专利名称：用于蚀刻设置于绝缘板上的薄导电层的方法和设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于蚀刻基于氧化锡、氧化铬、氧化铟或这些氧化物中的至少两个的混合物的薄导电层的方法和设备，该薄导电层沉积于绝缘板上，以便在此衬底上形成导电电极阵列。
背景技术：
为了在例如玻璃板的绝缘板上制造这种电极阵列，有时，将均匀导电层涂于该板上，然后在该层蚀刻电极要比直接将电极施加到该板上更加有优势和/或更经济。
例如，这是在要形成等离子体显示器面板的玻璃板或板上制造透明导电电极的情况于是，出发点是覆盖有通过热解方式获得的基于氧化锡的透明导电层的玻璃板；因此，当其离开玻璃板制造工厂时，在生产线中，可以直接在玻璃上制造氧化锡层；通过锡化合物的热解，当玻璃仍然处于600℃左右的温度时，沉积通常掺杂了氟的氧化锡；所获得的氧化锡层至少具有三个主要优点-导电层的电阻率足够低，从而能够在等离子体板的面板上形成电极阵列；通常电阻率在10到25Ω/□之间；-所获得的导电层在化学上非常稳定；因此，当将等离子体板操作所需的介电搪瓷层沉积于该层上并烘烤时，该层不会遭到破坏；以及-与用于其它情况下形成透明电极阵列的真空溅射沉积相比，该沉积方法非常便宜。
但是，由于当要获得非常精确的几何形状时，在工业生产线中，该层的电化学蚀刻是特别难以控制，因此这种制造透明电极的方法存在主要缺点。
更具体地，传统上，用于蚀刻电极的上述方法包括下列步骤
-将具有与所述电极阵列相同图案的保护膜涂于导电层上；-使具有保护膜的板通过电化学蚀刻浴运行；-在通过其运行期间，利用浸入蚀刻浴的反电极，使电流流过所述反电极和未由所述膜保护的所述板的导电层浸入区域之间的所述浴；以及-去除保护膜。
例如，在下列文献中说明了用于实现其的上述的方法和设备-由B.J.Baliga等人所写的题目为“Electrochemicalpatterning of tin oxide film”的文章，见Journal of theElectrochemical Society，1977，Vol.124，No.7，1059-1060页；-由Y.Matsuo等人所写的题目为“Micromachining of tin oxideby electrochemical reduction process”的文章，见Journal of theElectrochemical Society，1998，Vol.145，No.9，3067-3069页；以及-下列专利申请美国3 205 155、美国3 507 759、美国3 668089、美国4 165 989、美国5 227 036以及日本06-293278。
在这些文献中说明了浴的性质和温度、运行的速度以及电流流动条件。
如上述文献中描述的，这些用于执行电化学蚀刻处理的设备的缺点在于不能充分均匀地蚀刻要蚀刻的导电层区域以及不能形成具有足够精确的轮廓的较窄的电极；在通过电解获得的基于氧化锡的导电层的情况下，该问题尤其关键。
这是因为必须通过与该层接触的电流馈电电极将电化学电腐蚀电流馈入具有薄导电层的浸入区域；在使所述薄层与该电极进行电接触的各个区域和该层在浴中被蚀刻的各个区域之间，电流路径具有不同长度；由于该层的导电率并不明显，因此最短的电流路径成为优先的路径，由此，产生了优先的蚀刻区域；在整个蚀刻过程中，该层区域变薄加剧了该效应。
发明内容
本发明的目的是避免上述缺点。
