一种蚀刻方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种蚀刻方法，特别是针对金属基材的蚀刻方法。
【背景技术】
[0002] 蚀刻技术是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆 盖的部分，而达到蚀刻的目的，这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻。因为湿式蚀刻是利用 化学反应来进行薄膜的去除。现有技术中化学蚀刻存在以下问题：蚀刻速率低，成本高，蚀 刻效果差，蚀刻不均匀。
【发明内容】
[0003] 本发明的一个目的是提出了一种蚀刻方法，解决了现有技术中的蚀刻方法蚀刻速 度低，蚀刻效果不佳，蚀刻不均匀等问题。
[0004] 本发明的技术方案是这样实现的：一种蚀刻方法，包括以下步骤：
[0005] 步骤一：提供待蚀刻的基板，并对基板进行清洗；
[0006] 步骤二：在基板表面网印液态光致抗蚀油墨，用以遮蔽不需要蚀刻的部分，并进行 干燥、曝光、显影、水洗、干燥；
[0007] 步骤三：将基板放入蚀刻机，蚀刻的温度为20_35°C ;
[0008] 步骤四：去除保护层，水洗，干燥得到成品。
[0009] 优选的，所述蚀刻机中的蚀刻液包括以下重量百分比的各组分：
【主权项】
1. 一种蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：提供待蚀刻的基板，并对基板进行清洗； 步骤二：在基板表面网印液态光致抗蚀油墨，用以遮蔽不需要蚀刻的部分，并进行干 燥、曝光、显影、水洗、干燥； 步骤三：将基板放入蚀刻机，蚀刻的温度为20-35°C ; 步骤四：去除保护层，水洗，干燥得到成品。
2. 如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：所述蚀刻机中的蚀刻液包括以下重量 百分比的各组分：
3. 如权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于：所述蚀刻机中的蚀刻液包括以下重量 百分比的各组分：
4. 如权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于：所述蚀刻机中的蚀刻液包括以下重量 百分比的各组分：
5. 如权利要求1-4任一所述的蚀刻方法，其特征在于：蚀刻的温度为25-30°C。
6. 如权利要求1-4任一所述的蚀刻方法，其特征在于：所述蚀刻机中的蚀刻液的PH值 为 2-6。
7. 如权利要求6任一所述的蚀刻方法，其特征在于：所述蚀刻机中的蚀刻液的PH值为 2_4〇
8. 如权利要求1-4任一所述的蚀刻方法，其特征在于：所述光致抗蚀油墨是包括光聚 合树脂、光交联剂、光引发剂。
9. 如权利要求1-4任一所述的蚀刻方法，其特征在于：所述基材为金属基材。
【专利摘要】本发明公开了一种蚀刻方法，包括以下步骤：步骤一：提供待蚀刻的基板，并对基板进行清洗；步骤二：在基板表面网印液态光致抗蚀油墨，用以遮蔽不需要蚀刻的部分，并进行干燥、曝光、显影、水洗、干燥；步骤三：将基板放入蚀刻机，蚀刻的温度为20-35℃；步骤四：去除保护层，水洗，干燥得到成品。本发明的蚀刻方法采用过氧化氢、过硫酸铵、氨基酸、磷酸、磷酸铵、去离子水作为蚀刻液，采用光致抗蚀油墨作为保护层，原料易得、价格便宜、抗蚀性也好、去膜方便，本发明的蚀刻方法蚀刻速度快、蚀刻效果好、蚀刻完全且均匀。
【IPC分类】C23F1-16, C23F1-02
【公开号】CN104674220
【申请号】CN201510078773
【发明人】何荣特
【申请人】河源西普电子有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2015年2月13日