阵列基板、阵列基板制作方法及液晶显示面板与流程

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板。

背景技术：

液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)是目前应用最为广泛的显示装置之一，其工作原理是通过像素电极和公共电极共同形成的电场的变化来实现对液晶分子偏转的控制，进而达到显示效果。

液晶显示器中的公共电极是整面覆盖型的电极，其通过在液晶显示器的边缘区域或非显示区域接收电压信号，然后传递至整个显示面。电压信号在公共电极上传递过程中由于受到公共电极自身阻抗的作用而产生损耗，造成电压分布不均匀，进而影响显示的均一性，这种问题在大尺寸液晶显示器的显示中尤为突出。

现有技术解决这一问题的方法是在液晶显示器的栅极走线层设置与栅极走线并排的公共走线，并将公共走线电性连接至公共电极，通过公共走线对公共电极的靠近中间的区域进行电压补充，以保证公共电极上的电压分布均衡。但是，同层且并排设置的栅极走线和公共走线在制造过程中会存在较多问题。参考图1所示，设置于基底01上的栅极走线03和公共走线02均为贯穿显示区的长条形走线，其制作过程是在基底01上沉积金属层，然后对金属层进行曝光、显影和刻蚀制程后形成栅极走线03和公共走线02。由于栅极走线03和公共走线02均为长条形走线，经显影制程后会在金属层上形成并排的两条长条状光刻胶04；刻蚀制程后，刻蚀液05会存积于相邻两条光刻胶04之间，而无法及时去除，造成刻蚀液05对两侧金属层的过度刻蚀，进而使形成的栅极走线03和公共走线02过细或出现断线问题，严重影响产品良率。

技术实现要素：

基于上述现有技术中存在的不足，本申请提供一种阵列基板、阵列基板制作方法及液晶显示面板，通过在栅极走线的同层设置不连续线段状的第一公共走线，在源漏极走线的同层设置第二公共走线，利用第一公共走线和第二公共走线对公共电极进行电压补充，不连续线段状的第一公共走线的设置，解决了公共走线与栅极走线之间容易存积刻蚀液而导致公共走线和栅极走线过细或断线的问题。

本申请提供一种阵列基板，包括：

阵列层，包括栅极走线和设置于所述栅极走线上的源漏极走线，所述阵列层还包括与所述栅极走线同层设置的第一公共走线、以及与所述源漏极走线同层设置的第二公共走线，所述第二公共走线与所述第一公共走线电性连接，所述第一公共走线为不连续线段；以及

公共电极，设置于所述阵列层上，与所述第二公共走线电性连接。

根据本申请一实施例，所述第二公共走线上设置有断口，位于所述断口两侧的所述第二公共走线与同一条所述第一公共走线分别电性连接。

根据本申请一实施例，所述源漏极走线与所述第二公共走线在所述断口处相交，且所述源漏极走线与所述第二公共走线彼此绝缘。

根据本申请一实施例，沿所述第二公共走线的延伸方向设置有多个不连续的所述第一公共走线，所述第二公共走线对应每个所述第一公共走线的位置均设置有所述断口，且位于所述断口两侧的所述第二公共走线与同一条所述第一公共走线分别电性连接。

根据本申请一实施例，所述阵列基板的两侧设置有公共走线端，所述第二公共走线的两端连接至所述公共走线端。

根据本申请一实施例，所述阵列基板还包括设置于所述公共电极上的像素电极，所述像素电极与所述源漏极走线电性连接。

根据本申请一实施例，所述阵列层设置于衬底基板上，所述阵列层包括设置于所述衬底基板上的有源层、覆盖所述有源层的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的所述栅极走线和所述第一公共走线、覆盖所述栅极走线和所述第一公共走线的层间绝缘层、以及设置于所述层间绝缘层上的源漏极走线和所述第二公共走线，所述第二公共走线通过所述层间绝缘层上的过孔与所述第一公共走线电性连接，所述源漏极走线通过所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上的过孔与所述有源层电性连接；

