也包括Test部分在下方，Main 部分在上方的情形，即本发明实际包括了两种情形；其中，仅需要将所有公式中的Main、 Test对应的部分直接调换即可适用于Test部分在下方、Main部分在上方的情形，不影响任 何计算及实际使用。
[0083] 缓冲区域（Buffer):为避免步进缺陷，在实际的Frame图形左边与下方加空白区 域，称为Buffer。具体地，图4中左侧宽度为"a"的区域和下方高度为"b"的区域即缓冲区 域。
[0084] 曝光方式：因为单版与复合版、图形区是否有Test图形、在硅片上的具体曝光部 分可以不同等因素，不同光刻版、同一光刻版等可以有多种曝光组合，每一种称为一种曝光 方式。
[0086]表1
[0087]具体地，上表1中示出了本发明定义的每种类型的光刻版对应的5种曝光方式；而 由于光刻版包括单版和三种复合版，则一共存在20种具体的曝光方式。
[0088] 二、基本参数定义
[0089]
[0090] 表 2
[0091] 作为示意性地，表2给出了基于本发明的一种具体的参数定义方式，当然，对于不 同的DesignService以及FAB可以有不同的约定数值。
[0092] 三、计算曝光参数
[0093] 图9示出了根据本发明的实施例的光刻机曝光参数的获取方法的示意流程图。
[0094] 如图9所示，根据本发明的实施例的光刻机曝光参数的获取方法，包括：
[0095] 步骤902,解析接收到的参数输入指令，以获取在硅片上沿水平方向的第一期望步 进长度和沿坚直方向的第二期望步进长度；
[0096] 步骤904,根据所述第一期望步进长度和所述第二期望步进长度，计算对应的光刻 机曝光参数。
[0097] 在该技术方案中，鉴于对光刻版及硅片的参数设置的结果，需要在硅片上进行体 现，因而直接根据技术人员对于硅片上的步进需求，推算出光刻的曝光参数，一方面满足技 术人员的使用需求和使用心理，另一方面能够准确地计算曝光参数，没有经验方面的要求， 也不需要反复试探性地执行光刻操作，有助于提高参数的设置效率，避免试探操作时造成 对光刻版的浪费。
[0098] 因此，本发明的技术方案中，对于曝光参数的计算，提出了基于在硅片上的步进长 度为基准，推导出具体的曝光参数的思路。下面基于该思路进行详细说明。
[0099] 1、步进参数的定义
[0101] 表 3
[0102] 其中，参考图5至图8中所示的直角坐标系，则Px即沿X轴方向的步进长度，Py即 沿Y轴方向的步进长度。
[0103] 需要注意的是：tl和t2是选择输入的，其中，对于Frame中包含Main和Test图 形，但仅曝光Main的情况下(包括插花或不插花的情形)或是同时曝光Main和Test且插花 的情况下，应当选取或输入tl ;对于同时曝光Main和Test但不插花的情况下，则应当选取 或输入t2。因此，此处通过tl和t2,表达了对于不同情况下，Test区域的高度应当区分对 待。
[0104] 为了便于描述，则在本文的技术方案中，仅以"t"作为Test区域的高度，对于不同 情况，本领域技术人员基于上述描述，将其具体赋为tl或t2。
[0105] 2、计算公式
[0106] 1)列数（Column)和行数（Row)
[0107] 列数X/行数Y即为硅片直径容纳"Wafer上Shot的X/Y方向的实际步进"的整数 倍，再加左右/上下2个不完整Shot数目。
[0108] 表述为公式：
[0110] 其中，〇为光刻版的直径长度，PX为Wafer上Shot的X方向的实际步进，Py为 Wafer上Shot的Y方向的实际步进。
[0111] 2) Map offset
[0112] Map offset值包括在X轴方向上的数值和在Y轴方向上的数值。其中，由于曝光 在硅片表面是左右对称的，则X(Map ofTset)=0;而Y(Map offset)则存在能够应用于所有 类型的曝光方式的计算公式：Y(Map offset):
[0116] 其中，c和f?为中间值，Y为所述硅片上的曝光区域的在坚直方向上的排列个数， Py为所述第二期望步进长度，〇为所述硅片的直径长度，1为所述光刻版上的平边长度，h 为所述光刻版上的激光打码高度，INT (a)为小于或等于a的最大整数，h为"仅曝Main不 插花"及"插花"两种情形时(表1有说明）的光刻版上Test图形的高度。
[0117] 3) Blind 坐标和 Center Shift
[0118] 首先，对应于上述的各类参数等的定义，则光刻版上的每个Frame在如图5-图8 中所示的坐标系中可以表示如下：
[0120]表 4
[0121] 基于表4,则以图5所示的单版情形为例，能够得到图4所示的Frame中各个端点 的坐标值，具体如下表5所示：
[0123]
[0124]表 5
[0125] 依据表5所示，则按照不同类型选取不同点的坐标，即为所需要的Blind坐标的结 果；而Center Shift为相应类型的Mask中心位移的负值。
[0126] 那么，对于如图5所示的单版的情形，可以得到如下表6所示的对应于各种曝光方 式下，对于Blind或Center Shift值的具体计算公式。
[0127]
[0128] 表 6
[0129] 当然，表5仅示出了图5对应的单版的情况；而对于图6-图8所示的复合版的情 况，则由于每个Frame的规格相同，可以根据其在坐标系中的位置变化，由表5进行坐标转 换而得到，此处不再赘述。
[0130] 那么，基于坐标转换后的类似表5所示的端点坐标，能够分别得到对应于二合一 版、三合一版和四合一版的曝光参数计算公式，下面分别以表7、表8和表9进行示意性说 明。
[0131]
[0132] 表 7
[0133]
[0134]
[0138]
[0139] 表 9
[0140] 根据本发明的上述公式计算出的各类曝光参数的数值，可在曝光程序编程时直接 引用，无需其它任何操作。
[0141] 以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，考虑到相关技术中的曝光参数需要 依靠人工的经验和试探性地试验，效率低下。因此，本发明提出了一种光刻工艺曝光参数的 获取方法，可以根据用户对于硅片上的实际光刻需求，推算对于光刻机的曝光参数设置，从 而提供一种通用、准确的曝光参数计算方式，简化了曝光参数的计算过程。