出于此目的，本发明的主题是用于蚀刻沉积于绝缘板上的薄导电层的方法，从而在该板上形成在此层中的导电电极阵列，所述方法包括以下步骤-在蚀刻之前，将具有与所述电极阵列的电极相对应图案的保护膜涂于所述导电层上；-为了蚀刻，使所述导电层表面的未保护区域与电化学蚀刻浴接触，利用浸入浴中的反电极，使电流流过在所述反电极和所述未保护区域之间的所述浴，从而在所述层的整个厚度上蚀刻这些区域；其特征在于，在蚀刻期间-使所述板沿着与要形成电极的总方向相对应的方向运行；-为了使电流流过所述浴，使电流沿着位于导电层表面并且与运行方向相交的接触线馈入所述未保护区域；以及-使所述电化学浴在由要蚀刻层的表面和所述反电极的有效表面界定的浴剪切区域中循环。
通常，在蚀刻之后，去除所述保护膜。
无论这些阵列的电极处于直线的形式或形成迂回路径，以及无论其是否具有分支，大多数阵列的电极具有共同的总方向；根据本发明，其大致沿着使板运行的方向；由于这样的结构，可以将电流从接触线刚好馈入浸入于浴中的未保护区域中，而没有任何电中断，尤其是穿过正在形成的电极。
将术语“反电极的有效表面”理解为指浸入浴中的该反电极的主表面，大多数电流通过了该主表面。
通过使所述浴在高电流密度的区域，即在剪切区域中循环，能够在实质上提高蚀刻的效率和均匀性。
因此，板运行的这种方式、用于馈入电流且循环所述浴的方式有助于蚀刻的均匀性和准确性；因而易于获得具有非常精确限定的轮廓的电极阵列，并且易于制造宽度窄且/或形状复杂的电极。
优选地，接触线和最接近于该接触线的浴剪切区域部分之间的距离在要蚀刻区域的整个宽度中是不变的。
因此，将电流均匀地分配到在蚀刻期间与所述浴接触的每一个未保护区域(4)上；同时提高了蚀刻的均匀性和阵列的电极轮廓的精度。
根据用于实现根据本发明方法的最普遍和最简单设置-所述接触线是直的，且垂直于运行方向；-按照相同方向或相反方向，使所述浴在剪切区域中循环的方向与所述运行方向一致；以及-剪切区域在要蚀刻区域的整个宽度上具有几乎不变的厚度。
将表述“剪切区域的厚度”理解为表示要蚀刻层的表面和反电极的有效表面之间的距离。
优选地，所述接触线和最接近于该接触线的浴剪切区域部分之间的距离小于5厘米。
因此，相当大地缩短了通过导电层流向所述浴的电流线路，由此减小了导电层中的欧姆损耗。
优选地，在大致与所述反电极有效表面的宽度相对应的距离上，浴剪切区域沿着运行方向也具有几乎不变的厚度。
因此，浴剪切区域的宽度与反电极的宽度相对应；该宽度与运行速度一起确定了蚀刻每一个要蚀刻的表面单元所需的最大时间；因此，有利的是，反电极的宽度可以与所期望的运行速度和所期望的蚀刻时间相适应。
优选地，所述剪切区域的厚度在0.1毫米和5毫米之间。
这是一种在有益于蚀刻效率的所述浴的高剪切速率和由于其在要蚀刻的表面和反电极之间运行而存在短路危险之间的较好折衷。
优选地，将在所述剪切区域循环的电化学浴的流近似均匀地分布于要蚀刻区域的整个宽度上。
因此，提高了蚀刻的均匀性。
本发明还具有下列一个或多个特点-薄导电层基于氧化锡、氧化铬、氧化铟或至少两种这些氧化物的混合物；-通过热解方式将薄导电层沉积于绝缘板之上；-电化学蚀刻浴包括从由盐酸、硫酸、硝酸、铬酸、乙酸以及甲酸构成的组中选择的至少一种酸；-反电极充当正极；-与电化学浴接触的导电层中的平均电流密度大于1A/dm2，最好大于10A/dm2；-所述浴的温度大于或等于30℃；以及-绝缘板由玻璃制成。
本发明的主题也是一种用于蚀刻放置于绝缘板上的薄导电层的区域的设备，该设备能够用于实现根据前述权利要求任一个所要求的方法的蚀刻步骤，包括-用于使所述板沿着平面运行路径运行以使要蚀刻的表面与蚀刻浴相接触的装置；-用于在与所述浴接触之前将电流馈入所述导电层的装置，；-浸入所述浴中的反电极，用于电流的返回；-用于使电流流过所述电流馈电装置和电流返回反电极之间的所述浴的装置，；其特征在于-电流馈入装置包括导轨，适用于沿着运行路径与板的所述导电层的表面接触，按照使在此层上的导轨接触线与运行路径相交的方式放置该导轨；以及-所述设备还包括用于在反电极的有效表面和运行路径之间进行浴循环的装置，所述浴循环区域形成了具有运行路径上游开口和下游开口的剪切区域。
