电子照相感光构件、其制造方法、处理盒和电子照相设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种电子照相感光构件、其制造方法、处理盒和电子照相设备。
【背景技术】
[0002] 近年来，作为用于电子照相设备的电子照相感光构件，已经使用了一种电子照相 感光构件（有机电子照相感光构件），其包括：含有金属氧化物颗粒和有机化合物的底涂 层、和设置在所述底涂层上并且含有电荷产生物质和电荷输送物质的感光层。
[0003] 电子照相感光构件的电位特性（带电性和感光度）依赖于用于底涂层和感光层的 材料的种类。特别地，用于底涂层的金属氧化物颗粒和有机化合物是对电子照相感光构件 的电位特性具有显著影响的材料。因此，已知的是，通过W上材料的结构和其间的组合，可 W改善电子照相感光构件的电位特性。
[0004] 伴随电子照相设备的高速化（处理的高速化），除了电位特性的改善，例如带电性 的改善和感光度的改善，对在重复使用时的电位变化（带电性的变化和感光度的变化）的 进一步抑制也变为要克服的课题。特别地，金属氧化物颗粒具有问题：在高溫和高湿环境下 在重复使用时电位变化增加。认为该原因是，当金属氧化物颗粒吸收水分时，抑制了电荷的 流动；结果，电位变化。因此，必要的是，通过抑制水分吸收来抑制电位变化。
[0005] P化1已经公开了 ：当金属氧化物颗粒和具有蔥酿结构的有机化合物用于底涂层 时，可W抑制在高溫和高湿环境下在重复图像形成测试的放电之后的残留电位的变化量。
[0006] 引用列表
[0007] 专利文献
[0008] ?化 1 日本专利特开No. 2008-046420
【发明内容】
[0009] 发巧要解决的间颗
[0010] 在使用下述电子照相设备的方法中，在高溫和高湿环境下的电位变化特别是问 题。特别地，对在W下（1)和似的情况下的电位变化（带电性的变化和感光度的变化） 的进一步抑制变为要克服的课题。
[0011] (1)从电子照相感光构件的使用开始至其寿命终止的长期重复使用。
[0012] (2)相对短期的重复使用（例如，从第一张至大约第1，000张的连续图像输出的时 期）。
[001引在W上（1)的情况下，根据电子照相感光构件的构成，在一些情况下，电位变化会 增加（电位特性的明显恶化）。在上述情况下，即使当将电子照相感光构件在长期重复使用 之后静置时，使用开始时的电位特性也不会恢复，因此，可W说，恢复性能差。
[0014] 另一方面，当在W上（2)的情况下电位变化大时，例如，在一些情况下，在第1，000 张纸上的输出图像的色调会从在第一张上的输出图像变化。然而，当电子照相感光构件 静置时，在如上述的短期内发生的电位变化可能在相对短期内恢复至使用开始时的电位特 性。
[0015] 另外，已经解释的是，在W上（2)的情况下，即使在电子照相感光构件静置之后， 如果依然存在不能在短期内恢复的电位变化，则该变化会累积而导致在W上（1)中的电位 变化。
[0016] 对电子照相感光构件重要的是能够一直输出稳定的图像，同时在W上（1)和（2) 的情况下抑制电位变化。另外，特别地，在W上（2)的情况下的电位变化是问题，并且色调 的变化在任何条件下需要一直是小的。
[0017] 目P，在W上（2)中的电子照相感光构件的电位变化需要在其使用的非常初期阶段 被抑制，并且即使在其长期重复使用之后在W上（2)中的电子照相感光构件的电位变化也 需要被抑制。
[0018] 通过本发明人进行的深入研究，发现的是，当公开于PTL1中的电子照相感光构 件在高溫和高湿环境下在其使用的非常初期阶段短期使用时，电位变化（在W上（2)中） 小。然而，通过对当电子照相感光构件在其长期重复使用（在W上（1)中）之后再次短期 使用时获得的电位变化（在W上（2)中）的研究，发现：电位变化量变得大于在一些情况下 初期阶段测量的，并且电子照相感光构件依然具有一些更多的改善空间。
[0019] 另外，也变得显而易见的是，即使当在W上（1)或（2)中的电位变化量在低溫和低 湿环境下小时，在高溫和高湿环境的一些情况下电位变化量也会增加，因此发现：电子照相 感光构件依然具有一些更多的改善空间。
[0020] 本发明提供了一种电子照相感光构件，其抑制了当即使在高溫和高湿环境下在其 长期重复使用之后短期使用时的电位变化；和所述电子照相感光构件的制造方法。另外，本 发明也提供了一种处理盒和电子照相设备，其各自包括W上电子照相感光构件。
[00引]用于解决间颗的方案
[0022] 本发明设及一种电子照相感光构件，其包括：支承体；设置在所述支承体上的底 涂层；和设置在所述底涂层上的感光层，并且所述底涂层包含金属氧化物颗粒和由W下式 (1)表示的化合物。
[0023]
