dm6_2中的每一个畴区域中的倾斜方向为均匀，并且结果是，可以改善根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的可视性。与在图1至图4的像素10中不同，在第一像素10_1和第二像素10_2中未提供第一主干电极181，并且结果是，可以进一步改善根据本公开的另一示例性实施例的lcd设备的透射率。