优选地，设置该导轨，以使所述接触线和最接近于该接触线的剪切区域部分之间的距离在要蚀刻区域的整个宽度上是不变的；依赖于浴循环的方向，该最接近区域与运行路径的上游开口或下游开口相对应。
根据这样的最普遍和最简单的设置，在根据发明的设备中-所述导轨是直的，且垂直于运行方向；-反电极的有效表面和运行路径之间的距离在要蚀刻区域的整个宽度上是近似不变的；以及
-设计用于进行浴循环的装置，以便按照相同方向或相反方向，使所述浴沿着与板运行相同的方向在剪切区域中循环。
优选地，所述接触线和最接近于该接触线的剪切区域部分之间的距离小于5厘米。
优选地，反电极的有效表面具有平行于运行路径放置的平面主部分。
优选地，反电极的有效表面和运行路径之间的距离在0.1毫米到5毫米之间。
优选地，用于进行浴循环的装置包括浴流分布装置，适用于在剪切区域开口的整个宽度上获得不变的浴流动速率。
优选地，浴循环装置包括喷嘴，该喷嘴至少在要蚀刻层的整个宽度上延伸，且其开口指向剪切区域开口之一。
优选地，循环装置适用于迫使由喷嘴喷射的浴在所述剪切区域中循环。
优选地，根据本发明的设备包括用于恢复在剪切区域的开口之一退出的浴的装置、以及用于再次循环所恢复的浴的装置。
优选地，根据本发明的设备包括用于在退出浴时擦拭被蚀刻表面的装置。
本发明的目的还在于在制造显示器前板或面板时根据本发明的方法和/或设备的使用，该板具有至少一个电极阵列；优选地，因此所述板的制造包括将介电搪瓷层涂于所述阵列上并对该搪瓷层进行烘烤。
通过阅读由非限定性实例所给出的以下描述并参考附图，本发明将得到更为清楚地理解，其中-图1示出了根据本发明的设备的优选实施例的横截面图；以及-图2示出了在根据图1的设备中，运行板和循环浴的透视图。
具体实施例方式
参考图2，绝缘玻璃板1包括基于氧化锡的导电层2，在这种情况下，通过热解方式沉积于绝缘玻璃板1的下表面，在该导电层中需要蚀刻电极阵列；该层的厚度是大约400纳米，其电阻率是大约15Ω/□(欧姆/平方)。
按照本质上已知的方式，将具有与要蚀刻的阵列的电极相对应图案的保护膜3涂覆于导电层2上；在该膜3的图案之间，未被膜保护的表面形成了要蚀刻的导电层的区域4；该要蚀刻的区域分布于板的整个宽度上，由此形成了要蚀刻区域的整个宽度。
按照本质上已知的方式涂上保护膜(带有图案)。具体地，可以通过光刻或丝网印刷来涂抹保护膜；通常其厚度在5到30μ米；使该膜的构成和粘附力适合于经受住下面将要描述的电化学蚀刻操作。
如图1和图2所示，根据优选实施例，根据本发明的蚀刻设备具有下列组件-用于使板1沿着平面运行路径、按照箭头D所示方向和方位运行的装置；这里，这些装置包括导辊5a、5b、5b’和5c，按照本质上已知的方式沿着箭头所示的旋转方向驱动这些导辊，且这些导辊定义了板的运行路径；此后，更准确地，运行路径上的板与导电层相对应，即，与板的下表面相对应；-至少延伸到要蚀刻层的整个宽度上的固定横向构件6，最接近于运行路径的该横向构件的表面61利用该路径，定义了具有近似不变厚度Ec的剪切区域7；这里，横向构件6是直的，且垂直于运行路径放置；这里，表面61是平面，且按照剪切区域7也沿着运行路径具有不变厚度Ec的方式平行于运行路径；因此，剪切区域7形成了长方体，该长方体形成了用于循环蚀刻浴的管道，所述管道具有上游开口8和下游开口9；-用于使蚀刻浴按照运行方向、这里是按照与运行方向相同的方向在该剪切区域7中循环的装置，按照这种方式，蚀刻浴通过充当入口的上游开口8进入该区域，并通过充当出口的下游开口9退出所述区域；这些装置包括喷嘴，所述喷嘴至少延伸到要蚀刻层的整个宽度上，且其开口朝向剪切区域开口之一，在这种情况下是上游开口8；优选地，如图1和2所示，喷嘴的开口与剪切区域7的开口8相一致，从而强制由该喷嘴喷射在剪切区域7中循环；在不脱离本发明的情况下，可以设想没有强制循环的其他实施例。
