液晶显示设备的制造方法
【专利说明】液晶显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2013年12月20日提交的韩国专利申请N0.10_2013_0159949的权益，在此通过参考将其并入本文，就如在此全部列出一样。
技术领域
[0003]本发明涉及到一种液晶显示(LCD)设备，更特别地，涉及一种具有用于增强孔径比的双减数据(DRD)像素结构的LCD设备。
【背景技术】
[0004]在LCD设备中，其中形成有电场产生电极的两个基板被设置成使得具有电极形成于其上的表面彼此面对，液晶分子被注入到两个基板之间，电压被施加到电极，液晶分子被电压产生的电场驱动，且基于根据液晶分子移动而改变的透光率显示图像。
[0005]在LCD设备中，依赖于液晶面板的公共电极和像素电极的位置确定每个LCD设备的驱动模式是扭转向列(TN)模式或者面内切换(IPS)模式。特别是，与产生垂直电场的TN模式相比，其中公共电极和像素电极被平行设置在一个基板上以产生横向电场的IPS模式具有更宽的视角。
[0006]目前，已经提出了由IPS模式改进且增加了亮度的先进的高IPS(AH-1PS)模式。在AH-1PS模式中，公共电极和像素电极被交替设置在一个基板上的不同层上以产生边缘场，从而实现超越IPS模式的改善的图像质量特性。
[0007]LCD设备包括液晶面板、用于驱动形成在液晶面板上的多条栅极线的栅极驱动电路、和用于驱动形成在液晶面板中的多条数据线的数据驱动电路。随着LCD设备尺寸变大和分辨率越来越高，驱动电路数目增加。
[0008]但是，由于数据驱动电路较其它元件更加昂贵，因此对减少驱动电路数目的技术进行了研宄和开发以便降低每个LCD设备的制造成本。作为该技术的实例，已经提出了一种双速率驱动(DRD)结构。在DRD结构中，尽管栅极线数目增加两倍，但是数据线数目减少了一半(1/2)，由此驱动电路数目也减少了一半且保持了分辨率。
[0009]以下，将参考图1至3描述具有DRD像素结构的现有技术IXD设备。
[0010]图1是具有DRD像素结构的现有技术LCD设备的等效电路，图2是具有DRD像素结构的现有技术LCD设备的平面图。
[0011]参考图1和2，具有DRD像素结构的现有技术LCD设备包括形成在基板上的两条栅极线GLl和GL2、形成为与栅极线GLl和GL2交叉的数据线DL、和形成在相邻数据线DL之间以与栅极线GLl和GL2交叉的公共电极线CL。
[0012]通过栅极线GLl和GL2、数据线DL和公共电极线CL限定多个像素Pl和P2。
[0013]多个像素Pl和P2中的每一个都耦接到栅极线GLl和GL2以及一条数据线DL。
[0014]这种情况下，耦接到两条栅极线GLl和GL2和一条数据线DL的第一和第二薄膜晶体管(TFT)Trl和Tr2形成在以交替图案形成的两条栅极线GLl和GL2外部。
[0015]具体地，第一和第二 TFT Trl和Tr2设置在彼此分离形成且限定像素区Pl和P2的栅极线GLl和GL2外部。第一 TFT Trl耦接到第一栅极线GLl和第一像素P1，第二 TFTTr2耦接到第二栅极线GL2和第二像素P2。
[0016]连接公共电极线CL和公共电极(未示出)的第一接触孔CHl形成在交替形成的栅极线GLl和GL2之间。连接第一和第二 TFT Trl和Tr2至像素电极PX的第二接触孔CH2形成在交替形成的栅极线GLl和GL2外部。
[0017]这种情况下，为了减少第一和第二接触孔CHl和CH2周围的光泄露，将具有一定长度D的黑矩阵BM形成在面对基板提供的上基板(未示出)上。
[0018]图3是图2的IXD设备的截面图，且是示出在第二接触孔CH2周围发生光泄露的图。
[0019]参考图3，现有技术IXD设备包括顺序形成在基板10上的有源层13、漏极14b、包括暴露出漏极14b的第二接触孔CH2的保护层16、公共电极CX、包括第二接触孔CH2的绝缘层17、经由第二接触孔CH2耦接到漏极14b的像素电极PX、和取向层PI。
[0020]这种情况下，由于形成取向层PI的材料的可流动性，取向层PI向下流到第二接触孔CH2，并且不均匀地形成在第二接触孔CH2附近(见圆形框S)。由于这个原因，发生光泄露。为了防止光泄露，将具有一定长度D的黑矩阵BM形成在面对基板10提供的上基板20上。
[0021]在具有DRD像素结构的现有技术IXD设备中，形成具有一定长度D的黑矩阵BM且其覆盖来自背光(未示出)的光通过的开口，这导致液晶面板透光率下降。
【发明内容】
[0022]因此本公开旨在提供一种基本避免了由于现有技术的限制和缺陷导致的一个或多个问题的LCD设备。
[0023]本公开的一方面旨在提供一种具有改善的DRD像素结构并且增加了液晶面板孔径比的IXD设备。
[0024]在下文的描述中部分列出其他优势和特征，一旦阅读了下文部分优势和特征对于本领域技术人员是显而易见的或者可通过实践本发明获知。通过说明书及其权利要求书和所附附图中特别指出的结构可实现并获得本公开的目的和其他优势。