所述阵列层与所述公共电极之间设置有平坦层，所述公共电极通过所述平坦层上的过孔与所述第二公共走线电性连接；

所述公共电极与所述像素电极之间设置有钝化层，所述像素电极通过钝化层及所述平坦层上的过孔与所述源漏极走线电性连接。

本申请还提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

制作同层设置的第一公共走线和栅极走线，使所述第一公共走线形成不连续的线段状；

在所述第一公共走线和所述栅极走线上层制作同层设置的第二公共走线和源漏极走线，使所述第二公共走线与所述第一公共走线形成电性连接；

在所述第二公共走线和所述栅极走线上层制作公共电极，使所述公共电极与所述第二公共走线形成电性连接。

根据本申请一实施例，制作所述第一公共走线和所述栅极走线的步骤包括：制作第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成所述第一公共走线和所述栅极走线；

制作所述第二公共走线和所述源漏极走线的步骤包括：制作第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，形成所述第二公共走线和所述源漏极走线。

根据本申请一实施例，制作形成的所述第二公共走线上设置有断口，位于所述断口两侧的所述第二公共走线与同一条所述第一公共走线分别电性连接；所述源漏极走线与所述第二公共走线在所述断口处相交，且所述源漏极走线与所述第二公共走线彼此绝缘。

根据本申请一实施例，所述阵列基板的制作方法还包括以下步骤：

在所述公共电极的上层制作像素电极，并使所述像素电极与所述源漏极走线电性连接。

本申请还提供一种液晶显示面板，包括：

如上所述的阵列基板，或如上所述的阵列基板制作方法制作而成的阵列基板；

与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；以及

设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。

本申请的有益效果是：本申请实施例提供的阵列基板、阵列基板制作方法及液晶显示面板，将与栅极走线同层的第一公共走线设置为不连续线段状，并与第二公共走线电性连接，进而对公共电极进行电压补充，保证了公共电极的电压分布均衡；同时不连续线段状的第一公共走线与栅极走线之间存在较多供刻蚀液流通的开口，因而在刻蚀操作完成后，刻蚀液更加容易被去除，防止因刻蚀液存积而导致第一公共走线和栅极走线过细或断线。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中制作阵列基板时刻蚀液在公共走线和栅极走线之间积存的示意图；

图2是本申请实施例提供的阵列基板的平面透视结构示意图；

图3是本申请实施例提供的阵列基板的截面结构示意图；

图4是本申请实施例提供的阵列基板制作方法流程图；

图5是本申请实施例提供的阵列基板制作方法中制作完成第一金属层后的结构示意图；

图6是本申请实施例提供的阵列基板制作方法中对第一金属层图案化后的结构示意图；

图7是本申请实施例提供的阵列基板制作方法中制作完成第二金属层后的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的阵列基板制作方法中对第二金属层图案化后的结构示意图；

图9是本申请实施例提供的阵列基板制作方法制得的阵列基板结构示意图；

图10是本申请实施例提供的液晶显示面板结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括与栅极走线同层设置的不连续线段状的第一公共走线，以及与源漏极走线同层设置的第二公共走线，利用所述第一公共走线和所述第二公共走线对公共电极进行电压补充；不连续线段状的所述第一公共走线与所述栅极走线之间存在较多供刻蚀液流通的开口，从而在刻蚀操作完成后，存在于所述第一公共走线和所述栅极走线之间的刻蚀液容易被去除，防止出现因刻蚀液存积而导致的第一公共走线和栅极走线过细或断线的问题。

如图2和图3所示，其中图2是本申请实施例提供的阵列基板的平面透视结构示意图，图3是本申请实施例提供的阵列基板的截面结构示意图。所述阵列基板10包括阵列层13以及设置于所述阵列层13上的公共电极15。可选地，所述阵列基板10还可以包括衬底基板11、设置于所述衬底基板11上的缓冲层12、设置于所述阵列层13与所述公共电极15之间的平坦层14、设置于所述公共电极15上的钝化层16、以及设置于所述钝化层16上的像素电极17。