-用于在其接触到剪切区域7中的浴之前，将电流馈入导电层4的装置，因此，这些装置位于该剪切区域7的运行路径的上游；这些装置包括固定导轨11，该固定导轨11包括接触器12，用于与运行路径上的板1的导电层2的未保护区域4直接接触，按照使这些接触器的接触线13与该运行路径相交且位于要蚀刻层的整个宽度上的方式来设置所述导轨；这里，这些接触器12还与导电层2的覆盖区域和受保护区域中的保护膜3接触；由于这里导轨11是直的，且垂直于运行方向放置，因此接触线13也是直的且垂直于运行方向；这里，通过固定装置14将导轨11固定于横向构件6上；-用于电流返回的反电极10，固定于横向构件6上，该反电极的有效表面形成最接近于横向构件6的运行路径的表面61的至少一部分；该反电极10由导电材料制成；-用于使电流流过在电流馈电导轨11和反电极10之间的剪切区域7中循环的浴。
在该剥离设备中，在这种情况下，最接近接触线13的浴剪切区域部分与剪切区域7的上游开口8相对应。
由于这里的横向构件6同时支撑电流馈电接触导轨11和电流返回反电极10，因此，这里的横向构件6由绝缘材料制成。
根据图1的实施例，横向构件6还充当用于将浴喷到剪切区域7中的喷嘴；出于此目的，横向构件6包括内空腔18，用于分配由固定于横向构件6的板15限定的至少一个管道中出现的流，该管道通过喷嘴依次出现在剪切区域7的上游开口8中；该空腔18提供有依次与浴再循环装置(未示出)相连的浴输入管16；空腔18能够在开口8的整个宽度上获得不变的浴流动速率；将网眼(mesh)17(或多个这种网眼)穿过空腔18放置，以便进一步提高在浴喷嘴的整个长度上的流动的均匀分布；因此，在垂直于运行方向的浴剪切区域的整个部分中，该部分每单位长度的浴流动速率在要蚀刻区域的整个宽度上几乎不变的；在不脱离本发明的前提下，可以使用其它浴分配装置。
反电极10在设备的整个宽度上、以及按照运行方向在可以调整的有效宽度上延伸；为了对其进行调整，可以使用具有不同宽度的多种反电极的集合；例如，反电极10由钛制成；有效表面61可以由具有诸如大约5微米厚度的铂薄层形成；铂的使用防止了钝化。
优选地，剪切区域7的厚度Ec在0.1到5毫米之间，例如等于3或4毫米。
如图1所示，有利的是，分离上游开口8的接触线13与浴剪切区域7的距离(见图2)在1到5毫米之间；参考图1，这里，该距离取决于限定了浴喷嘴管道的板15的厚度；该板15由绝缘材料制成，以便防止电流直接在接触器12和浴之间通过。
在不脱离本发明的前提下，接触器12可以位于离板15一定距离的位置上；之后，板15充当“止回刃(nonreturn blade)”。
可以诸如由石墨纤维或碳纤维形成由导轨11支撑的接触器12；这些纤维的直径最好实质上小于要蚀刻区域的宽度。
蚀刻设备还包括用于恢复通过下游开口9退出剪切区域的浴的装置(未示出)，因而能够将所述的浴重新注入再循环装置。
最后，在剪切区域的出口，蚀刻设备包括擦拭装置19，适合于去除由运行板曳出的浴，或实际上还去除从要蚀刻的导电层中残留的任何固体；这里，这些装置包括毛刷滚20和支承滚(backing roll)21。
根据本发明的一个变体，也是在剪切区域7的出口，该设备包括用于诸如通过向该膜上喷射碱浴来从运行板的表面去除保护膜3。
现在对根据本发明方法的蚀刻或蚀刻步骤进行说明。
