直下式发光装置以及显示器的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种直下式发光装置以及显示器，该直下式发光装置包括发光二极管单元、透镜以及光致发光层。透镜对应发光二极管单元设置，而光致发光层设置于透镜与发光二极管单元之间。透镜为中心内凹的透镜且具有一透镜中心，于水平方向上透镜中心的相对两侧分别具有一个曲面，各曲面具有一峰值点，两曲面的两峰值点之间具有一曲面峰值宽度，而曲面峰值宽度大于或等于透镜于水平方向上的透镜宽度的八分之一。通过透镜的规格限制，可使直下式发光装置的发光强度分布达到所需要求，进而改善直下式发光装置的发光效果。
【专利说明】
直下式发光装置以及显示器
技术领域
[0001] 本发明涉及一种直下式发光装置以及显示器，特别涉及一种具有中心内凹的透镜 的直下式发光装置以及显示器。
【背景技术】
[0002] 发光二极管由于具有耗电量低、元件寿命长、低驱动电压以及反应速度快等优点， 目前已广泛地被应用于交通号志、装饰灯具以及各式电子产品的光线来源等方面。使用发 光二极管来制作的背光模块目前亦已可见使用于许多平面显示产品之中。
[0003] 由于一般平面显示器中所需的背光光源多为白光光源，但目前白光发光二极管仍 有色纯度不佳或结构复杂与制作成本偏高等问题需要解决，因此亦有利用蓝光发光二极管 产生的蓝光来激发光致发光材料的方式产生白光出光。然而，由于光致发光材料所产生的 激发光的强度分布随着光致发光材料的材料特性而有所不同，若不经由其他方式调整各发 光二极管所对应的激发光的强度分布，当利用多个发光二极管搭配光致发光材料来形成直 下式背光模块时则容易发生整体出光亮度分布或/及色转换程度不均所导致的相关缺陷例 如黄斑现象等问题。
【发明内容】
[0004] 本发明的主要目的之一在于提供一种直下式发光装置以及显示器，利用对应发光 二极管单元与光致发光层设置中心内凹的透镜，并且限制此透镜的曲面峰值宽度与透镜宽 度之间的比例关系，藉此调整此直下式发光装置的发光强度分布而达到所需要求，进而改 善直下式发光装置的整体发光效果。
[0005] 为达上述目的，本发明的一较佳实施例提供一种直下式发光装置。此直下式发光 装置包括发光二极管单元、透镜以及光致发光层。透镜对应发光二极管单元设置，而光致发 光层设置于透镜与发光二极管单元之间。透镜为一中心内凹的透镜且具有一透镜中心，于 一水平方向上透镜中心的相对两侧分别具有一个曲面，各曲面具有一峰值点，两曲面的两 峰值点之间具有一曲面峰值宽度。曲面峰值宽度大于或等于透镜于水平方向上的透镜宽度 的八分之一。
[0006] 为达上述目的，本发明的一较佳实施例提供一种显示器。此显示器包括直下式发 光装置以及显示面板。直下式发光装置包括发光二极管单元、透镜以及光致发光层。透镜对 应发光二极管单元设置，而光致发光层设置于透镜与发光二极管单元之间。透镜为一中心 内凹的透镜且具有一透镜中心，于一水平方向上透镜中心的相对两侧分别具有一个曲面， 各曲面具有一峰值点，两曲面的两峰值点之间具有一曲面峰值宽度。曲面峰值宽度大于或 等于透镜于水平方向上的透镜宽度的八分之一。显示面板设置于直下式发光装置上，且直 下式发光装置包括背光模块。
[0007] 本发明的直下式发光装置以及显示器中，中心内凹的透镜是与发光二极管单元以 及光致发光层对应设置，且通过限制此透镜的曲面峰值宽度与透镜宽度之间的比例关系以 及对于透镜、光致发光层与发光二极管单元各自的规格以及彼此之间相对关系的要求，可 使得直下式发光装置的发光强度分布达到所需的要求，进而改善直下式发光装置的整体发 光效果。
【附图说明】
[0008] 图1绘示本发明第一实施例的显示器的剖面示意图。
[0009] 图2绘示本发明第一实施例的直下式发光装置的剖面示意图。
[0010] 图3绘示本发明第一实施例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0011] 图4绘示本发明第一比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0012]图5绘示本发明第二比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0013] 图6绘示本发明第三比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0014] 图7绘示本发明第四比较例的直下式发光装置的示意图。
