-(Py+b)-d3/2、Yp=-d3/2,且中心变换值为 X=-(Px+a+d2)/2、 Y=(Py+b+d3) /2 ；
[0055] 当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式仅曝光主 体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、 Yp=Py+b+d3/2,且中心变换值为 X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2;第二图形的主 体图形的遮光坐标点为 Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b+d3/2，且中心 变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2;第三图形的主体图形的遮光坐标点 为 Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、Yp=-t-dl-d3/2,且中心变换 值为X= (Px+a+d2) /2、Y= (Py+t+dl+b+d3) /2 ;以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点 为 Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、Yp=-t-dl-d3/2,且中心变换值为 X=-(Px+a+d2)/2,Y=(Py+t+dl+b+d3) /2 ；
[0056] 当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式曝光主体 图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、 Ym=d3/2、Yp=Py+b-t+d3/2，且中心变换值为 X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+dl+b+d3)/2; 第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=Py+dl+b-t+d3/2、 Yp=Py+dl+b+d3/2,且中心变换值为 X=-(Px+a+d2)/2、Y=-dl-(Py+dl+b+d3)/2;第二图形 的主体图形的遮光坐标点为 Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=_d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b_t+d3/2， 且中心变换值为X= (Px+a+d2) /2、Y=- (Py+dl+b+d3) /2;第二图形的测试图形的遮光 坐标点为 Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=Py+dl+b-t+d3/2、Yp=Py+dl+b+d3/2，且中 心变换值为X= (Px+a+d2) /2、Y=-dl- (Py+dl+b+d3) /2 ;第三图形的主体图形的遮光坐 标点为 Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+dl+b)-d3/2、Yp=-t-dl_d3/2，且中心 变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+dl+b+d3)/2;第三图形的测试图形的遮光坐标点为 Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2,且中心变换值为 X=(Px+a+d2)/2、 Y=-dl+(Py+dl+b+d3)/2 ;以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、 Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+dl+b)-d3/2、Yp=-t-dl-d3/2,且中心变换值为 X=-(Px+a+d2)/2、 Y= (Py+dl+b+d3) /2 ;第四图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、 Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2,且中心变换值为X=- (Px+a+d2) /2、Y=-dl+ (Py+dl+b+d3) /2 ;
[0057] 当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式仅曝光主体 图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、 Yp=Py+b+d3/2,且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第二图形的主 体图形的遮光坐标点为Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b+d3/2，且中心 变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第三图形的主体图形的遮光坐标点 为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、Yp=-t-dl-d3/2,且中心变换 值为X= (Px+a+d2) /2、Y= (Py+t+dl+b+d3) /2 ;以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点 为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、Yp=-t-dl-d3/2,且中心变换值为 X=-(Px+a+d2)/2,Y=(Py+t+dl+b+d3) /2 ；