根据背景技术部分中上述文献的教导，通过使其成分适应于要蚀刻的导电层的性质来准备蚀刻浴；例如，在厚度是0.4微米的基于热解氧化锡层的情况下，使用室温下5wt％的盐酸浴。
按照下列方式确定板1的运行速度，所述方式为使该板在剪切区域7中的驻留时间足够长，以便能够蚀刻在其整个厚度上的导电层的未保护区域；因此，可以看出允许的最大运行速度取决于蚀刻条件以及要蚀刻的导电层的性质和厚度；实际上，运行速度可以在0.1到2米/分钟之间，例如在大约0.2到0.3米/分钟。
当带有朝向下方的导电层2的板1运行时，穿过横向构件6和喷嘴，使用浴再循环装置将蚀刻浴注入到剪切区域7中；图2中的箭头Be和Bs表示了在剪切区域7中的浴循环。
当板1正在运行且蚀刻浴在剪切区域7中循环时，使电流在导轨11和反电极10之间流动；由导轨承载的接触器12和要蚀刻的未保护区域4之间一连串的电触点形成了与板1的运行路径相交的接触线13，其中所述电触点排列于绝缘膜3的图案之间且沿着导轨分布；从这些触点开始，将电流传导到导电层的厚度中，直到与浴接触的要蚀刻区域4的部分；然后，在剪切区域的厚度Ec上，电流通过在与浴接触的要蚀刻区域4的表面和反电极的有效表面61之间的浴；因此，电流线特别短，这具有限制了欧姆损耗的优点；馈入到导轨11的电流可以超过5A/dm，通常在导轨11和反电极10之间的最大电压是20伏处；因此，对于2厘米的反电极宽度，电流密度可以超过25A/dm2(安培/平方分米)；为了实现有效的蚀刻，电流密度最好大于1A/dm2，甚至大于10A/dm2。
优选地，如图1所示，导轨11充当阴极，而反电极10充当阳极。
在下列条件下，在室温下使用5wt％的HCl溶液，能够在0.4微米厚度的热解氧化锡层上获得较好的蚀刻结果，所述条件为剪切区域厚度Ec＝3毫米；要蚀刻板的宽度＝600毫米；在此剪切区域中，浴流动速率大约是10升/分钟；反电极宽度＝2厘米；反电极充当阳极；运行速度＝0.3米/分钟；电流＝35安；接触线13与剪切区域的上游开口8之间的距离＝5毫米。
应当注意，接触线13与剪切区域的上游开口8之间的距离的减少在限制欧姆损耗时是一个重要的因素；该距离最好小于5厘米，或可能的话，如同在这种情况下，甚而小于1厘米。
在运行退出中，擦拭装置去除在板的下表面曳出的浴。
然后，获得了具有覆盖了保护膜的导电电极阵列的板；然后，以本质上已知的方式从蚀刻的板上去除该保护膜。
根据本发明的一个变体，当希望使要蚀刻的电极涂有绝缘层时，特别是在等离子体板的情况下，相反，保护膜可以停留在适当的位置；然后，将所使用的保护膜与希望在电极上形成的绝缘层相匹配；因此，在等离子体显示器的情况下，因此，该膜通常包括介电矿物成分；在已经烘烤了配备有电极阵列的板之后，于是，使介电层涂于电极上。
刚才已经描述的方法能够在板的整个宽度上实现导电层的均匀蚀刻，并因而以高蚀刻速率获得了较窄且/或复杂形状的电极；因此，可以按照大于50厘米/分钟的速率来蚀刻电极阵列；当要蚀刻的导电层基于热解氧化锡时，该方法尤其有效；按照本发明，真正地，能够在此类层中容易且精确地蚀刻电极阵列。
在不脱离本发明的前提下，可以使用与上述不同的设备，其中要蚀刻的板1固定而横向构件6运行。
假设能够蚀刻导电层且通过电化学方法蚀刻，则根据本发明的方法还适用于具有导电层的其它绝缘板；作为由玻璃制成的替代，该板可以由例如陶瓷或玻璃陶瓷制成；该板可以在其它面上配备有其它导电层；作为由热解氧化锡制成的替代，特别地，要蚀刻的导电层可以基于非热解氧化锡、氧化铟或这两种氧化物的混合物(ITO)。
