闭的状态中，液晶分子220随机排列，液晶分子220和纳米囊230彼此具有不同的折射率各向异性。因此，获得了光学各向同性。
[0153]因此，来自第一偏振片120的线偏振光原样穿过纳米囊液晶层200，且不穿过具有与第一偏振片120的偏振轴相垂直的偏振轴的第二偏振片130。因而显不黑色。
[0154]如图8B中所示，当给像素电极124和公共电极136施加电压时，液晶分子220垂直于像素电极124和公共电极136之间的电场排列。
[0155]因此，纳米囊液晶层200具有光学各向异性。
[0156]因此,来自背光单兀160的散射光进入第一偏振片120,从而出射线偏振光且其他部分的光被吸收，之后，在从第一偏振片120出射的线偏振光之中与液晶分子220平行的线偏振光穿过液晶层200。
[0157]之后，穿过液晶层200的线偏振光被相位延迟膜170修改为圆偏振光(circularlypolarized light),然后圆偏振光在穿过第二偏振片130时被修改为与第二偏振片130的偏振轴平行的线偏振光。因而显示白色。
[0158]在这点上，因为第二个实施方式的IXD 100包括第二基板114与第二偏振片130之间的相位延迟膜170，所以能够减小或防止光泄露，并能够减小或防止亮度和图像的不均匀性。
[0159]更详细地说，随机排列的负型液晶分子220在液晶分子220垂直于像素电极124和公共电极136之间产生的电场而排列的步骤中彼此抵触而没有方向性。
[0160]由于液晶分子220之间的这种抵触，液晶分子220不是彼此平行排列，这导致光泄露。此外，这种光泄露导致亮度和图像的不均匀性。
[0161]然而，根据第二个实施方式中位于第二基板114与第二偏振片130之间的相位延迟膜170，来自纳米囊液晶层200的线偏振光被修改为圆偏振光，之后该圆偏振光进入第二偏振片130。因此能够减小或防止光泄露，并能够减小或防止亮度和图像的不均匀性。
[0162]如上所述，能够改善响应时间，并能够去除形成定向层的工艺、形成盒间隙(cellgap)的工艺、形成密封图案的工艺，因而能够提高生产效率。
[0163]此外，IXD 100能够应用于触摸显示装置、弯曲式显示装置或柔性显示装置。
[0164]特别是，通过在第二基板114与第二偏振片130之间设置相位延迟膜170，线偏振光被相位延迟膜170修改为圆偏振光，之后该圆偏振光进入第二偏振片130。因此，能够减小或防止光泄露。因而，能够减小或防止由于这种光泄露导致的亮度和图像的不均匀性。
[0165]第二个实施方式的IXD 100可选择地配置成具有COT(晶体管上滤色器(colorfilter on transistor))结构,如图9中所示,其中薄膜晶体管T和滤色器134—起形成在第一基板112上。
[0166]在该情形中，参照图3和9，黑矩阵形成在位于薄膜晶体管T上的钝化层上并具有格子形状。红色、绿色和蓝色滤色器形成在黑矩阵上并填充各个像素区域P中的黑矩阵的格子的开口。像素电极124形成在滤色器上，并且公共电极136形成在第二基板114上并面对像素电极124，在公共电极136和像素电极124之间有纳米囊液晶层。
[0167]可选择地，如图10中所示，COT型IXD可配置成不具有第二基板，在该情形中，公共电极136可形成在相位延迟膜170的内表面上。
[0168]第三个实施方式
[0169]图1lA是图解根据本发明第三个实施方式的LCD的示意图。可省略与第一和第二个实施方式的部分类似部分的说明。
[0170]参照图11A，第三个实施方式的IXD(图3的100)包括液晶面板110和背光单元160。
[0171]液晶面板110包括彼此面对的第一和第二基板112和114、纳米囊液晶层200、以及分别位于第一和第二基板112和114的外表面上的第一和第二偏振片120和130。
[0172]液晶面板110可以是垂直定向(VA)模式液晶面板。在第一基板112的内表面上形成薄膜晶体管(图3的T)和像素电极124。在第二基板114的内表面上形成黑矩阵(图3的132)、滤色器134和公共电极136。可形成覆盖黑矩阵132和滤色器134的覆盖层。
[0173]像素电极124和公共电极136分别具有第一和第二狭缝(slit) 180a和180b。
[0174]换句话说，像素电极124彼此间隔开以形成第一狭缝180a，类似地，公共电极136彼此间隔开以形成第二狭缝180b。
[0175]第一狭缝180a具有比像素电极124的宽度小得多的宽度。换句话说，像素电极124的宽度是第一狭缝180a的宽度的几倍到几十倍。
[0176]第一和第二狭缝180a和180b交替设置。优选的是，每个第一狭缝180a设置成对应于相邻第二狭缝180b之间的相应公共电极136的中央部处，并且每个第二狭缝180b设置成对应于相邻第一狭缝180a之间的相应像素电极124的中央部处。