[0015]图8绘示本发明第四比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0016] 图9绘示本发明第五比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0017] 图10绘示本发明第六比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0018] 图11绘示本发明第七比较例的直下式发光装置的示意图。
[0019] 图12绘示本发明第七比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0020]图13绘示本发明第八比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0021]图14绘示本发明第九比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0022] 图15绘示本发明第十比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0023] 图16绘示本发明第十一比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0024] 图17绘示本发明第十二比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0025]图18绘示本发明第十三比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0026] 图19绘示本发明第十四比较例的直下式发光装置的示意图。
[0027] 图20绘示本发明第十四比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图。
[0028] 图21绘示本发明第二实施例的直下式发光装置的示意图。
[0029] 其中，附图标记说明如下：
[0030] 10 基材
[0031] 11反射层
[0032] 20发光二极管单元
[0033] 20T发光面
[0034] 30光致发光层
[0035] 30T上表面
[0036] 40 透镜
[0037] 40C 中心
[0038] 40P峰值点
[0039] 40S 曲面
[0040] 50光调控膜片
[0041 ] 70光学膜
[0042] 60扩散片
[0043] 90显示面板
[0044] 101-102、201_203直下式发光装置
[0045] 300显示器
[0046] D1水平方向
[0047] D2垂直方向
[0048] G空气层
[0049] H1 高度
[0050] H2 厚度
[0051 ] H3 距离
[0052] R1 第一段
[0053] R2 第二段
[0054] SP混光空间 [0055] W1峰值宽度 [0056] W2透镜宽度 [0057] W3发光面宽度
[0058] W4 宽度
【具体实施方式】
[0059] 为使熟习本发明所属技术领域的一般技艺者能更进一步了解本发明，下文特列举 本发明的较佳实施例，并配合说明书附图，详细说明本发明的构成内容及所欲实现的技术 效果。
[0060] 请参考图1至图3。图1绘示本发明第一实施例的显示器的剖面示意图，图2绘示本 实施例的直下式发光装置的剖面示意图，而图3绘示本实施例的直下式发光装置的发光强 度分布示意图。如图1与图2所示，本实施例提供显示器300,显示器300包括直下式发光装置 101以及显示面板90。在显示器300中，直下式发光装置101可为背光模块，用以提供显示面 板90光源而达到显示效果，但本发明并不以此为限。在本发明的其他实施例中，直下式发光 装置101亦可视需要当作例如照明或其他适合的用途。在本实施例中，显示面板90可包括液 晶显示面板、电湿润(electro-wetting)显示面板或其他适合的非自发光式显示面板，但并 不以此为限。此外，显示器300可还包括其他需要的光学膜70或/及扩散片60,光学膜70与扩 散片60设置于直下式发光装置101与显示面板90之间，用以更进一步调整进入显示面板90 的光线状况。