有利地，可以将通过根据本发明方法获得的具有其电极阵列的板用于具有包括至少一个电极阵列的板的任意类型的显示器板，尤其是等离子体显示器、液晶显示器以及诸如OLED显示器之类的发光二极管显示器；因此，当被蚀刻的电极是透明的时，有利地，该板可以用于显示器前板的制造。
为了制造等离子体显示器的前板，将介电搪瓷层涂于该板上的电极阵列上，然后进行烘烤；当初始的导电层基于热解氧化锡时，当烘烤介电搪瓷时，不会观察到电极阵列的损伤。
权利要求
1.一种用于蚀刻沉积于绝缘板(1)上的薄导电层(2)的方法，从而在该板上形成该层中的导电电极阵列，所述方法包括以下步骤-在蚀刻之前，将具有与所述电极阵列的电极相对应图案的保护膜(3)涂于所述导电层(2)上；-为了蚀刻，使所述导电层(2)的表面的未保护区域(4)与电化学蚀刻浴接触，并且利用浸入该浴中的反电极(10)，使电流流过在所述反电极(10)和所述未保护区域(4)之间的所述浴，从而在所述层(2)的整个厚度上蚀刻这些区域(4)；其特征在于，在蚀刻期间-使所述板(1)沿着与要形成电极的总方向相对应的方向运行；-为了使电流流过浴，使电流沿着位于导电层(2)表面并且与运行方向相交的接触线(13)馈入所述未保护区域(4)；以及-使所述浴在由要蚀刻层(2)的表面和由所述反电极(10)的有效表面(61)界定的浴剪切区域(7)中循环。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述接触线(13)和最接近于所述线(13)的浴剪切区域(7)的部分(8)之间的距离在要蚀刻区域的整个宽度上不变。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于-所述接触线(13)是直的，且垂直于运行方向；-按照相同的方向或相反的方向，使在剪切区域(7)中循环所述浴的方向与所述运行方向一致；以及-剪切区域(7)在要蚀刻区域的整个宽度上具有几乎不变的厚度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于在所述接触线(13)和最接近于该接触线的浴剪切区域的部分(8)之间的距离小于5厘米。
5.根据权利要求3和4任一个所述的方法，其特征在于在几乎与所述反电极(10)的有效表面(61)的宽度相对应的距离上，沿着运行方向，浴剪切区域(7)也具有几乎不变的厚度。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述剪切区域的厚度在0.1毫米和5毫米之间。
7.根据权利要求3到6任一个所述的方法，其特征在于将在所述剪切区域(7)循环的所述浴的流几乎均匀地分布于要蚀刻区域的整个宽度上。
8.根据前述权利要求任一个所述的方法，其特征在于所述薄导电层(2)基于氧化锡、氧化铬、氧化铟或这些氧化物中至少两个的混合物。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于通过热解方式将所述薄导电层(2)沉积于绝缘板(1)上。
10.根据权利要求8和9任一个所述的方法，其特征在于所述电化学蚀刻浴包括从由盐酸、硫酸、硝酸、铬酸、乙酸以及甲酸构成的组中选择的至少一种酸。
11.根据权利要求8到10任一个所述的方法，其特征在于所述反电极充当正极。
12.根据权利要求8到11任一个所述的方法，其特征在于与所述浴接触的导电层(2)中的平均电流密度大于1A/dm2。
13.根据前述权利要求任一个所述的方法，其特征在于所述浴的温度大于或等于30℃。
14.根据前述权利要求任一个所述的方法，其特征在于所述绝缘板(1)由玻璃制成。
