等离子体显示器面板的制作方法

专利名称：等离子体显示器面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及在显示设备等中使用的等离子体显示器面板。
背景技术：
等离子体显示器面板(以下，称为PDP)能够实现高清晰化、大画面 化，因此，65英寸级别的电视等被制品化。近年来，PDP与以往的NTSC 方式相比，向扫描线数为2倍以上的高清晰度电视的适用正在进展，并且， 考虑环境问题，要求了不含有铅成分的PDP。
PDP基本上包括前面板和背面板。前面板包括利用浮法(7口一卜 法)的硼硅酸钠系玻璃的玻璃基板；包括在所述玻璃基板的一方的主面上 形成的条纹状透明电极和母线电极的显示电极；覆盖显示电极，发挥作为 电容器的作用的电介体层；包括在电介体层上形成的氧化镁(以下，表现 为MgO)的保护层。
另一方面，背面板包括玻璃基板；在其一方的主面上形成的条纹状 地址电极；覆盖地址电极的基底电介体层；在基底电介体层上形成的隔壁; 在各隔壁之间形成的分别以红色、绿色及蓝色发光的荧光体层。
前面板和背面板使其电极形成面侧对置而气密封接，在由隔壁分隔的 放电空间中以5.3X104pa 8.0Xl()4pa的压力封入有氖(Ne) —氤(Xe) 的放电气体。PDP通过向显示电极有选择地施加视频信号电压而放电，通 过所述放电产生的紫外线激励各色荧光体层，发出红色、绿色、蓝色的光， 实现彩色图像显示。
在这样的PDP中，对前面板的电介体层上形成的保护层要求从放电 引起的离子冲击保护电介体层，放出用于产生地址放电的初始电子等。从 离子冲击保护电介体层是指防止放电电压的上升的重要的作用，另外，放 出用于产生地址放电的初始电子是指防止成为图像的闪烁的原因的地址 放电错误的重要的作用。为了增加自保护层的初始电子的放出，减少图像的闪烁，例如公开了
在MgO中添加杂质的例子或在MgO保护层上形成了MgO粒子的例子(例 如，参照专利文献l、 2、 3等)。
近年来，电视的高清晰化正在进展，市场要求低成本，低消耗电力，高 亮度的全HD(高清晰度)(1920X1080像素逐行显示)PDP。自保护层 的电子放出特性确定PDP的画质，因此，控制电子放出特性至关重要。
进行了通过在保护层中混合杂质，改善电子放出特性的尝试。然而， 在保护层中混合杂质，改善电子放出特性的情况下，在保护层表面蓄积电 荷，作为存储器功能使用时的电荷随着时间减少的衰减率变大。因此，需 要有必要增大用于将其抑制的施加电压的对策等。这样存在如下问题，艮卩 作为保护层的特性，不得不同时具有所谓的具有高的电子放出能力，并且， 作为存储器功能的电荷的衰减率减小即具有高的电荷保持特性的、相反的 两个特性。
作为满足这样的特性的方案，公开了在MgO保护层上形成了 MgO粒 子的例子。然而，在MgO保护层上形成了 MgO粒子的情况下，通过放电， 以MgO粒子为核，针状结晶生长，具有抑制由针状结晶覆盖的MgO保护 层的飞溅的效果，但促进在针状结晶未生长的区域存在的MgO保护层的 飞溅，导致PDP的寿命降低的问题。
专利文献1日本特开2002—260535号公报
专利文献2日本特开平11一339665号公报
专利文献3日本特开2006—59779号公报

发明内容
本发明的PDP是一种等离子体显示器面板，具有前面板，其中以覆 盖在基板上形成的显示电极的方式形成有电介体层，并且，在电介体层上 形成有保护层；背面板，其以形成放电空间的方式与前面板对置配置，且 形成有在与显示电极交叉的方向上设置的地址电极、覆盖地址电极而设置 的基底电介体层、和设置于基底电介体层并划分放电空间的隔壁，其中， 利用在电介体层上的包含金属氧化物的基底膜、和使在基底膜上附着的金 属氧化物的晶粒凝聚数个而成的凝聚粒子来构成保护层，并且，基底电介体层的空隙率为2% 20%。