[0177]因此，当给像素电极124和公共电极136施加电压时，实现了从垂直于第一和第二基板112和114的平面的方向倾斜的边缘电场(fringe electric field)。
[0178]因此，负型液晶分子220垂直于像素电极124和公共电极136之间的边缘电场而排列，垂直于边缘电场的折射率被显现出来。
[0179]因此，纳米囊液晶层200具有光学各向异性。
[0180]因此,来自背光单兀160的散射光进入第一偏振片120,从而出射线偏振光且其他部分的光被吸收，之后，在从第一偏振片120出射的线偏振光之中与液晶分子220平行的线偏振光穿过液晶层200。
[0181]之后，在从纳米囊液晶层200出射的线偏振光之中与第二偏振片130的偏振轴平行的线偏振光穿过第二偏振片130，因而显示白色。
[0182]在这点上，因为第三个实施方式的IXD 100包括分别具有第一狭缝180a和第二狭缝180b的像素电极124和公共电极136并在像素电极124和公共电极136之间产生边缘电场，所以负型液晶分子220垂直于边缘电场而排列。因此，液晶分子220能够更加均匀地平行排列。
[0183]换句话说，由于边缘电场，随机排列的液晶分子220被更容易旋转和排列。
[0184]因此，能够减小或防止在液晶分子220垂直排列的步骤中由于液晶分子之间的抵触而导致的液晶分子220的歪斜排列，因而能够减小或防止由于歪斜排列导致的光泄露。
[0185]此外，能够改善IXD 100的透射率。
[0186]此外，因为液晶分子220垂直于像素电极124和公共电极136之间的边缘电场而排列，所以更容易进行旋转，因而改善了响应时间。
[0187]如上所述，能够改善响应时间，并能够去除形成定向层的工艺、形成盒间隙的工艺、形成密封图案的工艺，因而能够提高生产效率。
[0188]此外，IXD 100能够应用于触摸显示装置、弯曲式显示装置或柔性显示装置。
[0189]特别是，因为像素电极124和公共电极136配置成分别具有第一狭缝180a和第二狭缝180b并在像素电极124和公共电极136之间产生边缘电场，所以负型液晶分子220垂直于边缘电场彼此平行排列，因而能够减小或防止光泄露。
[0190]因而，能够减小或防止由于光泄露导致的亮度和图像的不均匀性。
[0191]因为液晶分子220具有与第二狭缝180b对应的实质上均匀且一致的排列，所以当第二狭缝180b配置成在像素区域P中具有垂直对称的弯折形状(bent shape)时，如图1lB中所示，能够在每个像素区域P中获得位于上侧、下侧、左侧和右侧处的四个不同畴(domain)。在该情形中，第二狭缝180b在像素区域P的中央部处弯折，并且第一狭缝180a像第二狭缝180b —样弯折。
[0192]可选择地，尽管图中未示出，但当多个第二狭缝180b配置成设置在像素区域中并弯折成垂直对称时，可在每个像素区域P中形成四倍于多个第二狭缝180b数量的多个畴。_3] 第四个实施方式
[0194]图12A是图解根据本发明第四个实施方式的LCD的示意图。可省略与上述第一到第三个实施方式的部分类似部分的说明。
[0195]参照图12A，第四个实施方式的IXD(图3的100)包括液晶面板110和背光单元160。
[0196]液晶面板110包括彼此面对的第一和第二基板112和114、纳米囊液晶层200、以及分别位于第一和第二基板112和114的外表面上的第一和第二偏振片120和130。
[0197]液晶面板110可以是垂直定向(VA)模式液晶面板。在第一基板112的内表面上形成薄膜晶体管(图3的T)和像素电极124。在第二基板114的内表面上形成黑矩阵(图3的132)、滤色器134和公共电极136。可形成覆盖黑矩阵132和滤色器134的覆盖层。
[0198]像素电极124具有像素狭缝190a，并且在公共电极136上形成有公共突起190b。
[0199]换句话说，像素电极124彼此间隔开以形成像素狭缝190a，而公共突起190b在公共电极136上彼此间隔开。
[0200]公共突起190b可以具有三角形剖面。可选择地，公共突起190b可具有其他形状剖面，例如半圆形或半椭圆形。
[0201]在平面图中，公共突起190b和像素狭缝190a在像素区域中交替布置且彼此平行，且在剖面图中，公共突起190b和像素狭缝190a以Z字形式交替布置，其间有液晶层200。
[0202]换句话说，像素狭缝190a设置成与位于相邻公共突起190b之间的分离区域对应，并且每个公共突起190b设置成对应于相邻像素狭缝190a之间的相应像素电极124的中央部处。
