光刻机曝光参数的获取方法_6

文档序号:9216355阅读:来源:国知局
)/2、 Ym=(Py+t+dl+b)/化(Py+dl+b+d3)、化=(Py+t+dl+b)/化(Py+t+dl+b+d3),且中也变换值 为X=0、Y=-t-dl-(Py+t+dl+b+d3);第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、 Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+dl+b)/2、化=(Py+t+dl+b)/2-t-dl-t-d4,且中也变换值 为X=0、Y=0 ;第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、 Ym=(Py+t+dl+b)/2-t、化=(Py+t+dl+b)/2,且中也变换值为X=0、Y=-t-dl;W及,第H图 形的主体图形的遮光坐标点为Xm=- (Px+a) /2、Xp= (Px+a) /2、Ym=- (Py+t+dl+b) /2-(Py +t+dl+b+d3)、化=(Py+t+dl+b)/2-t-dl-t-d4-(Py+t+dl+b+d3),且中也变换值为X=0、 Y=Py+t+dl+b+d3 ;第H图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=- (Px+a) /2、Xp= (Px+a) /2、 Ym=- (Py+t+dl+b) /2-t-d3、化=-(Py+t+dl+b) /2-d3,且中也变换值为X=0、Y=Py+b+d3 ; 其中,(Xm,化)为第一遮光坐标点,(Xp,化)为第二遮光坐标点,Xm和Xp为对应于所 述第一轴的参数值、Ym和化为对应于所述第二轴的参数值,X为沿所述第一轴的变换值、Y 为沿所述第二轴的变换值,Px为所述第一期望步进长度、Py为所述第二期望步进长度,a为 所述一个完整图形上的左侧缓冲区在所述第一轴方向上的宽度、b为所述一个完整图形上 的下侧缓冲区在所述第二轴方向上的高度,t为所述实际高度,dl为所述主体图形和所述 测试图形在所述光刻版上的间距,d3为所述第一图形和所述第二图形、所述第二图形和所 述第H图形在所述第二轴方向上的间距,d4为所述测试图形和部分所述主体图形在所述光 刻版上的间距。11.根据权利要求7所述的光刻机曝光参数的获取方法,其特征在于,所述光刻机曝光 参数包括;遮光坐标和中也变换值; 若所述光刻版上包含四个完整图形,第一图形位于第一象限、第二图形位于第二象限、 第H图形位于第H象限、第四图形位于第四象限,且第一图形和第四图形、第二图形和第H 图形分别沿所述第一轴对称,第一图形和第二图形、第H图形和第四图形分别沿所述第二 轴对称,则按照如下方式计算所述光刻机曝光参数: 当所述完整图形仅包含主体图形时,第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、化=Py+b+d3/2,且中也变换值为X=-(Px+a+d2)/2、 Y=- (Py+b+d3) /2 ;第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=-d2/2、 Ym=d3/2、化=Py+b+d3/2,且中也变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+b+d3)/2 ;第H图形的 主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+b)-d3/2、化=-d3/2,且中 也变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+b+d3)/2 及,第四图形的主体图形的遮光坐标点为 Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+b)-d3/2、化=-d3/2,且中也变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=(Py+b+d3) /2; 当所述完整图形包含主体图形和测试图形时,若W无插花的形式仅曝光主体 图形,则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、 化=Py+b+d3/2,且中也变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第二图形的主 体图形的遮光坐标点为Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、化=Py+b+d3/2,且中也 变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第H图形的主体图形的遮光坐标点 为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、化=-t-dl-d3/2,且中也变换 值为X= (Px+a+d2) /2、Y= (Py+t+dl+b+d3) /2;W及,第四图形的主体图形的遮光坐标点 为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、化=-t-dl-d3/2,且中也变换值为 X=-(Px+a+d2)/2.Y=(Py+t+dl+b+d3) /2; 当所述完整图形包含主体图形和测试图形时,若W无插花的形式曝光主体图 形和测试图形,则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、 Ym=d3/2、化=Py+b-t+d3/2,且中也变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+dl+b+d3)/2 ; 第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=Py+dl+b-t+d3/2、 化=Py+dl+b+d3/2,且中也变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-dl-(Py+dl+b+d3)/2 ;第二图形 的主体图形的遮光坐标点为Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、化=Py+b-t+d3/2, 且中也变换值为X= (Px+a+d2) /2、Y=- (Py+dl+b+d3) /2 ;第二图形的测试图形的遮光 坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=Py+dl+b-t+d3/2、化=Py+dl+b+d3/2,且中 也变换值为X= (Px+a+d2) /2、Y=-dl- (Py+dl+b+d3) /2 ;第H图形的主体图形的遮光坐 标点为《111=-任义+3)-(12/2、《口=-(12/2、¥111=-任7+(11+6)-(13/2、化=-1-(11-(13/2,且中也 变换值为X= (Px+a+d2) /2、Y= (Py+dl+b+d3) /2 ;第H图形的测试图形的遮光坐标点为 Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-t-d3/2、化=-d3/2,且中也变换值为X= (Px+a+d2)/2、 Y=-dl+(Py+dl+b+d3)/2 ; W及,第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、 Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+dl+b)-d3/2、化=-t-dl-d3/2,且中也变换值为X=-(Px+a+d2)/2、 Y= (Py+dl+b+d3) /2 ;第四图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、 Ym=-t-d3/2、化=-d3/2,且中也变换值为X=- (Px+a+d2) /2、Y=-dl+ (Py+dl+b+d3) /2 ; 当所述完整图形包含主体图形和测试图形时,若W插花的形式仅曝光主体图形,则第 一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、化=Py+b+d3/2,且中 也变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第二图形的主体图形的遮光坐标点 为Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、化=Py+b+d3/2,且中也变换值为X= (Px+a+d2) /2、 Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第H图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、 Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、化=-t-dl-d3/2,且中也变换值为X=(Px+a+d2)/2、 Y=(Py+t+dl+b+d3)/2 ; W及,第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、 Xp=Px+a+d2/2、Ym=- (Py+t+dl+b) -d3/2、Yp=-t-dl-d3/2,且中也变换值为X=- (Px+a+d2) /2、 Y=(Py+t+dl+b+d3)/2; 当所述完整图形包含主体图形和测试图形时,若W插花的形式曝光主体图形和 测试图形,则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、 化=Py+b-t-d4+d3/2,且中也变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第 一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=Py+dl+b+d3/2、 化=Py+t+b+dl+d3/2,且中也变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-t-dl-(Py+t+dl+b+d3)/2 ; 第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、 化=Py+b-t-d4+d3/2,且中也变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第二 图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=Py+dl+b+d3/2、 化=Py+t+b+dl+d3/2,且中也变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-t-dl-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第H 图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、 化=-t-dl-t-d4-d3/2,且中也变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第H图形 的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-t-d3/2、化=-d3/2,且中也 变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-t-dl+(Py+t+dl+b+d3)/2 ;W及,第四图形的主体图形的遮 光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、化=-t-dl-t-d4-d3/2,且 中也变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y= (Py+t+dl+b+d3)/2 ;第四图形的测试图形的遮光坐标 点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-t-d3/2、化=-d3/2,且中也变换值为X=-(Px+a+d2)/2、 Y=-t-dl+(Py+t+dl+b+d3)/2 ; 其中,(Xm,化)为第一遮光坐标点,(Xp,化)为第二遮光坐标点,Xm和Xp为对应于所 述第一轴的参数值、Ym和化为对应于所述第二轴的参数值,X为沿所述第一轴的变换值、Y 为沿所述第二轴的变换值,Px为所述第一期望步进长度、Py为所述第二期望步进长度,a为 所述一个完整图形上的左侧缓冲区在所述第一轴方向上的宽度、b为所述一个完整图形上 的下侧缓冲区在所述第二轴方向上的高度,t为所述实际高度,dl为所述主体图形和所述 测试图形在所述光刻版上的间距,d2为所述第一图形和所述第二图形、所述第H图形和所 述第四图形在所述第一轴方向上的间距,d3为所述第一图形和所述第四图形、所述第二图 形和所述第H图形在所述第二轴方向上的间距,d4为所述测试图形和部分所述主体图形在 所述光刻版上的间距。
【专利摘要】本发明提供了一种光刻机曝光参数的获取方法,包括:解析接收到的参数输入指令,以获取在硅片上沿水平方向的第一期望步进长度和沿竖直方向的第二期望步进长度;根据所述第一期望步进长度和所述第二期望步进长度,计算对应的光刻机曝光参数。通过本发明的技术方案,可以根据用户对于各类复杂光刻版(或名掩膜版)的实际光刻需求,推算对于光刻机的曝光参数设置,从而提供一种通用、准确的曝光参数计算方式,简化了曝光参数的计算过程。
【IPC分类】G03F7/20
【公开号】CN104932204
【申请号】CN201410103636
【发明人】曲东升, 张彦平
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2014年3月19日
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