根据这样的结构可知，能够提供改善电子放出特性和电荷保持特性， 同时实现高画质、低电压，进而抑制保护层的基底膜的飞溅，长寿命的 PDP。


图1是表示本发明的实施方式的PDP的结构的立体图。 图2是表示所述PDP的前面板的结构的剖面图。 图3是放大而示出所述PDP的保护层部分的说明图。 图4是在所述PDP的保护层中用于说明凝聚粒子的放大图。 图5是表示所述PDP的基底电介体层的空隙率、电子放出特性、和基 底膜的飞溅量的关系的图。
图6是表示所述PDP的MgO的晶粒的粒径和电子放出性能的关系的图。
图7是表示所述PDP的晶粒的粒径和隔壁的破损的产生率的关系的图。
图中1—PDP; 2 —前面板；3 —前面玻璃基板；4一扫描电极；4a、 5a—透明电极；4b、 5b —金属母线电极；5 —维持电极；6 —显示电极；7 一遮光层；8—电介体层；9一保护层；IO —背面板；11—背面玻璃基板； 12 —地址电极(了 K^7電極)；13—基底电介体层；14一隔壁；15 —荧
光体层；16—放电空间；81—第一电介体层；82—第二电介体层；91一基 底膜；92 —凝聚粒子；92a—晶粒。
具体实施例方式
以下，使用附图，说明本发明的实施方式的PDP。
(实施方式)
图1是表示本发明的实施方式的PDP的结构的立体图。PDP的结构与 通常的交流面放电型PDP相同。如图l所示，在PDP1中，包括前面玻璃 基板3等的前面板2和包括背面玻璃基板11等的背面板10对置而配置， 利用包括玻璃料等的封接材料来气密封接其外周部。在封接的PDP1内部的放电空间16中以5.3X104Pa 8.0X104Pa的压力封入有Ne及Xe等放 电气体。
在前面板2的前面玻璃基板3上，相互平行地分别配置有多列包括扫 描电极4及维持电极5的一对带状显示电极6和遮光层7。在前面玻璃基 板3上以覆盖显示电极6和遮光层7的方式形成有作为电容器发挥作用的 电介体层8，进而，在其表面形成有包括MgO等的保护层9。
另外，在背面板10的背面玻璃基板11上，在与前面板2的扫描电极 4及维持电极5正交的方向上，相互平行地配置有多个带状地址电极12， 并被基底电介体层13被覆。进而，在地址电极12之间的基底电介体层13 上，形成有划分放电空间16的规定的高度的隔壁14。在隔壁14之间的槽 中按每一个地址电极12依次涂敷形成有通过紫外线以红色、绿色及蓝色 分别发光的荧光体层15。在扫描电极4及维持电极5和地址电极12交叉 的位置形成有放电单元，在显示电极6方向上排列的具有红色、绿色、蓝 色的荧光体层15的放电单元成为用于彩色显示的像素。
图2是表示本发明的实施方式中的PDP1的前面板2的结构的剖面图， 图2将图1倒置上下而示出。如图2所示，在利用浮法等制造的前面玻璃 基板3形成有包括扫描电极4和维持电极5的显示电极6和遮光层7。扫 描电极4和维持电极5包括分别包括铟锡氧化物(ITO)或氧化锡(Sn02) 等的透明电极4a、 5a、在透明电极4a、 5a上形成的金属母线电极4b、 5b。 金属母线电极4b、 5b作为在透明电极4a、 5a的长边方向上赋予导电性的 目的而使用，并利用银(Ag)材料为主成分的导电性材料来形成。
电介体层8至少包括如下两层，g卩覆盖在前面玻璃基板3上形成的 这些透明电极4a、 5a、金属母线电极4b、 5b、和遮光层7而设置的第一 电介体层81;在第一电介体层81上形成的第二电介体层82，进而在第二 电介体层82上形成有保护层9。
其次，说明PDP的制造方法。首先，在前面玻璃基板3上形成扫描电 极4及维持电极5和遮光层7。这些透明电极4a、 5a和金属母线电极4b、 化是利用光刻法等形成图案来形成。透明电极4a、 5a是使用薄膜工序等 来形成的，金属母线电极4b、 5b是将包含银(Ag)材料的糊剂在规定的 温度下烧成而固化的。另外，遮光层7也相同地，将含有黑色颜料的糊剂使用网板印刷的方法，或在玻璃基板的整个面形成了黑色颜料后，使用光 刻法，形成图案，烧成而形成。
