[0019]下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
[0020]实施例一
请参考图1、2，本实施例提供了一种半透半反液晶显示阵列基板，包括:第一基板100 ;在该第一基板100 —侧上形成有栅电极I和栅极扫描线；在所述栅电极I和栅极扫描线及第一基板100上形成有第一绝缘层2 ;在位于所述栅电极I上方的第一绝缘层2上形成有有源层3 ;在所述有源层3和第一绝缘之上形成有源电极4和漏电极5以及数据扫描线，所述源电极4和漏电极5分别位于所述有源层3的两端；在所述源电极4、漏电极5和第一绝缘层2之上形成有第二绝缘层6 ;相邻的栅极扫描线和数据扫描线交叉形成一个像素单元，其形成在所述第二绝缘层6之上；每个像素单元包括透明区和反射区，位于所述反射区的第二绝缘层6上形成有平坦层7，实现反射区与透射区的盒层厚度不一致，形成双盒厚结构；在所述平坦层7和第二绝缘层6之上形成有第一公共电极8，所述第一公共电极8包括多个环状第一公共子电极81，该环状图案包括但不限于方形或圆形或多边形，即每一第一公共子电极81图案在俯视下均可看成是一圆环或方形环或多边形环的闭合环状图案；在所述第一公共电极8和第二绝缘层6上形成有第三绝缘层9，在所述第三绝缘层9之上形成有像素电极10，其通过蚀刻过孔与所述漏电极5电连接，所述像素电极10图案形状优选但不限于与所述第一公共子电极81相对应，为方形或圆形或多边形等，在俯视该像素单元时，所述像素电极10与环状的第一公共电极8经第三绝缘层9部分重叠，重叠区为像素存储电容，所述像素电极10与第一公共电极8经第三绝缘层9的非重叠区形成所述像素电极10和第一公共电极8的边缘电场；在所述反射区的像素电极10上方还形成有反射电极11。所述反射电极11的材料包括但不限定为金属铝、铝合金、钼、钼合金、银或钛等具备反射性和优良导电性的金属制造而成，具有很好的反射光线的特性，进而形成了反射区；而在第一基板100上未设置栅电极1、有源层3以及反射电极11的透明区域形成了可透过背光源照射光线的透明区。
[0021]所述第一基板100包括但不限定由石英基板或耐热性的玻璃基板等透光性基板构成，在本实施例中，优选采用透明玻璃基板；所述像素电极10和公共电极的材料包括但不限定为透明的ITO材料；所述绝缘层的材料包括但不限定为氧化硅或氮化硅或氧化硅和氮化娃叠层。
[0022]需要说明的是，通过所述平坦层7厚度设计，使得反射区盒厚为透过区盒厚的1/2，这种反射区经反射后，其光程与透过区一致。所述平坦层7表面呈波浪或镜面形，但不局限于此。本发明优选使用波浪表面，以实现漫反射效果，提高反射率。
[0023]本实施例所提供的半透半反液晶显示阵列基板使用了 VA液晶(负性液晶)实现了常黑模式，同时通过像素电极和第一公共电极的新型结构设计，进一步强化边缘电场，实现高对比度；现有的常白和常黑模式的半透半反液晶显示阵列基板的对比度分别为200~300和400，而本实施例的对比度可达700左右，在对比度上明显优于现有技术。
[0024]实施例二
基于实施例一的基础上，将所述像素电极和第一公共电极交换膜层顺序，即:像素电极形成于所述第二绝缘层上方并与所述漏电极电连接；在像素电极上形成有第三绝缘层，在第三绝缘层上形成有第一公共电极，其经第三绝缘层与像素电极部分重叠；在所述第一公共电极上形成第四绝缘层，在反射区的第三、四绝缘层上形成有反射电极，其与所述像素电极电连接。
[0025]实施例三
本发明还提供了一种制造方便、工作效率较高的半透半反液晶显示阵列基板的制造方法。
[0026]该半透明半反射式液晶显示器阵列基板的制造方法，包括:
步骤1、提供一第一基板100，该第一基板100为透光的玻璃或石英基板，或其他合适材料的基板；
步骤2、在第一基板100上磁控溅射沉积金属薄膜层，再通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺，在第一基板100的一定区域形成如图3a所示的栅电极I和栅极扫描线(图未显示)；该金属薄膜层的材料可为钼、钨、铬、铝、铜或其叠层或其他适当材料；构图工艺的流程通常包括涂胶、掩膜、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺；
