利用化学气相沉积方法沉积第三绝缘层；所述绝缘层通常为氧化层，但也可以为氮化层、其他适宜的绝缘材料层或前述各绝缘层的复合层；步骤10、在完成步骤9的第三绝缘层上通过磁控溅射沉积电极薄膜，在电极薄膜上涂覆光刻胶，通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺，在与薄膜晶体管对应的第二绝缘层上形成有多个环状第一公共子电极组成的第一公共电极；在俯视该像素单元时，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层部分重叠，重叠区为像素存储电容，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场；该环状可以是圆形、方形或多边形或其他环状；该电极薄膜的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌；步骤11、在所述第一公共电极上利用化学气相沉积方法沉积第四绝缘层；所述绝缘层通常为氧化层，但也可以为氮化层、其他适宜的绝缘材料层或前述各绝缘层的复合层；
步骤12、在所述第三、第四绝缘层上通过磁控溅射沉积金属薄膜层，再通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺，在反射区的像素电极上表面形成金属反射电极，；该薄膜晶体管包括但不限于A-S1、LTPS、金属氧化物、有机TFT ;该金属薄膜层的材料可为具有反射性的钼、钼合金、铝、铝合金、钛、银或其叠层或其他适当材料；构图工艺的流程通常包括涂胶、掩膜、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺。
[0028]实施例五
本发明还提供了一种使用该阵列基板的半透半反液晶显示装置，包括实施例一或二所述的阵列基板、与所述阵列基板的第一基板相对配置的第二基板、保持在所述第一基板和第二基板之间的液晶层；还包括位于所述第一基板的另一侧表面的第一偏光片、位于所述第二基板的上方的第二偏光片；所述第二基板为带有彩色滤光层的第二基板。所述第二基板上相对第一基板的一侧形成有第二公共电极。
[0029]以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种半透半反液晶显示阵列基板，包括透明区和反射区，其特征在于，所述阵列基板包括: 第一基板； 栅电极，形成于所述第一基板上； 第一绝缘层，形成于所述栅电极和第一基板之上； 有源层，形成于所述栅电极上方的所述第一绝缘层之上； 源电极和漏电极，形成于所述有源层上方； 第二绝缘层，形成于所述源电极、漏电极和第一绝缘层上； 平坦层，形成于所述反射区的第二绝缘层上； 第一公共电极，形成于所述第二绝缘层和平坦层上； 第三绝缘层，形成于所述第一公共电极和第二绝缘层上； 像素电极，形成于所述第三绝缘层上方，与所述漏电极电连接；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场； 反射电极，形成于所述反射区的像素电极上。2.—种半透半反液晶显示阵列基板，包括透明区和反射区，其特征在于，所述阵列基板包括: 第一基板； 栅电极，形成于所述第一基板上； 第一绝缘层，形成于所述栅电极和第一基板之上； 有源层，形成于所述栅电极上方的所述第一绝缘层之上； 源电极和漏电极，形成于所述有源层上方； 第二绝缘层，形成于所述源电极、漏电极和第一绝缘层上； 平坦层，形成于所述反射区的第二绝缘层上； 像素电极，形成于所述第二绝缘层和平坦层上方，与所述漏电极电连接； 第三绝缘层，形成于所述像素电极上； 第一公共电极，形成于所述第三绝缘层上；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场； 第四绝缘层，形成于所述第一公共电极上； 反射电极，形成于所述反射区的第四绝缘层和第三绝缘层上，与所述像素电极电连接。3.根据权利要求1或2所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极包括多个环状第一公共子电极。4.根据权利要求1或2所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，所述环状为方形或圆形或多边形。5.根据权利要求3所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，所述像素电极图案形状与所述第一公共子电极相对应，为方形或圆形或多边形。6.根据权利要求1或2所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，所述平坦层表面呈波浪或镜面形。7.—种半透半反液晶显示阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括透明区和反射区，其特征在于，包括以下步骤：提供第一基板；在所述第一基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺，在所述第一基板上形成栅电极；在所述形成栅电极的第一基板上沉积栅极绝缘层薄膜，形成第一绝缘层；在所述栅电极上方的所述第一绝缘层上形成有源层；在所述有源层上方形成源电极和漏电极；在完成上述步骤的所述第一基板上沉积绝缘层薄膜，形成第二绝缘层；在所述反射区的第二绝缘层上沉积绝缘层，形成平坦层；在所述平坦层和第二绝缘层上沉积金属薄膜，通过构图工艺，形成第一公共电极；在完成上述步骤的所述第一基板上沉积绝缘层薄膜，形成第三绝缘层；在所述第三绝缘层上沉积像素电极薄膜，通过过孔形成与所述漏电极电连接的像素电极；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场；在所述反射区的像素电极上沉积金属薄膜，形成反射电极。8.—种半透半反液晶显示阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括透明区和反射区，其特征在于，包括以下步骤：提供第一基板；在所述第一基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺，在所述第一基板上形成栅电极；在所述形成栅电极的第一基板上沉积栅极绝缘层薄膜，形成第一绝缘层；在所述栅电极上方的所述第一绝缘层上形成有源层；在所述有源层上方形成源电极和漏电极；在完成上述步骤的所述第一基板上沉积绝缘层薄膜，形成第二绝缘层；在所述反射区的第二绝缘层上沉积绝缘层，形成平坦层；在所述平坦层和第二绝缘层上沉积像素电极薄膜，通过过孔形成与所述漏电极电连接的像素电极；在完成上述步骤的所述第一基板上沉积绝缘层薄膜，形成第三绝缘层；在所述第三绝缘层上沉积金属薄膜，通过构图工艺，形成第一公共电极；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场；在所述第一公共电极上沉积绝缘层薄膜，形成第四绝缘层；在所述反射区的第三、四绝缘层上沉积金属薄膜，通过过孔形成与所述像素电极电连接的反射电极。9.根据权利要求7或8所述的半透半反液晶显示阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一公共电极包括多个环状第一公共子电极；所述环状为方形或圆形或多边形；所述像素电极图案形状与所述第一公共子电极相对应，为方形或圆形或多边形。10.一种半透半反液晶显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1或2所述的阵列基板；第二基板，与所述阵列基板的第一基板相对配置；液晶层，保持在所述第一基板和第二基板之间。
【专利摘要】本发明公开了一种半透半反液晶显示阵列基板，包括第一基板，在第一基板上形成有经第三绝缘层部分重叠的第一公共电极和像素电极，像素电极与漏电极电连接；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场；反射电极，形成于所述反射区的像素电极上。本发明还公开了该阵列基板的制造方法及显示装置。该半透半反液晶显示阵列基板结构简单，通过强化第一公共电极与像素电极的边缘电场，控制液晶方向，实现高对比度和较佳显示效果；具有常黑显示模式，不显示时外观效果好，且对比度高，显示效果更优，解决了现有常白显示模式半透半反显示装置对比度差及显示效果差的问题。
【IPC分类】G02F1/1362, G02F1/1343
【公开号】CN105223745
【申请号】CN201510734981
【发明人】李林, 柳发霖, 庄崇营, 何基强
【申请人】信利半导体有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年11月3日