其次，以覆盖扫描电极4、维持电极5及遮光层7的方式，在前面玻 璃基板3上利用模涂法等涂敷电介体糊剂，形成电介体糊剂层(电介体材
料层)。涂敷了电介体糊剂后，放置规定施加，由此涂敷的电介体糊剂表 面被流平，并形成为平坦的表面。然后，通过烧成固化电介体糊剂层，形
成覆盖扫描电极4、维持电极5及遮光层7的电介体层8。还有，电介体 糊剂是包含玻璃粉末等电介体材料、粘合剂及溶剂的涂料。
其次，在电介体层8上利用真空蒸镀法形成包括MgO的基底膜91。 然后，在基底膜91上，使用网板印刷等，使作为金属氧化物的MgO的晶 粒92a凝聚数个而成的凝聚粒子92在整个面大致均匀地分布的方式使其 附着数个，由此形成保护层9。
通过以上的工序，在前面玻璃基板3上形成规定的结构物(扫描电极 4、维持电极5、遮光层7、电介体层8、保护层9)，完成前面板2。
另一方面，如下所述地形成背面板10。首先，在背面玻璃基板ll上， 通过网板印刷含有银(Ag)材料的糊剂的方法、或在整个面形成了金属膜 后，使用光刻法，形成图案的方法等，形成成为地址电极12用结构物的 材料层，将其在规定的温度下烧成，由此形成地址电极12。其次，在形成 有地址电极12的背面玻璃基板11上利用模涂法等，以覆盖地址电极12 的方式涂敷电介体糊剂，形成电介体糊剂层。然后，通过烧成电介体糊剂 层，形成基底电介体层13。
还有，与在前面板2形成的电介体层8相同地，作为形成基底电介体 层13的材料的电介体糊剂也包括包含玻璃粉末等电介体材料和粘合剂及 溶剂的涂料，通过调节粘合剂的含有比例等，能够控制烧成后的基底电介 体层13的空隙率。
在本发明实现的实验中，调节该粘合剂的含量，试作将基底电介体层 13的空隙率最大变化至50%的PDP而评价。
其次，通过在基底电介体层13上涂敷包含隔壁材料的隔壁形成用糊 剂，以规定的形状形成为图案，形成隔壁材料层，然后，进行烧成而形成 隔壁14。在此，作为将在基底电介体层13上涂敷的隔壁糊剂形成为图案的方法，可以使用光刻法或喷砂法。其次，在邻接的隔壁14之间的基底
电介体层13上及隔壁14的侧面涂敷含有荧光体材料的荧光体糊剂，烧成 而形成荧光体层15。通过以上的工序，完成在背面玻璃基板11上具有规 定的结构部件的背面板10。
这样，将具备规定的结构部件的前面板2和背面板10以使扫描电极4 和地址电极12正交的方式对置配置，用玻璃料封接其周围，在放电空间 16中封入包含Ne、 Xe等的放电气体而完成PDPl。
在此，详细地说明构成前面板2的电介体层8的第一电介体层81和 第二电介体层82。第一电介体层81的电介体材料包括如下的材料组成。 即，包含2 0重量％ 4 0重量％的氧化铋(B i 2 0 3 )、 0. 5重量 % 1 2重量％的选自氧化钙(C a 0 )、氧化锶(S r )、氧化钡(B aO)的至少一种、0. 1重量％ 7重量％的选自氧化钼(Mo 03)、 氧化钨(WO 3 )、氧化铈(C e 02)、 二氧化锰(Mn 02)的至少一种。
还有，代替氧化钼(Mo 03)、氧化钨(W03)、氧化铈(C e 02)、 二氧化锰(Mn0 2)，也可以含有O. 1重量％ 7重量％的选自氧化铜 (C u 0)、氧化铬(C r 2 0 3 )、氧化钴(C o 2 0 3 )、氧化钒(V 2 0 7 )、 氧化锑(S b 2 0 3 )的至少一种。
另外，作为上述以外的成分，也可以含有0重量％ 4 0重量％的氧 化锌(ZnO)、 0重量％ 3 5重量％的氧化硼(B 2 0 3 )、 0重量％
1 5重量％的氧化硅(S i 02)、 0重量％ 1 0重量％的氧化铝(A 1
2 0 3 )等不含有铅成分的材料组成。
将包括这些组成成分的电介体材料利用湿式喷射磨机或球磨机使平 均粒径成为0.5刚 2.5Mm地粉碎，制作电介体材料粉末。其次，用三根 辊良好地混炼55重量％ 70重量％的电介体材料粉末、和30重量％ 45重 量%的粘合剂成分，制作模涂用或印刷用第一电介体层用糊剂。
