图中描述的定向之外，空间相关术语旨在包含使用或操作中的设备的不同定向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征的下方或之下或以下的元件将然后被定位为在其他元件或特征上方。因此，示例术语“在…下方”和“在…以下”可包括上方和下方的定位两者。装置可被另外定位(例如，旋转90度或者在其他方位)并且本文中使用的空间相关的描述符应当相应地解释。此外，当层称作在两个层之间时，可以是仅该层在两层之间或也可以存在一个或多个插入层(intervening layers)。还应当理解的是，当用在本说明书中时，术语“包括(comprise)或包含(include) ”和/或“包括(comprising)或包含(including) ”指示所述的特征、整数、步骤、操作、元件及/或组件的存在，但并不一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件及/或其组合的存在或添加。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任何和全部组合。如“至少一个”的表达当在元件列表之前时，修改整个元件列表并且不修改列表的单个元件。此外，当描述本发明构思的实施方式时“可以(may) ”的使用指的是“本发明构思的一个或多个实施方式”。同样，术语“示例性”旨在指代实例或例证。
[0052]现在将参考附图描述根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器和制造方法。
[0053]在下文中，将参考图1和图2更详细地描述根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器。
[0054]图1是示出根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器的分解透视图。
[0055]参照图1，根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器包括，用于提供光的背光单元500，用于响应于光显示图像的液晶面板300，以及用于固定和支撑背光单元500和液晶面板300的容纳单元400。容纳单元400包括模制框架430和底架420，并且可以进一步包括在图1中没有示出的顶架、固定支架(set bracket)等。液晶显示器的详细结构将随后描述。
[0056]现在，将描述包括在根据本示例性实施方式的液晶显示器中的背光单元500。
[0057]背光单元500包括用于将光提供到液晶面板300的多个发光二极管540，并且发光二极管540平行布置在底架420的侧表面上以发出大量的光。
[0058]在图1中示出的液晶显示器的结构仅用于示例性地描述示例性实施方式，并且示例性实施方式不限于此。因此，对于具有不同结构的液晶显示器来说这同样如此，并且发光二极管可以各种合适的形状排列。例如，发光二极管540可以在底架420中布置为直下式(direct type)(种类)而不是如图1所示的边缘式(edge type)(种类)，或者在任意一侧处或多侧处。替换地，发光二极管540可以布置在其一个侧表面处或者其多个侧表面处。进一步替换地，可以布置如冷阴极荧光灯(CCFL)的各种合适的类型(种类)的灯，而不是发光二极管540。
[0059]背光单元500容纳在底架420中以固定在该处，并且包括:发光二极管540，用作以设定的或预定的距离彼此分开地布置在并固定在底架420的侧表面处的背光；反射片510，用于反射从发光二极管540发射的光；光引导件520，用于将从发光二极管540产生的点光转换成面光；以及光学片530，用于获得从发光二极管540发出的光的亮度特性以将光提供到液晶面板300。
[0060]光学片530包括用于漫射光的漫射片(diffuser sheet) 531、用于收集漫射光的光收集片532、以及用于保护光收集片532上形成的光收集图案的保护片533。
[0061]下面，将参照图1至图5描述根据本发明的示例性实施方式的液晶面板300。
[0062]液晶面板(或者液晶显示面板)300包括液晶构件、带载封装(tape carrierpackage, TCP) 340以及印刷电路板(PCB)330。液晶构件包括包含多个薄膜晶体管(TFT)的下部面板100，位于下部面板100上方的上部面板200，以及注入至上部面板和下部面板之间的空间中的液晶。偏振器310和320分别附接在上部面板200的顶面上和下部面板100的底面上以线性地偏振从背光单元500提供的可见光线。
