1.一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，包括：衬底，以及覆盖在所述衬底上的调制层，其特征在于：
所述调制层上通过光刻-镀膜设有介质层和金属纳米圆柱阵列，所述金属纳米圆柱阵列作为电极一，所述调制层上通过镀膜设有电极二，所述调制层为石墨烯层，至少一层所述石墨烯层直接生长或者转移至所述衬底上，所述石墨烯层上施加有垂直方向的直流偏置电压；
所述介质层的材料为光刻胶，所述光刻胶通过旋涂机旋涂于调制层的上方，形成一层均匀的光刻胶薄膜，通过二次双光束全息光刻工艺形成所述介质层。
2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，其特征在于：所述金属纳米圆柱阵列的材料为金属铝。
3.根据权利要求2所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，其特征在于：利用镀膜工艺将所述金属铝均匀地沉积于所述介质层的上表面，且完全覆盖并包裹住介质层。
4.根据权利要求3所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，其特征在于：所述金属纳米圆柱阵列按二维阵列排列。
5.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，其特征在于：所述电极二沉积在未被所述纳米圆柱阵列覆盖的所述调制层的上方。
6.根据权利要求5所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，其特征在于：所述电极二的材料为金、银或铜金属。
7.根据权利要求6所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，其特征在于：所述衬底的材料为二氧化硅。
8.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，其特征在于：所述光开关的调制深度定义为：
9.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，其特征在于：所述介质层的厚度为190nm。
10.根据权利要求9所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，其特征在于：所述金属纳米圆柱阵列的周期为250nm，直径为200nm。