[0025]为了实现这些和其他优势并且根据本发明的目的，如本文所体现并广泛描述的，提供了一种液晶显示(IXD)设备，包括:在一个方向上在基板上交替形成的多条第一和第二栅极线；配置成与多条第一和第二栅极线垂直交叉以限定多个像素区的多条数据线；形成在相邻数据线之间的公共电极线，该公共电极线配置成与多条第一和第二栅极线垂直交叉且将多个像素区分成第一和第二区域；形成在相应第一栅极线和与该相应第一栅极线相邻的第二栅极线之间的第一和第二薄膜晶体管(TFT)，该第一和第二 TFT每一个都包括栅极、有源层、源极和漏极；保护层，其包括暴露出公共电极线的第一接触孔和暴露出一部分漏极的第二接触孔；形成在保护层上且通过第一接触孔耦接到公共电极线的公共电极；形成在保护层上以覆盖公共电极的绝缘层，该绝缘层包括暴露出一部分漏极的第二接触孔；和形成在绝缘层上的像素电极，该像素电极通过第二接触孔耦接到漏极线。
[0026]形成在第一区域中的像素电极可耦接到相邻的第一 TFT，其中公共电极线介于第一区域中的像素电极和相邻的第一 TFT之间，形成在第二区域中的像素电极可耦接到形成在与该像素电极相同的轴上的第二 TFT。
[0027]形成在第一区域中的像素电极可通过像素连接部分耦接到第一 TFT。
[0028]在第一和第二栅极线之间的多个区域当中，第一接触孔可形成在与两个第二 TFT相邻的区域中。
[0029]第一和第二栅极线形成为直线。
[0030]第二接触孔可形成在第一和第二栅极线之间。
[0031 ] 像素电极可形成为与相邻于该像素电极的第一和第二栅极线交叠。
[0032]公共电极可形成在第一接触孔中以及多个像素区中每一个的整个表面上。
[0033]栅极线、公共电极和像素电极可在第二接触孔的外围区域中顺序形成以彼此交叠，公共电极可形成为在朝向第二接触孔的方向上比栅极线更长。
[0034]公共电极可形成为比栅极线长至少2 μπι。
[0035]应当理解，本发明的上文一般描述和下文具体描述都是示范性和说明性的，且意在提供所要求保护的本发明的进一步解释。
【附图说明】
[0036]给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附图图解了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
[0037]图1是具有DRD像素结构的现有技术LCD设备的等效电路；
[0038]图2是具有DRD像素结构的现有技术LCD设备的平面图；
[0039]图3是图2的IXD设备的截面图；
[0040]图4是根据一个实施例具有DRD像素结构的LCD设备的等效电路；
[0041]图5是示意性示出根据一个实施例的LCD设备的平面图；
[0042]图6是沿着图5的IXD设备的线A-B取得的截面图；和
[0043]图7是沿着图5的IXD设备的线C-D取得的截面图。
【具体实施方式】
[0044]现在将具体参考本发明的示范性实施例，其实例在附图中示出。只要可以，在所有附图使用相同参考数字表示相同或相似部件。
[0045]在说明书中，在每幅图中为元件增加参考数字时，应当注意，只要可以，在其他图中已经用于表示相似元件的相似参考数字仍用于这些元件。
[0046]本说明书中描述的术语应做如下理解。
[0047]如本文中所使用的，单数形式“一”和“该”意在也包括复数形式，除非上下文明确地另外指出。术语“第一”和“第二”用于区分一个元件和另一个元件，这些元件不应受这些术语限制。
[0048]应当进一步理解，当本文中使用时，术语“包括”、“包含”、“含有”、“具有”、“囊括”和/或“有”指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或者添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。
[0049]术语“上”应当被认为包括一个元件形成在另一个元件顶部上的情况和此外第三元件设置在其间的情况。
[0050]以下，将参考附图具体描述本发明的实施例。
[0051]图4是根据一个实施例具有DRD像素结构的LCD设备的等效电路。
[0052]如图4中可见，根据一个实施例具有DRD像素结构的LCD设备包括在一个方向上交替形成为直线的多条第一和第二栅极线GLl和GL2、和与多条第一和第二栅极线GLl和GL2垂直交叉以限定多个像素区的多条数据线DL。
[0053]公共电极线CL与多条第一和第二栅极线GLl和GL2垂直交叉，并且形成在相邻数据线DL之间。而且，公共电极线CL将多个像素区划分成第一和第二区域。
[0054]此处，形成在第一区域中的像素区被称作第一像素区P1，形成在第二区域中的像素区被称作第二像素区P2。
[0055]第一和第二 TFT Trl和Tr2耦接到一条数据线DL和两条栅极线GLl和GL2。
[0056]而且，第一和第二 TFT Trl和Tr2形成在交替形成的两条栅极线GLl和GL2之间。
[0057]形成在第一像素区Pl中的像素电极耦接到相邻的第一 TFT Trl，公共电极线CL介于第一区域中形成的像素电极和相邻的第一 TFT Trl之间，形成在第二像素区P2中的像素电极耦接到与该像素电极形成在相同轴上的第二 TFTTr2。
[0058]这种情况下，通过与公共电极线CL交叉形成的像素连接部分PC将第一 TFT Trl和形成在第一像素区Pl中的像素电极彼此耦接。
[0059]也就是，根据一个实施例的IXD设备使用DRD型，其中使用两条栅极线GLl和GL2和一条数据线DL驱动在像素区Pl