[0063]下面，将参照图2至图5描述液晶面板300的下部面板100和上部面板200。
[0064]首先，将参照图2和图3描述根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器。图2是根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器的布局图，并且图3是沿着线II1-1II截取的图1的液晶显示器的截面图。
[0065]首先，将描述下部面板100。
[0066]包括栅极线121的栅极导体形成在由透明玻璃、塑料等形成的绝缘基板110上。
[0067]栅极线121包括栅电极124，以及用于与另一层或者外部驱动电路连接的宽端部。栅极线121可以由以下金属制成，如铝(A1)或铝合金的基于铝的金属、如银(Ag)或银合金的基于银的金属、如铜(Cu)或铜合金的基于铜的金属、如钼(Mo)或钼合金的基于钼的金属、铬(Cr)、钽(Ta)以及钛(Ti)。然而，栅极线121可具有包括具有不同的物理特性的至少两个导电层的多层结构。
[0068]由氮化娃(SiNx)、氧化娃(S1x)等形成的栅极绝缘层140形成在栅极线(例如，栅极导体)121上。然而，栅极绝缘层140可具有包括具有不同的物理特性的至少两个绝缘层的多层结构。
[0069]由非晶硅、多晶硅等制成的半导体154形成在栅极绝缘层140上。半导体154可以包括氧化物半导体。
[0070]欧姆接点163和165形成在半导体154上。欧姆接点163和165可以由诸如其中诸如磷的η型杂质以浓度掺杂的η+氢化非晶硅的材料制成或者硅化物制成。欧姆接点163和165可以形成为布置在半导体154上的一对。在半导体154是氧化物半导体的情况下，可以省去欧姆接点163和165。
[0071]包括数据线171的数据导体形成在欧姆接点163和165以及栅极绝缘层140上，所述数据线171包括源电极173和漏电极175。
[0072]数据线171包括用于与另一层或外部驱动电路连接的宽端部。数据线171传输数据信号并且基本上(或者主要)沿着竖直方向延伸以与栅极线121交叉。
[0073]在这种情况下，数据线171可具有具有弯曲形状的第一弯曲部以便获得液晶显示器的最大透射率，并且弯曲的部分在像素区的中间区域中可彼此接触以形成V的形状。弯曲以与第一弯曲部形成设定的或者预定的角度的第二弯曲部可以进一步包括在像素区的中间区域中。
[0074]数据线171的第一弯曲部可以弯曲以和与栅极线121的延伸方向(χ方向)形成90°角度的垂直基准线y (沿着y方向延伸的基准线)成约7°的角度。布置在像素区的中间区域的第二弯曲部可以进一步弯曲以与第一弯曲部形成约7°至15°的角度。
[0075]源电极173是数据线171的一部分，并且布置在与数据线171相同的线上。漏电极175形成为平行于源电极173延伸。.
[0076]栅电极124、源电极173和漏电极175结合半导体154形成薄膜晶体管(TFT)，并且薄膜晶体管的沟道形成在源电极173与漏电极175之间的半导体154中。
[0077]根据本发明的示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板包括放置在与数据线171相同的线上的源电极173和平行于数据线171延伸的漏电极175，并且因此，即使由数据导体占据的区域不增加，薄膜晶体管的宽度仍可以增加，由此增加液晶显示器的开口率(aperture rat1)。
[0078]这里，在一个实施方式中，数据线171和漏电极175是由如钼、铬、钽、和钛或者其合金的难熔金属制成的，并且可具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。多层结构的实例可以包括铬或钼(合金)下部层和铝(合金)上部层的双层，以及钼(合金)下部层、铝(合金)中部层、和钼(合金)上部层的三层。然而，数据线171和漏电极175可以由除此之外的各种合适的金属或导体制成。数据线171的宽度可以是约3.5 μπι±0.75。
[0079]第一钝化层180η布置在数据线(例如，导体)171和源电极和漏电极(例如，导体)173和175、栅极绝缘层140和半导体154的暴露的部分上。第一钝化层180η可以由有机绝缘材料、无机绝缘材料等形成。
[0080]第二钝化层180q布置在第一钝化层1