[0061 ]在本实施例中，直下式发光装置101可包括发光二极管单元20、光致发光层30以及 透镜40。透镜40对应发光二极管单元20设置，而光致发光层30设置于透镜40与发光二极管 单元20之间。在本实施例中，发光二极管单元20、光致发光层30以及透镜40可设置于基材10 上，而基材10上亦可设置反射层11，用以将光线反射至出光方向。此外，在本发明所附的各 附图中为了方便说明而仅绘示出一组的发光二极管单元20、光致发光层30与透镜40,而各 直下式发光装置的发光强度分布示意图亦仅代表一组的发光二极管单元20、光致发光层30 与透镜40的搭配下所产生的发光强度分布。然而，本发明的直下式发光装置并不以一组的 发光二极管单元20、光致发光层30与透镜40为限而可视设计需要包括多组的发光二极管单 元20、光致发光层30与透镜40。在本实施例中，透镜40为中心内凹的透镜，且此中心内凹的 透镜可为反射型透镜。透镜40例如为圆形透镜，当以剖面图关之，透镜40的透镜中心40C于 水平方向D1上的相对两侧分别具有一个曲面40 S，各曲面40 S具有峰值点40P，相对两曲面 40S的相对两峰值点40P之间具有曲面峰值宽度W1;换言之，由透镜中心40C至外围侧边，透 镜40具有曲面40S，在任一透镜直径W2延伸的方向上具有两个相对的峰值点40P，相对两峰 值点40P之间的距离即为曲面峰值直径W1。此外，透镜中心40C较佳与发光二极管单元20相 对应，曲面40S是为透镜40远离发光二极管单元20的一面，而透镜40邻近发光二极管单元20 的一面可为平面。曲面峰值宽度(或直径)W1大于透镜40于水平方向D1上的透镜宽度(或直 径)W2的八分之一，用以使直下式发光装置101的发光强度分布可达到所需要求。举例来说， 本实施例的光致发光层30可为量子点光致发光层，发光二极管单元20可为蓝光发光二极管 单元，而发光二极管单元20所发出的蓝光可激发光致发光层30而产生白光激发光，但本发 明并不以此为限。在本发明的其他实施例中亦可视需要使用其他种类的光致发光层30或/ 及发光二极管单元20来达到所需要的出光效果。然而，在上述的量子点光致发光层搭配蓝 光发光二极管单元来产生白光激发光的方式下，若因为发光的视角分布状况而导致不同位 置的颜色转换不均匀则容易发生黄斑现象而影响到发光以及显示效果。因此，为了解决上 述的黄斑现象，对于直下式发光装置101的发光强度分布状况必须有特别的要求，例如发光 强度分布的峰值点对应的角度必须大于60度，发光强度分布的中心强度与峰值强度的比值 需小于30%，且角度介于20至40度之间的发光强度与峰值强度的比值需小于50%。如图3所 示，在本实施例的透镜40的设置下，发光强度分布的峰值点对应的角度已大于60度(约为63 ~64度），发光强度分布的中心强度与峰值强度的比值已小于30% (于0度的强度与峰值强 度的比值约为21%~23%)，且角度介于20至40度之间的发光强度与峰值强度的比值已小 于50% (约为17%~25% )，故已可符合上述的发光强度分布要求。
[0062] 请参考图2、图4、图5、图6以及下列表1。图4绘示本发明第一比较例的直下式发光 装置的发光强度分布示意图，图5绘示本发明第二比较例的直下式发光装置的发光强度分 布示意图，图6绘示本发明第三比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图，而表1则 列出第一比较例至第三比较例的曲面峰值宽度与透镜宽度的比值状况。也就是说，第一比 较例至第三比较例可视为在第一实施例的结构基础上改变曲面峰值宽度W1与透镜宽度W2 的比值的结果。如图2、图4、图5、图6以及下列表1所示，当曲面峰值宽度W1与透镜宽度W2的 比值小于1/8时，如图4第一比较例的状况，其发光强度分布状况已无法符合上述的为了解 决黄斑现象的要求，而相对来说，当曲面峰值宽度W1与透镜宽度W2的比值大于或等于1/8时 (如图5第二比较例与图6第三比较例的状况），其发光强度分布状况中，发光强度分布的峰 值点对应的角度已大于60度(约为64~65度），发光强度分布的中心强度与峰值强度的比值 已小于30% (于0度的强度与峰值强度的比值约为28%、18%)，且角度介于20至40度之间的 发光强度与峰值强度的比值已小于50% (约为21 %~31 %、13%~21%)，故可符合上述的 为了解决黄斑现象的要求。由此可知，曲面峰值宽度W1大于或等于透镜40于水平方向D1上 的透镜宽度W2的八分之一为解决黄斑现象的必要条件。
[0063] 表 1
[0065]此外，如图1与图2所示，直下式发光装置101可还包括具有穿孔与反射功能的光调 控膜片(Golf film)50设置于透镜40上方，而光致发光层30与发光二极管单元20之间是被 一空气层G隔离而具有一间隙，并通过于反射层11至扩散片60之间的混光空间SP进行混光 而形成直下式的发光效果，但并不以此为限。光调控膜片50的设置可使得可放置透镜的高 度接近本实施例的扁形的透镜40的需求，通过空气层G隔离光致发光层30与发光二极管单 元20可降低热效应对颜色稳定性的影响，而光致发光层30与透镜40的搭配可维持宽强度视 角分布效果而可用以解决因不同位置颜色转换不均所造成的黄斑问题。