粘合剂成分为乙基纤维素或含有1重量％ 20重量％的丙烯酸树脂的砲 品醇、或丁基卡必醇乙酸酯。另外，在糊剂中，根据需要，作为增塑剂， 添加酞酸二辛酯、酞酸二丁酯、磷酸三苯基酯、磷酸三丁酯，作为分散剂， 添加甘油单油酸酯、脱水山梨糖醇倍半油酸酯、烷基烯丙基的磷酸酯等来 提高印刷性也可。其次，使用该第一电介体层用糊剂，以覆盖显示电极6的方式，利用
模涂法或网板印刷法来印刷于前面玻璃基板3上并干燥，然后，在比电介 体材料的软化点略高的温度的575"C 59(TC下烧成。
其次，说明第二电介体层82。第二电介体层82的电介体材料包括如 下的材料组成。即，包含1 1重量％ 2 0重量X的氧化铋(B i 2 0 3 )、 以及l . 6重量％ 2 1重量％的选自氧化钙(C a 0)、氧化锶(S r 0)、氧化钡(B a 0)的至少一种、0. 1重量％ 7重量％的选自氧 化钼(Mo 03)、氧化钨(W03)、氧化铈(C e 02)的至少一种。
还有代替氧化钼(Mo 03)、氧化钨(W03)、氧化铈(C e 02)， 也可以含有O . 1重量％ 7重量％的选自氧化铜(C u 0)、氧化铬(C r 2 0 3 )、氧化钴(C o 2 0 3 )、氧化钒(V 2 0 7 )、氧化锑(S b 2 0 3 )、 氧化锰(Mn 02)的至少一种。
另外，作为上述以外的成分，也可以含有0重量％ 4 0重量％的氧 化锌(ZnO)、 0重量％ 3 5重量％的氧化硼(B 2 0 3 )、 0重量％
1 5重量％的氧化硅(S i 02)、 0重量％ 1 0重量％的氧化铝(A 1
2 0 3 )等不含有铅成分的材料组成。
将包括这些组成成分的电介体材料利用湿式喷射磨机或球磨机使平 均粒径成为0.5Wn 2.5陶地粉碎，制作电介体材料粉末。其次，用三根 辊良好地混炼55重量％ 70重量％的电介体材料粉末、和30重量％ 45重 量°/。的粘合剂成分，制作模涂用或印刷用第一电介体层用糊剂。粘合剂成 分为乙基纤维素或含有1重量% 20重量％的丙烯酸树脂的萜品醇、或丁基 卡必醇乙酸酯。另夕卜，在糊剂中，根据需要，作为增塑剂，添加酞酸二辛 酯、酞酸二丁酯、磷酸三苯基酯、磷酸三丁酯，作为分散剂，添加甘油单 油酸酯、脱水山梨糖醇倍半油酸酯、烷基烯丙基的磷酸酯等来提高印刷性 也可。
其次，使用该第二电介体层用糊剂，利用模涂法或网板印刷法来印刷 于第一电介体层81上并干燥，然后，在比电介体材料的软化点略高的温 度的55(TC 590"C下烧成。
还有，作为电介体层8的膜厚，为了确保可见光透过率，优选第一电 介体层81和第二电介体层82加起来为41pm以下。第一电介体层81为
9了抑制与金属母线电极4b、 5b的银(Ag)的反应，使氧化铋(Bi203)的 含量比第二电介体层82的氧化铋(Bi203)的含量多，为20重量％ 40 重量％。因此，第一电介体层81的可见光透过率比第二电介体层82的可 见光透过率低，故使第一 电介体层81的膜厚比第二电介体层82的膜厚薄。 还有，在第二电介体层82中，氧化铋(Bi203)为11重量％以下的情 况下，难以发生着色，但在第二电介体层82中容易发生气泡，因此不优 选。另外，超过40重量％的情况下，容易发生着色，提高透过率方面不优 选。
另外，电介体层8的膜厚越小，提高PDP亮度和降低放电电压的效果 变得显著，因此，优选在绝缘耐压不降低的范围内尽量减小设定膜厚。从 这样的观点来说，在本发明的实施方式中，电介体层8的膜厚设定为41Mm 以下，第一电介体层81设为5 15pm，第二电介体层82设为20pm 36nm。
从这样制造的PDP确认到，在显示电极6中即使使用银(Ag)材料， 前面玻璃基板3的着色现象(变黄)少，且在电介体层8中没有气泡的发 生等，实现绝缘耐压性能优越的电介体层8。
