、氮化娃、氮氧化娃。
[0069]在本实施例中，是以主动元件T为底部栅极型薄膜晶体管为例，但本发明不以此为限，在其他实施例中主动元件T可为顶部栅极型薄膜晶体管或其他类型的主动元件。再者，本实施例是以每一像素结构具有一个主动元件为例，但本发明不以此为限。
[0070]在本实施例中，保护层PV例如是覆盖扫描线SL、数据线DL以及主动元件T，凸块114配置于保护层PV上。在本实施例中，凸块114与保护层PV例如是共同具有至少一开口C，开口 C暴露出主动元件T的漏极D。像素电极PE例如是顺应地配置于凸块114上，且像素电极PE经由开口 C电性连接与主动元件T的漏极D (如图3B所示)。在本实施例中，凸块114例如是位于一条扫描线SL以及一条数据线DL之间的交错处且具有厚度Hl，其中凸块114例如是重叠于两个相邻的像素结构P，如图2A、图2B、图3A、图3B所示。
[0071]凸块114与保护层PV的材料例如是绝缘材料，包括无机材料、有机材料、上述的组合或其堆叠层，其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、上述的组合或其他合适的材料，有机材料例如是聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、或其他合适的材料、上述的组合或其他合适的材料。在本实施例中，凸块114与保护层PV例如是具有相同材料。详言之，凸块114例如是与保护层PV —体成形。举例来说，于第一基板100上形成绝缘材料层，接着通过微影蚀刻制程对绝缘材料层进行图案化，以形成局部凸出的绝缘材料层，其中实质上平坦的绝缘材料层为保护层PV，而局部凸出的绝缘材料层则为凸块114。其中，微影蚀刻制程例如是半调式微影蚀刻制程(half-tone mask process, HTM process)。而后，还包括于保护层PV与凸块114中形成开口 C，以及于保护层PV与凸块114上形成像素电极PE。开口 C的形成方式例如是微影蚀刻制程，但本发明不限于此。像素电极PE可为穿透式像素电极、反射式像素电极或是半穿透半反射式像素电极。
[0072]在本实施例中，像素阵列层110例如是还包括共用线CL，其位于像素区域边缘。共用线CL可与像素电极PE耦合以形成储存电容器(未标示)。共用线CL与数据线DL、栅极G以及扫描线SL彼此电性绝缘。在本实施例中，是以共用线CL与扫描线SL位于相同膜层，而与数据线DL位于不同膜层为例，然本发明不限于此。在其他实施例中，共用线CL也可以与数据线DL位于相同膜层，而与扫描线SL与位于不同膜层。
[0073]请参照图3A与图3B，彩色滤光阵列层210例如是包括多个滤光图案211、黑矩阵BM以及覆盖层212。滤光图案211位于第二基板200上，且例如是分别对应第一基板100上的像素阵列层110的单一像素结构设置。滤光图案211可为红色滤光图案、绿色滤光图案或蓝色滤光图案。
[0074]黑矩阵BM配置于第二基板200上，且位于滤光图案211之间。具体来说，黑矩阵BM定义出多个分别对应于像素结构的单元区域(未标示)，而滤光图案211分别配置于这些单元区域中。在本实施例中，如图2A、图2B、图3A以及图3B所示，黑矩阵BM例如是遮蔽间隙物PS以及凸块114，黑矩阵BM例如是与扫描线SL、数据线DL、主动元件T、凸块114以及间隙物PS重叠配置，以避免前述不透光构件降低像素结构的开口率。在本实施例中，位于扫描线SL与数据线DL交错处的黑矩阵BM例如是与其下方的凸块114具有相似的构型。
[0075]覆盖层212配置于第二基板200上，且例如是覆盖滤光图案211与黑矩阵BM。覆盖层212的材料例如是绝缘材料，可参照前文针对保护层PV所述，于此不赘述。
[0076]间隙物PS例如是位于第二基板200上且具有厚度H2。其中，间隙物PS与凸块114至少部份重叠，且重叠于黑矩阵BM。在本实施例中，如图3B所示，间隙物PS例如是位于开口 C上方并与开口 C重叠。
[0077]除此的外，如图3B所示，间隙物PS与凸块114之间夹有像素电极PE。因此，在间隙物PS与凸块114相互重叠的区域中，未被像素电极PE所覆盖的凸块114与间隙物PS之间例如是不接触(即:存在一间隙)。换言的，间隙物PS通过与像素电极PE接触，而被像素电极PE所支撑，故部份未与像素结构PE接触的间隙物PS例如是悬空于凸块114上方(如图3A以及图3B所示)。然而，当间隙物PS在受到外力挤压时，间隙物PS亦可与上述未被像素电极PE所覆盖的凸块114接触。