需要说明的是，本申请中，关于“一个元素设置在另一个元素上”的描述，仅用于说明两个元素之间的相对位置关系，这两个元素之间可以设置有其它元素，也可以不设置其它元素。

所述衬底基板11可以是硬质基板，也可以是柔性基板；当所述衬底基板11是硬质基板时，其可以选用玻璃等硬质材料制作；所述衬底基板11为柔性基板时，其可以选用聚酰亚胺等柔性材料制作。

所述缓冲层12设置于所述衬底基板11上，用于平衡所述衬底基板11与所述阵列层13之间的性能差异。所述缓冲层12靠近所述衬底基板11的一侧，或靠近所述阵列层13的一侧设置有遮光层121，用于遮挡射向所述阵列层13中的有源层132的光线。

所述阵列层13包括栅极走线133和设置于所述栅极走线133上的源漏极走线136，所述阵列层13还包括与所述栅极走线133同层设置的第一公共走线134、以及与所述源漏极走线136同层设置的第二公共走线137。可选地，所述阵列层13还包括有源层132、栅极绝缘层131、以及层间绝缘层135。所述有源层132设置于所述缓冲层12上，所述有源层132由半导体材料制作而成，例如可以是金属氧化物半导体或低温多晶硅半导体，所述有源层132的两端分别通过离子掺杂工艺形成源极和漏极，所述有源层132的中间区域形成连接源极和漏极的沟道区；所述栅极绝缘层131设置于所述缓冲层12上且覆盖所述有源层132，所述栅极绝缘层131可以由氮化硅、氧化硅等陶瓷材料制作；所述栅极走线133和所述第一公共走线134设置于所述栅极绝缘层131上；所述层间绝缘层135设置于所述栅极绝缘层131上且覆盖所述栅极走线133和所述第一公共走线134，所述层间绝缘层135可以由氮化硅、氧化硅等陶瓷材料制作；所述源漏极走线136和所述第二公共走线137设置于所述层间绝缘层135上，所述源漏极走线136通过所述层间绝缘层135和所述栅极绝缘层131上的过孔与所述有源层132的源极和漏极电性连接，所述第二公共走线137通过所述层间绝缘层135上的过孔与所述第一公共走线134电性连接。

如图2所示，所述第一公共走线134为不连续线段，在与所述栅极走线133的延伸方向一致的方向上，并排设置有多个不连续线段状的所述第一公共走线134。可选地，并排设置的多个所述第一公共走线134与所述栅极走线133平行。需要说明的是，在本实施例中，与所述栅极走线133并排设置的所述第一公共走线134均为不连续线段状，相邻两个所述第一公共走线134线段之间存在开口区域，在通过刻蚀工艺制作所述第一公共走线134和所述栅极走线133时，刻蚀液容易通过该开口区域去除，避免了刻蚀液在所述第一公共走线134和所述栅极走线133之间长时间难以去除而导致的线宽过细或断线的问题。

如图2和图3所示，所述第二公共走线137叠层于所述第一公共走线134的上层，沿所述第二公共走线137的延伸方向存在多个不连续的所述第一公共走线134线段，所述第二公共走线137对应每个所述第一公共走线134的位置均设置有断口137a，且位于所述断口137a两侧的所述第二公共走线137与同一条所述第一公共走线134分别电性连接，从而使位于所述断口137a两侧的所述第二公共走线137产生电性连接，形成所述第一公共走线134与所述第二公共走线137的跨层桥连结构。