其次，在本发明的实施方式中的PDP中，考察利用这些电介体材料， 在第一电介体层81中抑制变黄或气泡的产生的理由。g卩，知道通过在含 有氧化铋(B i 2 0 3 )的电介体玻璃中添加氧化钼(Mo 03)、或氧化钩 (W03)，在58(TC以下的低温下容易生成所谓A g2Mo 04、 Ag2Mo 2 0 7、 Ag2Mo40I3、 Ag2W04、 Ag2W2 0 7、 Ag2W40,3的化 合物。
在本发明的实施方式中，电介体层8的烧成温度为550 590°C，因此， 在烧成中，在电介体层8中扩散的银离子(Ag+)与电介体层8中的氧化 钼(Mo 03)、氧化钨(W03)氧化铈(C e 02)、氧化锰(Mn 02) 反应，生成稳定的化合物而稳定化。即，银离子(Ag+)不被还原而稳定 化，因此，不会凝聚而生成胶体。从而，通过银离子(Ag+)稳定化，伴 随银(Ag)的胶体化的氧的产生也变少，因此，向电介体层8中的气泡的 产生也变少。
另一方面，为了使这些效果有效，优选在含有氧化铋(Bi必)的电介 体玻璃中使氧化钼(Mo 03)、氧化钨(W03)氧化铈(C e 02)、氧化锰(M n 0 2)的含量为0. 1重量％以上，进而优选0. 1重量％以上且7 重量％以下。尤其，在小于0. 1重量％的情况下抑制变黄的效果少，超过7 重量％的情况下，在玻璃中引起着色，故不优选。
艮P，在本发明的实施方式中的PDP的电介体层8中，在与包括银(Ag) 材料的金属母线电极4b、 5b接触的第一电介体层81中抑制变黄现象和气 泡产生，利用在第一电介体层81上设置的第二电介体层82实现高的光透 过率。其结果，能够实现作为电介体层8整体，气泡或变黄的发生极少， 透过率高的PDP。
还有，背面板10的基底电介体层13的材料成分与前面板2的电介体 层8相同地，包括不含有铅成分的玻璃材料等，但对于包含银材料的地址 电极12引起的着色现象，不需要像前面板2的电介体层8 —样严格条件。
其次，详细说明本发明的保护层9的结构及制造方法。
图3是放大而示出本发明的实施方式中的PDP的保护层9部分的说明 图。如图3所示，保护层9构成如下，g卩在电介体层8上形成包括MgO 的基底膜91，在所述基底膜91上使作为金属氧化物的MgO的晶粒92a凝 聚数个而成的凝聚粒子92离散地贯穿整个面大致均匀地分布地附着。
在此，凝聚粒子92如图4所示，是作为规定的粒径的一次粒子的晶 粒92a凝聚或颈縮(才、、乂年y夕')的状态的粒子。另外，凝聚粒子92中 不是各自的一次粒子作为固体具有大的结合力而结合。即，通过静电或范 德瓦耳斯力等，多个一次粒子形成为集合体的体，利用超声波等外部刺激， 其一部分或全部以成为一次粒子的状态的程度结合。作为凝聚粒子92的 粒径，约为1陶左右，作为晶粒92a的形状，优选14面体或12面体等具 有7面以上的面的多面体形状。
另外，该晶粒92a的一次粒子的粒径可以通过晶粒92a的生成条件来 控制。例如，烧成碳酸镁或氢氧化镁等MgO前体而生成的情况下，可以通 过控制烧成温度或烧成气氛来控制粒径。通常，烧成温度可以在70(TC左 右到150(TC左右的范围内选择，但通过使烧成温度为比较高的IOO(TC以 上，能够将一次粒径控制在0.3Wn 2(im左右。进而，晶粒92a可通过加 热MgO前体而得到，但在其生成过程中，可以得到多个一次粒子之间通过 被称为凝聚或颈縮的现象来结合的凝聚粒子92。如上所述，本发明的实施方式中的保护层9在电介体层8上形成包括MgO的基底膜91，并且，在基底膜91上使由金属氧化物形成的多个晶粒 凝聚的凝聚粒子92贯穿整个面分布地附着多个。通过这样构成，能够改 善作为电子放出特性的放电延迟(ts)，进而，还能够改善电荷保持特性。 其结果，即使为由于高清晰化而处于扫描线数增加，且单元尺寸变小的倾 向的PDP，也能够满足电子放出能力和电荷保持能力两者，能够实现高画 质且低电压驱动的PDP。