[0078]在本实施例中，显示器例如是更包括配向层214，其配置于显示介质层300与彩色滤光层210之间。因此，间隙物PS例如是位于配向层214与凸块114之间(如图3A以及图3B所示)，然本发明不限于此。在一实施例中，配向层(未绘示)也可位于显示介质层300与像素阵列层110之间，诸如覆盖保护层PV与像素电极PE，使得配向层位于间隙物PS与凸块114之间。在另一实施例中(未绘示)，显示器可具有分别位于第一基板100侧与第二基板200侧的配向层(未绘示)，如此间隙物PS位于两配向层之间。
[0079]图4至图6分别为图2A的区域R中凸块与间隙物的相对位置的放大示意图。请参照图4至图6，凸块114与间隙物PS中的一个具有第一形状10，且凸块114与间隙物PS中的另一个具有第二形状20。在本实施例中，系以间隙物PS具有第一形状10，凸块114具有第二形状20为例，且在第一方向Dl上，第一形状10的两侧1a的长度大于中间1b的长度。其中，第一形状10的所述两侧1a在第一方向Dl上延伸，中间1b位于两侧1a之间。
[0080]如此一来，当第一基板100与第二基板200因显示器被弯曲或按压而发生错位时，间隙物PS与凸块114之间例如是具有较大的接触面积。举例来说，当第一基板100与第二基板200未错位时，如图4所示，间隙物PS与凸块114例如是未偏移而完全重叠。当第一基板100与第二基板200之间的错位程度较大时，如图5所示，间隙物PS与凸块114例如是部分重叠，其中第一形状10的两侧1a与第二形状20部分重叠。当第一基板100与第二基板200之间的错位程度更大时，如图6所示，间隙物PS与凸块114例如是严重偏移而部分重叠，其中第一形状10的两侧1a中的一侧例如是与凸块114重叠，而第一形状10的两侧1a中的另一侧以及中间1b例如是不与凸块114重叠。
[0081]虽然在前述的实施例中是以第一形状10与第二形状20具有图2A所示的构型为例，但本发明不以此为限，第一形状10与第二形状20可依需求而具有多种不同设计。举例来说，如图7A至图7D所示，第一形状10也可以是I形柱状(如图7A所示)、H形柱状(如图7B所示)、由多个圆形构成的形状(如图7C所示)或哑铃型柱状(如图7D所示)，其中第一形状10的两侧1a的长度大于中间1b的长度。再者，如图8A至图SC所示，第二形状20例如是包括主体部20a与至少一延伸部20b，其中主体部20a沿着第二方向D2延伸，延伸部20b由主体部20a的中间沿着第一方向Dl延伸。再者，第二形状20也可以具有图8D至图8F所示的形状，其例如是适用于需较高解析度(resolut1n ;即pixel per inch (PPI))的显示器中。
[0082]在本实施例中，是以间隙物PS具有第一形状10，凸块114具有第二形状20，以及第一方向Dl为数据线DL的延伸方向，第二方向D2为扫描线SL的延伸方向为例来进行说明，但本发明不限于此。也就是说，在一实施例(未绘示)中，间隙物PS例如是具有第二形状20，而凸块114具有第一形状10。再者，在另一实施例中，如图9A以及9B所示，第一方向D1’也可以是扫描线SL的延伸方向，第二方向D2’例如是数据线DL的延伸方向。其中，在第一方向D1’上，第一形状10的两侧区域的长度大于中间区域的长度。第二形状20的主体部20a沿着第二方向D2’延伸，延伸部20b沿着第一方向DI’延伸。在本实施例中，凸块114例如是不具有开口 C，且间隙物PS未位于开口 C上方。
[0083]在上述的实施例中，凸块114与间隙物PS中的一个具有两侧长度大于中间长度的第一形状10，且凸块114与间隙物PS中的另一个具有与第一形状10搭配的第二形状20。如此一来，当第一基板100与第二基板200因显示器被弯曲或按压而发生错位时，间隙物PS与凸块114之间可具有较大的接触面积并维持面板间隙，避免间隙物刮伤显示区域。因此，间隙物PS具有增加错位容许量，能避免间隙物PS刮伤诸如配向层等位于显示区域的膜层，进而可大幅改善显示器的暗态漏光等问题。再者，由于间隙物PS与凸块114的配置实质上与黑矩阵BM、扫描线SL与数据线DL等不透光构件重叠，因此不会影响显示器的开口率。
[0084]图1OA为第一传统显示器的俯视示意图，其作为后续实验中的比较例I。图1OB为沿图1OA的剖面线A-A’的剖面示意图。图1OC为沿图1OA的剖面线B-B’的剖面示意图。图1OA的传统显示器与绘示在图2A的本发明实施例的显示器相似；为清楚起见，相同或相似的元件以相同或相似的元件符号表示，且不再重复说明。图1OA的比较例I的显示器结构与图2A的本发明实施例的显示器结构不相同之处在于，图1OA的比较例I的显示器不具有凸块114，且是以间隙物PS’来取代图2A的间隙物PS。
[0085]请同时参