进一步地，所述源漏极走线136与所述第二公共走线137在所述断口137a处相交，且与所述断口137a两侧的所述第二公共走线137之间不存电性连接，形成所述第二公共走线137与所述源漏极走线136彼此电性绝缘的布线结构。可选地，所述源漏极走线136与所述第二公共走线137垂直设置，且垂直相交的交点位于所述断口137a处。需要说明的是，所述栅极走线133与所述源漏极走线136在所述阵列基板10上围成多个格子区，每一个格子区对应所述阵列基板10上的一个子像素区。

如图2所示，所述阵列基板10的两侧分别设置有公共走线端101，所述第二公共走线137的两端分别电性连接至所述阵列基板10两侧的所述公共走线端101上。需要说明的是，所述公共走线端101用于向所述第二公共走线137传输公共电压信号；在所述第一公共走线134的电性连接作用下，所述公共电压信号在整条所述第二公共走线137上传输，并进一步传输至所述公共电极15(参考图2和图3)，以保证所述公共电极15上的电压分布均衡。

所述阵列基板10的一侧还设置有数据信号控制端102，所述数据信号控制端102通过扇出走线103与所述源漏极走线136电性连接，用于向所述源漏极走线136传输数据信号，该数据信号进一步传输至所述像素电极17上(参考图2和图3所示)，以调控所述像素电极17的电压状态。

如图3所示，所述公共电极15通过所述平坦层14上的过孔与所述第二公共走线137电性连接，从而保证所述第二公共走线137上的电压信号可以传输至所述公共电极15。可选地，每条所述第二公共走线137与所述公共电极15之间均存在多个电性连接点，使所述第二公共走线137传输的公共电压信号均匀地分布于所述公共电极15上，保证所述公共电极15上的电压分布均衡。

所述像素电极17通过所述钝化层16上的过孔和所述平坦层14上的过孔与所述源漏极走线136电性连接，且所述像素电极17与所述公共电极15之间保持电性绝缘，所述像素电极17接收所述源漏极走线136传输的数据信号而产生电场作用。需要说明的是，所述阵列基板10应用于液晶显示面板中时，所述公共电极15和所述像素电极17分别产生电场作用，液晶显示面板中的液晶在两电场作用下产生偏转以调整显示灰阶，进而使所述液晶显示面板产生不同画面。

综上所述，本申请实施例提供的阵列基板包括与栅极走线同层设置的不连续线段状的第一公共走线，以及与源漏极走线同层设置的第二公共走线，利用所述第一公共走线和所述第二公共走线对公共电极进行电压补充，保证公共电极电压分布均衡；不连续线段状的所述第一公共走线与所述栅极走线之间存在较多供刻蚀液流通的开口，从而在刻蚀操作完成后，存在于所述第一公共走线和所述栅极走线之间的刻蚀液容易被去除，防止出现因刻蚀液存积而导致的第一公共走线和栅极走线过细或断线的问题。

本申请实施例还提供一种阵列基板的制作方法，如图4所示，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：

步骤s1、如图6所示，制作同层设置的第一公共走线134和栅极走线133，使所述第一公共走线134形成不连续的线段状。具体包括以下步骤：

提供一基底；可选地，所述基底包括衬底基板11、设置于所述衬底基板11上的遮光层121、设置于所述衬底基板11上并覆盖所述遮光层121的缓冲层12、设置于所述缓冲层12上的有源层132、以及设置于所述有源层132上的栅极绝缘层131，其中，所述遮光层121用于遮挡射向所述有源层132的光线。

如图5所示，在所述基底上制作第一金属层m1；可选地，制作所述第一金属层m1的方法可以是气相沉积法或喷涂法。

如图6所示，对所述第一金属层m1进行图案化处理，形成所述第一公共走线134和所述栅极走线133，所述第一公共走线134为不连续线段状；可选地，对所述第一金属层m1进行图案化制程操作包括：涂布光刻胶、对光刻胶进行曝光和显影、以及对所述第一金属层m1进行图案化刻蚀。需要说明的是，本实施例制作形成的所述第一公共走线134为不连续线段状，因此相邻两个所述第一公共走线134线段之间形成开口区域，在使用刻蚀液对所述第一金属层m1刻蚀完成后，刻蚀液容易通过该开口区域去除，避免了刻蚀液在所述第一公共走线134和所述栅极走线133之间长时间难以去除而导致的线宽过细或断线的问题。