另一方面，如上所述，在将Mg0的凝聚粒子92形成于保护层的基底 膜91上的PDP中，在近年来的具备高清晰且高亮度的显示性能的PDP中， 也由于长时间的放电，通过离子冲击，促进基底膜91的飞溅，导致放电 电压的上升或图像的闪烁发生的问题。知道这些基底膜91的放电引起的飞溅量影响在放电空间中存在的水 分量，在水分量多的情况下，飞溅量变多。尤其，知道自构成背面板10 的基底电介体层13的水分的向放电空间16的放出的影响大，控制基底电 介体层13的空隙率，控制向放电空间16的水分的取入和放电中的向放电 空间16的水分扩散至关重要。因此，在本发明的实施方式中，着眼于基底电介体层13，制作改变了 基底电介体层13的空隙率的PDP，关于各自，调査电子放出特性和规定时 间放电后的基底膜91的飞溅量。还有，通过调节形成基底电介体层13时 的糊剂中的树脂成分的调合比例等来改变基底电介体层13的空隙率。图5是表示在本发明的实施方式中的PDP中基底电介体层13的空隙 率和基底膜91的飞溅量及放电特性的关系的图。在图5中，横轴为基底 电介体层13的空隙率，纵轴表示基底膜91的飞溅量和作为放电特性的放 电延迟(ts值)的变化量。在此，通过将基底电介体层13的剖面SEM照片进行图像处理而测定 基底电介体层13的空隙率。另外，关于规定时间放电后的基底膜91的飞 溅量，也通过剖面SEM照片来测定其掘入量。还有，就实验来说，作为加 速寿命试验，进行相当于2万小时的放电，测定作为其结果的基底膜91 的飞溅量、和自放电初期的放电延迟(ts值)的变化量。另外，就作为电子放出特性的放电延迟(ts值)来说，通过使用特开2007_48733号公报中记载的方法，测定放电时的时间中作为被称为统计 延迟时间的放电的产生容易度的基准的数值，将其倒数积分而评价。该放 电时的延迟时间是指从脉冲的上升开始延迟放电而进行的放电延迟时间 (以下，称为ts值)。
如图5所示，知道根据基底电介体层13的空隙率，基底膜91的飞溅 量和放电延迟的变化量大幅度变化。即，知道随着基底电介体层13的空 隙率的上升，基底膜91的飞溅量增加，空隙率超过20%的情况下，其增加 倾向变得显著。这是由于从基底电介体层13放出的水分的量变大，促进 飞溅的结果。
另一方面，知道放电延迟(ts值)的变化即与放电初期相比，进行了 相当于2万小时的加速寿命放电后的放电延迟是基底电介体层13的空隙 率越小，其变化越大。这认为如下，即基底电介体层13的空隙率过小 的情况下，向放电空间内放出的水分量减少，不能稳定地供给在保护层9 的表面存在的0H基引起缺陷等级，其结果，自保护层9表面的二次电子 放出变小，导致放电延迟。
作为显示装置的寿命，需要10小时的情况下，作为2万小时的加速 寿命放电引起的飞溅量，要求200nm以下，作为ts变化量，要求5倍以 内。从而，基底电介体层13的空隙率为2%到20%的范围内的情况下，能 够确保寿命IO万小时。
其次，说明本发明的实施方式中的PDP的保护层9中使用的晶粒92a 的粒径。还有，在以下的说明中，粒径是指平均粒径，平均粒径是指体积 累积平均直径(D50)。图6是表示改变构成凝聚粒子92的MgO的晶粒92a 的粒径，调査了电子放出性能的实验结果的图。还有，在图6及图7中， MgO的晶粒92a的粒径是通过SEM观察晶粒92a而测定长度。电子放出性 能是测定与所述相同的放电延迟，以粒径为0. 11^的情况为基准而示出。
如图6所示，知道在晶粒92a的粒径为0.6l^m以下的区域中，电子放 出性能急剧地降低，在0.9Mm以上的情况下，得到高的电子放出性能。
还有，为了增加放电单元内的电子放出数量，优选保护层9上的每单 位面积的晶粒92a的数量多。然而，根据本发明人等的实验可知，通过在 相当于与前面板2的保护层9密接接触的背面板10的隔壁14的顶部的部
