。和-45。，所述第二、第三、第五、第八条形电极2102、1201、1101、2202的延伸方向相互平行，所述第一、第四、第六、第七条形电极2101、1202、1102、2201的延伸方向相互平行。
[0031]具体的，所述第五、第六、第七、第八、第九电极21、12、11、22、2形成十字形区域，对应液晶显示面板的每个子像素中易形成“十”字形暗纹的区域。
[0032]具体的，所述第五、第六、第七、第八电极21、12、11、22的宽度相同。优选的，所述第五、第六、第七、第八电极21、12、11、22的宽度均为3 μπι。
[0033]具体的，所述第一、第二、第三、第四子电极211、121、111、221的宽度相同。优选的，所述第一、第二、第三、第四子电极211、121、111、221的宽度均为2.5 μπι。
[0034]具体的，所述第一、第二、第三、第四子电极211、121、111、221之间分别形成第一、第二、第三、第四狭缝31、32、33、34，所述第一、第二、第三、第四狭缝31、32、33、34的宽度相同。优选的，所述第一、第二、第三、第四狭缝31、32、33、34的宽度均为3.5μm。所述第一、第二、第三、第四狭缝31、32、33、34可调整位于所述第五、第六、第七、第八、第九电极21、12、11、22、2所形成的十字形区域的液晶分子的导向，使其与对应于所述第一、第二、第三、第四电极3、4、5、6区域的液晶分子导向一致，从而减少液晶显示面板的每个子像素中的“十”字形暗纹。
[0035]具体的，所述第一、第二、第三、第四电极3、4、5、6均为整块电极，呈矩形。
[0036]具体的，所述第九电极2呈菱形，对应所述第五至第八电极21、12、11、22中第一、第二、第三、第四子电极211、121、111、221的V形设置。
[0037]综上所述，本发明的像素电极结构，通过将位于第一、第二、第三、第四电极中间的“十”字形区域的电极设计成数个间隔分布且呈V形的子电极，使得该数个子电极之间形成狭缝，从而调整位于该“十”字形区域的液晶分子的导向，使其与对应于所述第一、第二、第三、第四电极区域的液晶分子导向一致，从而减少液晶显示面板的每个子像素中的“十”字形暗纹，增大透光区域，提升产品的穿透率和显示品质。
[0038]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种像素电极结构，其特征在于，包括第一、第二、第三、第四电极(3、4、5、6)、连接在第一与第二电极(3、4)之间的第五电极(21)、连接在第一与第三电极(3、5)之间的第六电极(12)、连接在第二与第四电极(4、6)之间的第七电极(11)、连接在第三与第四电极(5、6)之间的第八电极(22)、及位于第一至第八电极(3、4、5、6、21、12、11、22)围起的中间位置的第九电极⑵； 所述第五至第八电极分别包括数个平行且间隔设置的第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)，所述第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)均呈V形，且所述第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)的V形开口均朝向第五至第八电极(21、12、11、22)围起的中心位置；所述第九电极(2)呈封闭的四边形。2.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一子电极(211)包括垂直连接的第一条形电极(2101)与第二条形电极(2102); 所述第二子电极(121)包括垂直连接的第三条形电极(1201)与第四条形电极(1202)； 所述第三子电极(111)包括垂直连接的第五条形电极(1101)与第六条形电极(1102); 所述第四子电极(221)包括垂直连接的第七条形电极(2201)与第八条形电极(2202)； 其中，所述第五条形电极(1101)和第六条形电极(1102)与水平方向的夹角分别为45。和-45。，所述第二、第三、第五、第八条形电极(2102、1201、1101、2202)的延伸方向相互平行，所述第一、第四、第六、第七条形电极(2101、1202、1102、2201)的延伸方向相互平行。3.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第五、第六、第七、第八、第九电极(21、12、11、22、2)形成十字形区域。4.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第五、第六、第七、第八电极(21、12、11、22)的宽度相同。5.如权利要求4所述的像素电极结构，其特征在于，所述第五、第六、第七、第八电极(21、12、11、22)的宽度均为 3μπι。6.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)的宽度相同。7.如权利要求6所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)的宽度均为 2.5μπι。8.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)之间分别形成第一、第二、第三、第四狭缝(31、32、33、34)，所述第一、第二、第三、第四狭缝(31、32、33、34)的宽度相同。9.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四电极(3、4、5、6)均为整块电极。10.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第九电极(2)呈菱形，对应所述第五至第八电极(21、12、11、22)中第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)的V形设置。
【专利摘要】本发明提供一种像素电极结构，通过将位于第一、第二、第三、第四电极中间的“十”字形区域的电极设计成数个间隔分布且呈V形的子电极，使得该数个子电极之间形成狭缝，从而调整位于该“十”字形区域的液晶分子的导向，使其与对应于所述第一、第二、第三、第四电极区域的液晶分子导向一致，从而减少液晶显示面板的每个子像素中的“十”字形暗纹，增大透光区域，提升产品的穿透率和显示品质。
【IPC分类】G02F1/1343, G02F1/1337
【公开号】CN105204244
【申请号】CN201510683056
【发明人】杨一峰, 程全, 张超, 黎美楠
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年10月19日