[0058] 当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式曝光主体图形和 测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、 Yp=Py+b-t_d4+d3/2,且中心变换值为X=_(Px+a+d2)/2、Y=_(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第 一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=Py+dl+b+d3/2、 Yp=Py+t+b+dl+d3/2,且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-t-dl-(Py+t+dl+b+d3)/2 ; 第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、 Yp=Py+b-t-d4+d3/2,且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第二 图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=Py+dl+b+d3/2、 Yp=Py+t+b+dl+d3/2,且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-t-dl-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第三 图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、 Yp=-t-dl-t-d4-d3/2,且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第三图形 的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2,且中心 变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-t-dl+(Py+t+dl+b+d3)/2 ;以及，第四图形的主体图形的遮 光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)_d3/2、Yp=-t-dl-t-d4_d3/2，且 中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y= (Py+t+dl+b+d3)/2 ;第四图形的测试图形的遮光坐标 点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2,且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、 Y=-t-dl+(Py+t+dl+b+d3)/2 ；
[0059] 其中，（Xm，Ym)为第一遮光坐标点，（Xp，Yp)为第二遮光坐标点，Xm和Xp为对应 于所述第一轴的参数值、Ym和Yp为对应于所述第二轴的参数值，X为沿所述第一轴的变换 值、Y为沿所述第二轴的变换值，Px为所述第一期望步进长度、Py为所述第二期望步进长 度，a为所述一个完整图形上的左侧缓冲区在所述第一轴方向上的宽度、b为所述一个完整 图形上的下侧缓冲区在所述第二轴方向上的高度，t为所述实际高度，dl为所述主体图形 和所述测试图形在所述光刻版上的间距，d2为所述第一图形和所述第二图形、所述第三图 形和所述第四图形在所述第一轴方向上的间距，d3为所述第一图形和所述第四图形、所述 第二图形和所述第三图形在所述第二轴方向上的间距，d4为所述测试图形和部分所述主体 图形在所述光刻版上的间距。
[0060] 通过以上技术方案，可以根据用户对于硅片上的实际光刻需求，推算对于光刻机 的曝光参数设置，从而提供一种通用、准确的曝光参数计算方式，简化了曝光参数的计算过 程。
【附图说明】
[0061] 图1示出了相关技术中的光刻处理的示意图；
[0062] 图2示出了相关技术中的硅片的示意图；
[0063] 图3示出了根据本发明的实施例的硅片上的曝光区域的示意图；
[0064] 图4示出了根据本发明的实施例的每个版面的区域划分的示意图；
[0065] 图5示出了根据本发明的实施例的基于单版建立直角坐标系的示意图；
[0066] 图6示出了根据本发明的实施例的基于二合一版建立直角坐标系的示意图；
[0067] 图7示出了根据本发明的实施例的基于三合一版建立直角坐标系的示意图；
[0068] 图8示出了根据本发明的实施例的基于四合一版建立直角坐标系的示意图；
[0069] 图9示出了根据本发明的实施例的光刻机曝光参数的获取方法的示意流程图。
【具体实施方式】
[0070] 为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实 施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施 例及实施例中的特征可以相互组合。
[0071] 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可 以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明并不限于下面公开的具体实 施例的限制。
[0072] -、术语定义
[0073] 首先，针对程序编制用到的一些术语进行严格定义：
[0074] 光刻版（Mask或Reticle;或名"掩膜版"):方形，具体尺寸不等；其上制作有图形， 作为母版，在半导体光刻过程中图形被转移到硅片(光刻版）上。
[0075] 娃片（Wafer):圆形，具体尺寸不等。如图2所示，对于8inch以下娃片（即光刻版 106)切有平边106A以便定位，同时在平边106A处用激光打码，打码的最高位置与平板106A 的距离即为激光打码高度h。半导体产品被制作在硅片上。在光刻过程中，光刻版上的图形 被转移至硅片上。
[0076] 单版：在一块光刻版上仅制作单层光刻图形，称为单版。比如可以参考图5所示的 单版，其具体情形将在下文详细介绍。
[0077] 复合版：在一块光刻版上按一定规范制作多层光刻图形，称为复合版。比如可以参 考图6、图7和图8,分别为二合一版、三合一版和四合一版。
[0078] 光刻图形（Frame):制作在Mask上的光刻图形，单版有1个，二合一、三合一、四合 一复合版分别有2、3、4个(位于复合版的不同位置，坐标不同；但结构、尺寸相同），Frame内 图形按照某种曝光方式曝在硅片上，实现对图形的转移。
[0079] 曝光区域（Shot):步进式光刻曝光后，如图3所示，在硅片（即光刻版106)上形成 大小、尺寸相同的多个独立图形，每一个称为一个Shot(即曝光区域106B)。其中，不同Shot 内的图形(来自Mask上的Frame)可以不同。
[0080] 测试图形（Test):如果Frame内的图形分为2部分，贝U上方部分为测试图形，称为 Test。
[0081] 主体图形（Main):如果Frame内的图形分为2部分，贝U下方部分为主体图形，称为 Main。或者，在另一种情况下，只有主体图形而没有测试图形，则Frame整体称为Main。比 如图4示出了一个Frame内的区域分布示意图，其中，对于上述的第一种情况，则以A、B为 对角线端点的矩形为主体图形，以C、D为对角线端点的矩形为测试图形；对于上述的第二 种情况，则以A、D为对角线端点的矩形为主体图形。
[0082] 需要说明的是：虽然在本发明所提供的具体实施例中，Test部分在上方、Main部 分在下方，但实际上二者的定义是相对的，使得公式的推导