[0203]因此，当给像素电极124和公共电极136施加电压时，实现了从垂直于第一和第二基板112和114的平面的方向倾斜的边缘电场。
[0204]因此，负型液晶分子220垂直于像素电极124和公共电极136之间的边缘电场而排列，垂直于边缘电场的折射率被显现出来。
[0205]因此，纳米囊液晶层200具有光学各向异性。
[0206]因此，来自背光单元160的散射光进入第一偏振片120，从而出射线偏振光且其他部分的光被吸收，之后，在从第一偏振片120出射的线偏振光之中与液晶分子220平行的线偏振光穿过液晶层200。
[0207]之后，在从纳米囊液晶层200出射的线偏振光之中与第二偏振片130的偏振轴平行的线偏振光穿过第二偏振片130，因而显示白色。
[0208]在这点上，因为第四个实施方式的IXD 100包括分别具有像素狭缝190a和公共突起190b的像素电极124和公共电极136并在像素电极124和公共电极136之间产生边缘电场，所以负型液晶分子220垂直于边缘电场而排列。因此，液晶分子220能够更加均匀地平行排列。
[0209]换句话说，由于边缘电场，随机排列的液晶分子220更容易被旋转和排列。
[0210]因此，能够减小或防止在液晶分子220垂直排列的步骤中由于液晶分子之间的抵触而导致的液晶分子220的歪斜排列，因而能够减小或防止由于歪斜排列导致的光泄露。
[0211]此外，能够改善IXD 100的透射率。
[0212]此外，因为液晶分子220垂直于像素电极124和公共电极136之间的边缘电场而排列，所以更容易进行旋转，因而改善了响应时间。
[0213]如上所述，能够改善响应时间，并能够去除形成定向层的工艺、形成盒间隙的工艺、形成密封图案的工艺，因而能够提高生产效率。
[0214]此外，IXD 100能够应用于触摸显示装置、弯曲式显示装置或柔性显示装置。
[0215]特别是，因为像素电极124和公共电极136配置成分别具有像素狭缝190a和公共突起190b并在像素电极124和公共电极136之间产生边缘电场，所以负型液晶分子220垂直于边缘电场而彼此平行排列，因而能够防止光泄露。
[0216]因而，能够减小或防止由于光泄露导致的亮度和图像的不均匀性。
[0217]因为液晶分子220具有与公共突起190b对应的实质上均匀且一致的排列，所以当公共突起190b配置成在像素区域P中具有垂直对称的弯折形状时，如图12B中所示，能够在每个像素区域P中获得位于上侧、下侧、左侧和右侧处的四个不同畴。在该情形中，像素狭缝190a像公共突起190b —样弯折。
[0218]现在将描述的本发明的第五和第六个实施方式涉及反射型LCD。
[0219]第五个实施方式
[0220]图13是图解根据本发明第五个实施方式的IXD的透视图。可省略与上述第一到第四个实施方式的部分类似部分的说明。
[0221]参照图13，IXD 100包括液晶面板110、偏振片130、相位延迟片175和反射片140。使用反射片140的IXD 100称为反射型IXD。
[0222]液晶面板110包括第一基板112、第二基板114、以及位于第一和第二基板112和114之间的纳米囊液晶层200。
[0223]第一基板112被称为下基板或阵列基板。在第一基板112的内表面上多条栅极线116和多条数据线118彼此交叉以界定多个像素区域P。
[0224]在栅极线和数据线116和118的交叉部分附近形成薄膜晶体管T，薄膜晶体管T连接至像素区域P中的像素电极124。
[0225]第二基板114被称为上基板或滤色器基板。在第二基板114的内表面上有黑矩阵132，并且黑矩阵132遮蔽诸如栅极线116、数据线118和薄膜晶体管T这样的非显示元件并暴露像素电极124。黑矩阵132具有包围像素区域P的格子形状。
[0226]红色、绿色和蓝色滤色器134填充对应于各个像素区域P的黑矩阵132的开口。公共电极136覆盖黑矩阵132和滤色器134。
[0227]尽管附图中未示出，但第一基板112具有比第二基板114大的面积，从而第一基板112的外围部分暴露在第二基板114之外。在第一基板112的暴露部分中，形成与各条数据线118连接的数据焊盘118a和与各条栅极线116连接的栅极焊盘(未示出)。
[0228]当栅极线116被选择并被提供有导通栅极信号时，即，被提供有高电平栅极信号时，与被选择的栅极线116连接的薄膜晶体管T导通，图像数据信号通过数据线118被传输给像素电极124。因此，在像素电极124与公共电极136之间产生电场，电场控制纳米囊液晶层200的液晶分子220，因而改变光透射率，从而显示图像。
[0229]偏振片130贴附在第二基板114的外表面上。
[0230]相位延迟片175设置于第二基板114与偏振片130之间。相位延迟片175可以是入/4波片(四分之一波片)。