15.一种用于蚀刻放置于绝缘板(1)上的薄导电层(2)的区域的设备，该设备能够用于实现如前述权利要求任一个所述的方法的蚀刻步骤，包括-用于使所述板(1)沿着平面运行路径运行的装置(5a，5b，5b’，5c)，以使要蚀刻表面与蚀刻浴相接触；-用于在与所述浴接触之前将电流馈入所述导电层(2)的装置；-浸入所述浴中的反电极(10)，用于电流的返回；-用于使电流流过所述电流馈电装置和电流返回反电极(10)之间的所述浴的装置；其特征在于-电流馈电装置包括导轨(11)，适用于沿着所述运行路径与所述板(1)的所述导电层(2)的表面接触，按照使所述层上的所述导轨接触线(13)与运行路径相交的方式来设置所述导轨(11)；以及-所述设备还包括用于在反电极(10)的有效表面(61)和运行路径之间进行浴循环的装置，所述浴循环区域形成了具有运行路径上游开口(8)和下游开口(9)的剪切区域(7)。
16.根据权利要求15所述的设备，其特征在于设置所述导轨(11)，以使所述接触线(13)和最接近于该接触线的剪切区域(7)的部分(8)之间的距离在要蚀刻区域的整个宽度上不变。
17.根据权利要求16所述的设备，其特征在于-所述导轨(11)是直的，且垂直于所述运行方向；-反电极(10)的有效表面(61)和运行路径之间的距离在要蚀刻区域的整个宽度上是几乎不变的；以及-设计用于进行浴循环的装置，以便按照相同的方向或相反的方向，使所述浴沿着与板运行方向相同的方向在剪切区域(7)中循环。
18.根据权利要求17所述的设备，其特征在于所述接触线(13)和最接近于该接触线的剪切区域(7)的部分(8)之间的距离小于5厘米。
19.根据权利要求17和18任一个所述的设备，其特征在于所述反电极(10)的有效表面(61)具有平行于所述运行路径放置的平面主要部分。
20.根据权利要求19所述的设备，其特征在于所述反电极(10)的有效表面(61)和所述运行路径之间的距离在0.1毫米到5毫米之间。
21.根据权利要求17到20任一个所述的设备，其特征在于用于进行浴循环的装置包括浴流分配装置，适用于在剪切区域(7)的开口(8，9)的整个宽度上获得不变的浴流动速率。
22.根据权利要求21所述的设备，其特征在于所述浴循环装置包括喷嘴，所述喷嘴至少在要蚀刻层的整个宽度上延伸，且其开口朝向剪切区域(7)的开口(8，9)之一。
23.根据权利要求22所述的设备，其特征在于所述循环装置适用于迫使由喷嘴喷射的浴在所述剪切区域(7)中循环。
24.根据权利要求15到23任一个所述的设备，其特征在于所述设备包括用于恢复在剪切区域的开口(8，9)之一退出的浴的装置、以及用于再次循环所恢复的浴的装置。
25.根据权利要求15到24任一个所述的设备，其特征在于包括用于在退出所述浴时擦拭被蚀刻表面的装置。
26.在制造显示器前板或面板时如权利要求1到14任一个所述的方法或如权利要求15到25任一个所述的设备的使用，所述板具有至少一个电极阵列。
27.根据权利要求26所述的使用，其特征在于所述板的制造包括将介电搪瓷层涂于所述阵列上，并且烘烤该搪瓷层。
全文摘要
在蚀刻之前，将具有与所述电极阵列相对应图案的保护膜(3)涂于所述导电层上，在蚀刻之后去除该膜。为了蚀刻－使板(1)沿着通常要形成电极的方向运行；－使电化学浴在由要蚀刻的层的表面(2)和反电极(10)的表面(61)介电的剪切区域(7)中循环；以及－通过沿着放置于导电层(2)的表面并且与运行方向相交的接触线(13)馈入电流，使电流在反电极(10)和未被保护膜(3)保护的区域(4)之间流动。提高了蚀刻的均匀性和形成阵列的精确度。
文档编号H01J9/02GK1572009SQ02820506
公开日2005年1月26日 申请日期2002年10月21日 优先权日2001年10月29日
发明者阿芒·贝蒂内利, 让－皮埃尔·克勒索, 让－克洛德·马丁内斯 申请人:汤姆森许可贸易公司