13分存在晶粒92a，使隔壁14的顶部破损，其材料落在荧光体层15上，由 于这些原因等，相应的单元不正常地点灯或灭灯的现象发生。就该隔壁破 损的现象来说，晶粒92a只要不存在于与隔壁14的顶部对应的部分，就 难以发生，因此，附着的晶粒92a的数量越多，隔壁14的破损发生概率 (隔壁破損確率)变高。
图7是表示在每单位面积散布粒径不同的相同的数量的晶粒，实验了 隔壁破损的关系的结果的图。从图7明确可知，晶粒92a的粒径变大至 2. 5陶左右的情况下，隔壁破损的概率急剧地变高，但小于2. 5Mm的晶粒 直径的情况下，能够将隔壁破损的概率抑制得较小。
从以上的结果认为，作为晶粒凝聚的凝聚粒子92，优选粒径为0.9Mm 以上且2.5陶以下，但知道作为PDP，实际上批量生产的情况下，若考虑 晶粒的制造上的不均或形成保护层的情况下的制造上的不均，使用平均粒 径处于0. 9Mm 2,的范围的凝聚粒子，则稳定地得到上述本发明的效果。
如上所述，根据本发明的实施方式中的PDP可知，能够抑制基底膜的 飞溅，能够得到电子放出性能和电荷保持特性良好的PDP，能够实现具备 高清晰且高亮度的显示性能，低消耗电力且长寿命的PDP。
还有，在以上的说明中，作为基底膜，将以MgO为主成分的情况作为 了例子，但采用通过金属氧化物的单晶粒子支配性地控制电子放出性能的 结构，因此，不需要MgO，使用A:U03等耐冲击性优越的其他材料也无妨。 另外，在本发明的实施方式中，作为单晶粒子，使用MgO粒子来进行了说 明，但在其他单晶粒子的情况下，使用基于与MgO相同地具有高的电子放 出性能的Sr、 Ca、 Ba、 Al等金属的氧化物的晶粒，也能够得到同样的效 果，因此，作为晶种，不限定于MgO。
产业上的可利用性
本发明的PDP具备高清晰且高亮度的显示性能，并且，实现长寿命的 PDP，有用于大画面高清晰的显示器装置等。
权利要求
1.一种等离子体显示器面板，其特征在于，具有前面板，其中以覆盖在基板上形成的显示电极的方式形成有电介体层，并且，在所述电介体层上形成有保护层，背面板，其以形成放电空间的方式与所述前面板对置配置，且形成有在与所述显示电极交叉的方向上设置的地址电极、覆盖所述地址电极而设置的基底电介体层和设置于所述基底电介体层并划分所述放电空间的隔壁；其中利用在所述电介体层上的包含金属氧化物的基底膜及使在所述基底膜上附着的金属氧化物的晶粒凝聚数个而成的凝聚粒子来构成所述保护层，并且，所述基底电介体层的空隙率为2％～20％。
2. 根据权利要求1所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 所述金属氧化物为氧化镁。
3. 根据权利要求1或2所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 所述凝聚粒子包括平均粒径为0.9pm 2^n的晶粒。
全文摘要
一种等离子体显示器面板，具有前面板(2)，其中以覆盖在前面玻璃基板(3)上形成的显示电极(6)的方式形成有电介体层(8)，并且，在电介体层(8)上形成有保护层(9)；背面板(10)，其以形成放电空间(16)的方式与前面板(2)对置配置，且形成有在与显示电极(6)交叉的方向上设置的地址电极(12)、覆盖地址电极(12)而设置的基底电介体层(13)、和设置于基底电介体层(13)并划分放电空间(16)的隔壁(14)，利用在电介体层(8)上的包含金属氧化物的基底膜、和在基底膜上附着的金属氧化物的晶粒凝聚数个而成的凝聚粒子来构成保护层(9)，并且，基底电介体层(13)的空隙率为2％～20％。
文档编号H01J11/22GK101681763SQ20098000004
公开日2010年3月24日 申请日期2009年2月10日 优先权日2008年2月13日
发明者堀河敬司, 沟上要, 青砥宏治 申请人:松下电器产业株式会社