然而，由于发光二 极管单元20的发光场型为朗伯特(Lambertian)型，故当发光二极管单元20远离透镜40时， 透镜40所造成的光学效果(低中心强度与双峰值分布)会随的下降，故光致发光层30与发光 二极管单元20之间的间隙的距离亦不能过大。举例来说，本实施例的光致发光层30与发光 二极管单元20之间间隙的距离H3较佳是小于发光二极管单元20于水平方向D1上的一发光 面宽度W3，且光致发光层30与发光二极管单元20之间的距离H3较佳是小于0.5毫米，但并不 以此为限。此外，当发光二极管单元20的发光面与透镜40以及光致发光层30过近时，由于光 致发光层30易受到热效应影响故可玻璃作封装，而透镜40亦可选择以玻璃材质制作以避免 热变形，但并不以此为限。
[0066]更进一步说明本实施例的直下式发光装置101中关于透镜40、光致发光层30以及 发光二极管单元20各自的规格以及彼此之间相对关系的要求，其中，透镜40的曲面40S的峰 值点40P的高度H1较佳是小于透镜宽度W2的八分之一，藉此形成扁形的透镜40。此外，透镜 40的边缘厚度较佳是小于曲面40S的峰值点40P与光致发光层30的上表面30T之间的距离 (亦可视为如图2中所示的峰值点40P的高度H1 )，亦即，透镜40的峰值点40P为透镜40最厚的 位置，由峰值点40P往外围的厚度有越来越小的趋势。在此状况下，透镜40的侧边的高度较 低，藉此可降低中心的发光强度而可因此使直下式发光装置中的发光二极管单元20所需数 量减少或可缩小透镜40的所需宽度。然而，为了确保透镜40的光学效果，峰值点40P的高度 H1亦不可过小，在本实施例中，曲面40S的峰值点40P的高度H1较佳大于发光二极管单元20 于水平方向D1上的发光面宽度W3。举例来说，请参考图2、图7至图10以及下列表2。图7绘示 本发明第四比较例的直下式发光装置201的示意图，图8绘示本发明第四比较例的直下式发 光装置201的发光强度分布示意图，图9绘示本发明第五比较例的直下式发光装置的发光强 度分布示意图，图10绘示本发明第六比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图，而 表2则列出第四比较例至第六比较例的曲面的峰值点的高度与发光二极管单元的发光面宽 度的比值状况。也就是说，第四比较例至第六比较例可视为在第一实施例的结构基础上改 变曲面40S的峰值点40P的高度H1与发光二极管单元20的发光面宽度W3的比值的结果。其 中，如图7所示，第四比较例的峰值点40P的高度H1小于上述第一实施例（如图2所示）的峰值 点40P的高度H1，故使得第四比较例的峰值点40P的高度H1与发光二极管单元20的发光面宽 度W3的比值变小，约为1.1。如图2、图7、图8、图9、图10以及下列表2所示，当峰值点40P的高 度HI与发光面宽度W3的比值小于1.2时(如图8第四比较例的状况），其发光强度分布的中心 强度与峰值强度的比值约为44%，大于30%，因此其发光强度分布状况已无法符合上述的 为了解决黄斑现象的要求，而相对来说，当峰值点40P的高度H1与发光面宽度W3的比值大于 或等于1.2时(如图9第五比较例与图10第六比较例的状况），其发光强度分布状况则可符合 上述的为了解决黄斑现象的要求，且可看出此比值越大时发光强度分布状况越符合需求。 由此可知，曲面40S的峰值点40P的高度H1至少需大于或等于发光二极管单元20于水平方向 D1上的发光面宽度W3的1.2倍，且峰值点40P的高度H1较佳大于或等于发光二极管单元20的 发光面宽度W3的1.5倍。透镜40的峰值点40P的高度H1提高可下降中心40C的发光强度或可 进一步缩小透镜40的大小。
[0067]表 2
[0070]如图2所示，透镜40的各曲面40S具有第一段R1以及第二段R2分别水平方向D1上位 于峰值点40P的两侧，且第一段R1是位于透镜40的中心40C与第二段R2之间。曲面40S的第一 段R1的斜率绝对值的最大值大于第二段R2的斜率绝对值的最大值，且第一段R1于垂直方向 D2上的投影是落于光致发光层30的范围内，且第二段R2于垂直方向D2上的投影是部分落于 光致发光层30的范围内。