[0024] (在式（1)中，Ri至Rin各自独立地表示氨原子、甲基、乙基、正丙基、异丙基、环己 基、簇基、径基、或与R"和R""-起形成环己烧环必要的原子团。Ri至RiD中至少之一是簇 基或径基。另外，n表示1至9的整数。）
[00巧]另外，本发明设及一种电子照相感光构件的制造方法，所述电子照相感光构件包 括：支承体、形成在所述支承体上的底涂层、和形成在所述底涂层上的感光层；所述方法包 括：形成包含金属氧化物颗粒和由W上式（1)表示的化合物的底涂层用涂布液的涂膜；和 将所述涂膜加热和干燥从而形成所述底涂层。
[0026] 另外，本发明设及一种处理盒，其一体化地支承W上电子照相感光构件和选自由 充电单元、显影单元、转印单元和清洁单元组成的组的至少一种单元并且其可拆卸地安装 至电子照相设备的主体。
[0027] 另外，本发明设及一种电子照相设备，其包括：W上电子照相感光构件；和充电单 元、曝光单元、显影单元和转印单元。
[0028] 发巧的效果
[0029] 根据本发明，提供了一种电子照相感光构件，其抑制了当即使在高溫和高湿环境 下在其长期重复使用之后短期使用时的电位变化；和W上电子照相感光构件的制造方法。 另外，根据本发明，提供了一种处理盒和电子照相设备，其各自包括W上电子照相感光构 件。
【附图说明】
[0030] 图1是示出包括具有电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的结构的一个 实例的示意图。
【具体实施方式】
[0031] 根据本发明，电子照相感光构件的底涂层包含金属氧化物颗粒和由W下式（1)表 示的化合物。
[0032]
[003引（在式（1)中，Ri至Rin各自独立地表示氨原子、甲基、乙基、正丙基、异丙基、环己 基、簇基、径基、或与R"和R""-起形成环己烧环必要的原子团。Ri至RiD中至少之一是簇 基或径基。另外，n表示1至9的整数。）
[0034] 当由式（1)表示的化合物包含于底涂层中时，在电子照相感光构件的长期重复使 用之后，短期使用时的其电位变化改善，并且运原因如下述由本发明人分析。
[0035] 目P，本发明人分析：通过由式（1)表示的化合物与金属氧化物颗粒的表面之间的 相互作用，形成了分子内电荷转移络合物，因此，形成了容易接收电子的状态。例如，使来自 感光层（电荷产生层）的电子被顺利接收，并且通过从金属氧化物颗粒吸引电子，使金属氧 化物颗粒之间的电子转移顺利，W致抑制了电荷的滞留。
[0036] 下文中，虽然示出由式（1)表示的化合物的具体实例，但本发明不限于此。
[0037]
[0038]
[0039]
[0040]
[0041] 特别地，在式（I)中，当各自与金属氧化物颗粒的表面相互作用的基团（簇基和径 基）数量仅为1(仅Ri至R1°中之一是簇基或径基）时，更优选地抑制了在长期重复使用时 的电位变化。特别地，作为示例性化合物，提及（1-1)、（1-2)、（1-7)、（1-8)、（1-9)、（1-10)、 (1-11)、（1-12)、（1-13)、（1-14)和（1-16)。另外，作为其中进一步抑制了在长期重复使用 之后短期使用时的电位变化的结构，提及（1-1)和（1-2)。
[004引结构式（1-11)表示式（1)的一个实例，其中Ri、R4至R\R9和RiD各自表示氨原子；R2和R3共同形成未取代的正亚下基；并且RS表示径基。结构式（1-12)表示式（1)的一个 实例，其中Ri、R4至R7、R9和R1°各自表示氨原子；作为共同形成环己烧环必要的原子团，R2 和R3共同形成未取代的正亚下基；并且RS表示簇基。
[0043] 另外，在本发明中，W上"表示与R"和R""-起形成环己烧环必要的原子团，"表示 "Rn和Rn"共同形成未取代的正亚下基"。
[0044] 另外，相对于金属氧化物颗粒，在底涂层中的由式（1)表示的化合物的含量在 0.Ol至20质量％的范围内。上述含量更优选在0. 05至5质量％的范围内，并且甚至更优 选在0.05至4质量％的范围内。当含量是0.05质量％W上时，由金属氧化物颗粒之间的 相互作用导致的带电性的变化的抑制效果提高。当含量是4质量％W下时，抑制了化合物 分子之间的相互作用，结果，W上效果提高。
[0045] 另外，在本发明中，作为包含于底涂层中的金属氧化物颗粒，例如，可W提及氧化 铁、氧化锋、氧化锡、氧化错、和氧化侣的颗粒，并且可W使用选自那些金属氧化物颗粒的至 少一种。上述那些中，氧化铁颗粒、氧化锋颗粒、和氧化锡颗粒是优选的，运是因为更抑制了 由长期重复使用导致的带电性的变化，另外，氧化锋颗粒是更优选的。
[0046] 在底涂层中，作为金属氧化物颗粒的含量（质量比），金属氧化物颗粒/树脂优选 在2/1至4/1的范围内。
[0047] 另外，当使用由表面处理剂处理的金属氧化物颗粒时，更抑制了由长期重复使用 导致的电位变化，因此，金属氧化物颗粒优选具有由