步骤s2、如图8所示，在所述第一公共走线134和所述栅极走线133上层制作同层设置的第二公共走线137和源漏极走线136，使所述第二公共走线137与所述第一公共走线134形成电性连接。具体包括以下步骤：

制作所述第二公共走线137和所述源漏极走线136之前，首先制作覆盖所述第一公共走线134和所述栅极走线133的层间绝缘层135，所述层间绝缘层135可以由氮化硅、氧化硅等陶瓷材料通过化学气相沉积工艺制作而成。

如图7所示，在所述层间绝缘层135上制作第二金属层m2，使所述第二金属层m2通过所述层间绝缘层135上的过孔与所述第一公共走线134电性连接，并通过所述层间绝缘层135和所述栅极绝缘层131上的过孔与所述有源层132电性连接；可选地，制作所述第二金属层m2的方法可以是气相沉积法或喷涂法。

如图8所示，对所述第二金属层m2进行图案化处理，形成所述第二公共走线137和所述源漏极走线136。可选地，对所述第二金属层m2进行图案化制程操作包括：涂布光刻胶、对光刻胶进行曝光和显影、以及对所述第二金属层m2进行图案化刻蚀。制作形成的所述第二公共走线137的对应每个所述第一公共走线134的位置均存在断口137a，且位于所述断口137a两侧的所述第二公共走线137与同一条所述第一公共走线134分别电性连接，从而使位于所述断口137a两侧的所述第二公共走线137产生电性连接，形成所述第一公共走线134与所述第二公共走线137的跨层桥连结构。形成的所述源漏极走线136与所述第二公共走线137在所述断口137a处相交，且所述第二公共走线137与所述源漏极走线136之间保持电性绝缘。

步骤s3、如图9所示，在所述第二公共走线137和所述栅极走线136上层制作公共电极15，使所述公共电极15与所述第二公共走线137形成电性连接。具体地，在制作所述公共电极15之前，还包括制作覆盖所述第二公共走线137和所述源漏极走线136的平坦层14，所述公共电极15通过所述平坦层14上的过孔与所述第二公共走线137电性连接。应当理解的是，利用所述第二公共走线137和所述第一公共走线134组成的公共电压传输线路向所述公共电极15传输公共电压，有利于所述公共电极15上的电压分布均衡。

可选地，所述阵列基板制作方法还包括：在所述公共电极15上制作钝化层16、以及在所述钝化层16上制作像素电极17，并使所述像素电极17与所述源漏极走线136电性连接。

综上所述，本申请实施例提供的阵列基板制作方法，制作形成的第一公共走线为不连续线段状，使第一公共走线与栅极走线之间存在较多供刻蚀液流通的开口，从而在刻蚀操作完成后，存在于所述第一公共走线和所述栅极走线之间的刻蚀液容易被去除，防止出现因刻蚀液存积而导致的第一公共走线和栅极走线过细或断线的问题，提高阵列基板的生产良率。

本申请实施例还提供一种液晶显示面板，如图10所示，所述液晶显示面板包括阵列基板10、与所述阵列基板10相对设置的彩膜基板20、以及设置于所述阵列基板10与所述彩膜基板20之间的液晶层30；其中，所述阵列基板10为本申请实施例所提供的阵列基板，或是通过本申请实施例提供的阵列基板制作方法制作而成的阵列基板。需要说明的是，本申请实施例提供的液晶显示面板，克服了制作过程中容易出现的刻蚀液积存而导致的第一公共走线和栅极走线过细或断线的问题，有利于提高生产良率。

需要说明的是，虽然本申请以具体实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。