[0071]请参考图2、图3、图11与图12。图11绘示本发明第七比较例的直下式发光装置202 的示意图，而图12绘示第七比较例的直下式发光装置202的发光强度分布示意图。如图2、图 3、图11与图12所示，第七比较例的直下式发光装置202与第一实施例的直下式发光装置101 不同的地方在于，第七比较例的直下式发光装置202具有相对较大的发光二极管单元20，然 而第七比较例的发光强度分布状况并不符合上述的为了解决黄斑现象的要求，其发光强度 分布的峰值点对应的角度约为4度而未大于60度，如图12所示。由此可知，发光二极管单元 20于水平方向D1上的发光面宽度W3较佳是小于曲面峰值宽度W1，以使透镜40可配合发光二 极管单元20所产生的光线而获得所需的发光强度分布状况。此外，请参考图2、图13至图18 以及下列表3。图13绘示本发明第八比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图，图14 绘示本发明第九比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图，图15绘示本发明第十比 较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图，图16绘示本发明第十一比较例的直下式发 光装置的发光强度分布示意图，图17绘示本发明第十二比较例的直下式发光装置的发光强 度分布示意图，图18绘示本发明第十三比较例的直下式发光装置的发光强度分布示意图， 而表3则列出第八比较例至第十三比较例的光致发光层的宽度与发光二极管单元的发光面 宽度的比值状况。也就是说，第八比较例至第十三比较例可视为在第一实施例的结构基础 上改变光致发光层30的宽度W4与发光二极管单元20的发光面宽度W3的比值的结果。如图2、 图13至图18以及下列表3所示，第九比较例至第十二比较例均可符合上述的为了解决黄斑 现象的发光强度分布要求，第八比较例（如图13所示）则并未符合此要求，其发光强度分布 的峰值点对应的角度小于60度，且第十三比较例（如图18所示）亦未符合此要求，其发光强 度分布的中心强度与峰值强度的比值约为38%~43%已大于30%。因此，为了获得所需的 发光强度分布状况，光致发光层30于水平方向D1上的宽度W4需大于或等于发光二极管单元 20于水平方向D1上的发光面宽度W3的1.2倍且小于或等于发光二极管单元20于水平方向D1 上的发光面宽度W3的5.2倍，且较佳地，光致发光层30的宽度W4可大于或等于发光面宽度W3 的1.4倍且小于或等于发光面宽度W3的1.6倍。
[0072] 表 3
[0073]
[0074]请参考图2、图19与图20。图19绘示本发明第十四比较例的直下式发光装置203的 示意图，而图20绘示第十四比较例的直下式发光装置203的发光强度分布示意图。如图2、图 19与图20所示，透镜40的曲面40S的峰值点40P与光致发光层30的上表面30T之间的距离（亦 可视为如图2中所示的峰值点40P的高度H1)较佳大于光致发光层30的厚度H2，因为在较厚 的光致发光层30的状况下（如图19的状况），会使得发光二极管单元20的发光面20T远离透 镜40,进而使得透镜40所需造成的光学效果（低中心强度与双峰值分布）下降（如图20的效 果)。
[0075] 因此，基于为了解决黄斑现象而对于直下式发光装置101的发光强度分布状况必 须有特别的要求，而本实施例中对于透镜40、光致发光层30以及发光二极管单元20各自的 规格以及彼此之间相对关系的要求，例如曲面峰值宽度W1与透镜宽度W2的比值需大于或等 于1/8、曲面40S的峰值点40P的高度H1较佳小于透镜宽度W2的八分之一、曲面40S的峰值点 40P的高度H1较佳大于发光二极管单元20的发光面宽度W3、以及发光二极管单元20的发光 面宽度W3较佳大于光致发光层30与发光二极管单元20之间的距离H3等，可使得直下式发光 装置101的发光强度分布状况满足所需要求而可用以解决黄斑现象而改善直下式发光装置 101的整体发光效果。
[0076] 请参考图2与图21。图21绘示本发明第二实施例的直下式发光装置102的示意图。 如图21与图2所示，本实施例的直下式发光装置102与上述第一实施例的直下式发光装置 101不同的地方在于，在直下式发光装置102中，透镜40的曲面峰值宽度W1大于光致发光层 30于水平方向D1上的宽度W4，也就是说，本实施例的光致发光层30相对较小，藉此在不影响 所需的发光强度分布状况的前提下减少光致发光层30的用量，而可达到降低制造成本的效 果。另一方面，如图2所示的状况，曲面峰值宽度W1亦可小于光致发光层30于水平方向D1上 的宽度W4,藉此可利用相对较大的光致发光层30来提升颜色转换效果。换句话说，上述的曲 面峰值宽度W1与光致发光层30的宽度W4之间的相对关系可依据不同的目的（制造成本或颜 色转换效果)而进行调整。
[0077]综上所述，在本发明的直下式发光装置以及显示器中，中心内凹的透镜是与发光 二极管单元以及光致发光层对应设置，且通过限制此透镜的曲面峰值宽度与透镜宽度之间 的比例关系以及对于透镜、光致发光层与发光二极管单元各自的规格以及彼此之间相对关 系的要求，可使得直下式发光装置的发光强度分布达到所需的要求，进而改善直下式发光 装置的整体发光效果。