步骤3、利用化学气相沉积方法在栅电极I和第一基板100上沉积如图3b所示的第一绝缘层2，形成栅极绝缘层；所述绝缘层通常为氧化层，但也可以为氮化层、其他适宜的绝缘材料层或前述各绝缘层的复合层；
步骤4、在完成步骤3的第一基板100上，利用化学气相沉积方法沉积非晶硅半导体和掺杂非晶硅半导体薄膜通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺在栅电极I的正上方的第一绝缘层2之上的非晶硅半导体和掺杂非晶硅半导体薄膜上形成如图3c所示的有源层3 ;
步骤5、在完成步骤4的第一基板100上沉积金属薄膜层，再通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺，在有源层3上表面形成如图3d所示的源电极4和漏电极5，源电极4和漏电极5分别形成于有源层3上表面的两端，形成薄膜晶体管；该薄膜晶体管包括但不限于A-S1、LTPS、金属氧化物、有机TFT ;该金属薄膜层的材料可为钼、钨、铬、铝、铜或其叠层或其他适当材料，还可以是具备反射性的金属薄膜；构图工艺的流程通常包括涂胶、掩膜、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺；
步骤6、在完成步骤5的第一基板100上利用化学气相沉积方法沉积如图3e所示的第二绝缘层6 ;所述绝缘层通常为氧化层，但也可以为氮化层、其他适宜的绝缘材料层或前述各绝缘层的复合层；
步骤7、在第二绝缘层6上通过化学沉积，在与薄膜晶体管对应的第二绝缘层6上形成如图3f所示的平坦层7(平坦层7材料没有特别限制，需保证反射区为透过区盒厚的1/2)，该平坦层7为透明绝缘层；平坦层7表面可以是波浪形或镜面形，可起到漫反射板作用；步骤8、在第二绝缘层6和平坦层7上通过磁控溅射沉积电极薄膜，在电极薄膜上涂覆光刻胶，通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺，在与薄膜晶体管对应的第二绝缘层6上形成有多个环状第一公共子电极81组成的第一公共电极8，如图3g所示的；该电极薄膜的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌；该环状可以是圆形、方形或多边形或其他环状；
步骤9、在第一公共电极8和第二绝缘层6上利用化学气相沉积方法沉积如图3h所示的第三绝缘层9 ;所述绝缘层通常为氧化层，但也可以为氮化层、其他适宜的绝缘材料层或前述各绝缘层的复合层；
步骤10、在完成步骤7的第三绝缘层9上通过磁控溅射沉积电极薄膜，在电极薄膜上涂覆光刻胶，通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺，形成像素单元的像素电极10，如图3i所示，其通过蚀刻过孔方式与漏电极5 (薄膜晶体管)进行电连接；其中像素电极10图案形状优选与所述第一公共电极8图案相对应，且在俯视该像素单元时，所述像素电极10与第一公共电极8经第三绝缘层9部分重叠，重叠区为像素存储电容，所述像素电极10与第一公共电极8经第三绝缘层9的非重叠区形成所述像素电极10和第一公共电极8的边缘电场；该电极薄膜的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌； 步骤11、在像素电极10上通过磁控溅射沉积金属薄膜层，再通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺，在反射区的像素电极10上表面形成如图3j所示的金属反射电极11 ;该金属薄膜层的材料可为具有反射性的钼、钼合金、铝、铝合金、钛、银或其叠层或其他适当材料；构图工艺的流程通常包括涂胶、掩膜、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺。
[0027]实施例四
基于实施例三的基础上，将实施例三的步骤8至11具体替换成如下步骤:
步骤8、在第二绝缘层和平坦层上通过磁控溅射沉积电极薄膜，在电极薄膜上涂覆光刻胶，通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺，形成像素单元的像素电极，其通过蚀刻过孔方式与漏电极(薄膜晶体管)进行电连接；该电极薄膜的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌；步骤9、在完成步骤8的第一基板上