[0142] 本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序 产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实 施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机 可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等）上实施的计算机程序产 品的形式。
[0143] 本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程 图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一 流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算 机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理 器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生 用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能 的装置。
[0144] 这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特 定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指 令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或 多个方框中指定的功能。
[0145] 这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计 算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或 其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图 一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
[0146] 以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技 术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修 改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，包括： 解析接收到的参数输入指令，W获取在娃片上沿水平方向的第一期望步进长度和沿竖 直方向的第二期望步进长度； 根据所述第一期望步进长度和所述第二期望步进长度，计算对应的光刻机曝光参数。2. 根据权利要求1所述的光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，所述光刻机曝光 参数包括：所述光刻版在娃片上的曝光区域的在水平方向上的第一排列个数和在竖直方向 上的第二排列个数。3. 根据权利要求2所述的光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，所述第一排列个 数二2 ,所述第二排歹U个数F= ^ + 2; Px /V 其中，〇为所述娃片的直径长度，Px为所述第一期望步进长度，Py为所述第二期望步 进长度。4. 根据权利要求1至3中任一项所述的光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，还包 括： 解析所述参数输入指令，获取光刻版上的待曝光图形中的测试图形在竖直方向上的实 际局度； 根据所述第一期望步进长度、所述第二期望步进长度和所述实际高度，计算所述光刻 机曝光参数。5. 根据权利要求4所述的光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，光刻版上的待曝 光图形所述光刻机曝光参数包括： 所述娃片上沿竖直方向的偏差补偿值其中，C和f为中间值，Y为所述娃片上的曝光区域的在竖直方向上的排列个数，Py为 所述第二期望步进长度，〇为所述娃片的直径长度，1为所述光刻版上的平边长度，h为所 述光刻版上的激光打码高度，INT(a)为小于或等于a的最大整数，ti为所述光刻版上的待 曝光图形中的测试图形在竖直方向上的实际高度。6. 根据权利要求5所述的光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，ti为W无插花的 形式仅曝光所述待曝光图形中的主体图形或同时曝光所述待曝光图形中的主体图形和测 试图形时，或W插花形式曝光所述主体图形的全部或部分和所述测试图形时，所述待曝光 图形中的测试图形在竖直方向上的实际高度。7. 根据权利要求5所述的光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，计算所述光刻机 曝光参数的过程包括： 建立W光刻版的中也点为原点、所述水平方向为第一轴、所述竖直方向为第二轴的第 一直角坐标系； 建立W娃片的中也点为原点、所述水平方向为第一轴、所述竖直方向为第二轴的第二 直角坐标系； 根据所述光刻版中的任一完整图形中的每个待曝光区域在所述第一直角坐标系和所 述第二直角坐标系中的位置信息，确定所述光刻机曝光参数。8. 根据权利要求7所述的光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，所述光刻机曝光 参数包括；遮光坐标和中也变换值； 当所述光刻版上仅包含一个完整图形时，按照如下方式计算所述光刻机曝光参数： 当所述完整图形仅包含主体图形时，该主体图形的遮光坐标点为Xm=(a-Px)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py-b)/2、化=(Py+b)/2,且中也变换值为X=0、Y=0 ; 当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若W无插花的形式，仅曝光主体图 形，则该主体图形的遮光坐标点为Xm= (a-Px) /2、Xp= (Px+a) /2、Ym=- (Py+t+dl-b) /2、 化=(Py+t+dl+b)/2-t-dl，且中也变换值为X=0、Y=0 ; 当所述完整图形包含主体图形和测试图