[0078]以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修 饰，皆应属本发明的涵盖范围。
【主权项】
1. 一种直下式发光装置，包括： 一发光二极管单元； 一透镜，对应该发光二极管单元设置，其中该透镜为一中心内凹的透镜且具有一透镜 中心，于一水平方向上该透镜中心的相对两侧分别具有一个曲面，各该曲面具有一峰值点， 该两曲面的该两峰值点之间具有一曲面峰值宽度，其中该曲面峰值宽度大于或等于该透镜 于该水平方向上的一透镜宽度的八分之一；以及 一光致发光层，设置于该透镜与该发光二极管单元之间。2. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该曲面的该峰值点的高度是小于该透镜 宽度的八分之一。3. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该曲面的该峰值点的高度大于或等于该 发光二极管单元于该水平方向上的发光面宽度的1.2倍。4. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该光致发光层与该发光二极管之间具有 一间隙，该发光二极管单元于该水平方向上的一发光面宽度大于该光致发光层与该发光二 极管单元之间该间隙的距离。5. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该曲面具有一第一段以及一第二段分别 于该水平方向上位于该峰值点的两侧，该第一段的斜率绝对值的最大值大于该第二段的斜 率绝对值的最大值，且该第一段是位于该透镜的该中心与该第二段之间。6. 如权利要求5所述的直下式发光装置，其中该第一段于一垂直方向上的投影是落于 该光致发光层的范围内，且该第二段于该垂直方向上的投影是部分落于该光致发光层的范 围内。7. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该透镜的边缘厚度是小于该曲面的该峰 值点与该光致发光层的上表面之间的距离。8. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该曲面的该峰值点与该光致发光层的上 表面之间的距离大于该光致发光层的厚度。9. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该曲面峰值宽度是小于该光致发光层于 该水平方向上的宽度。10. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该曲面峰值宽度大于该光致发光层于该 水平方向上的宽度。11. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该光致发光层于该水平方向上的宽度大 于或等于该发光二极管单元于该水平方向上的一发光面宽度的1.2倍且小于或等于该发光 二极管单元于该水平方向上的该发光面宽度的5.2倍。12. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该发光二极管单元于该水平方向上的一 发光面宽度是小于该曲面峰值宽度。13. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该光致发光层与该发光二极管单元之间 是被一空气层隔离。14. 如权利要求13所述的直下式发光装置，其中该光致发光层与该发光二极管单元之 间的距离是小于0.5毫米。15. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该光致发光层包括一量子点光致发光 层。16. 如权利要求1所述的直下式发光装置，其中该发光二极管单元包括一蓝光发光二极 管单元。17. -种显示器，包括： 如权利要求1至18中任一所述的该直下式发光装置；以及 一显示面板，设置于该直下式发光装置上，其中该直下式发光装置包括一背光模块。18. 如权利要求17所述的显示装置，还包括一扩散片，设置于该直下式发光装置与该显 示面板之间。19. 如权利要求17所述的显示装置，还包括一光调控膜片设置于该透镜上。
【文档编号】G02F1/13357GK106054446SQ201610362649
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年5月26日
【发明人】陈明伦, 徐明君
【申请人】友达光电股份有限公司