专利名称：一种大功率led集合体方法
技术领域：
本发明涉及LED灯，特别是一种大功率LED集合体方法。
背景技术：
现有的大功率LED灯的芯片是在45mil以上，工作电流300mA，当工作电压3V时， 功率应有lW，45mil功率IW需要很好的散热，才能保证其工作在设计的参数之中。因此，散热好坏直接影响着大功率LED灯的寿命。一般LED在环境温度20度上下，正常工作结温度在60度上下，一只直径5mm的LED工作电流20mA时，结温度在60度上下，能达到LED长寿命的目的。45mil功率IW结温结温在没有很好有散热下，不会工作太长时间。3-5W的LED灯有两种结构，一种是采用1_3只大功率的，另一种是采用50_80只有小功率LED串联连接，工作电流在20mA。后者的寿命在制造工艺好的情况下会大大好于前者ο由于50-80只有小功率LED串联，工艺上要复杂一些，价格根据其数量要几块钱到十几块钱。因此，现有的LED灯价格都很高。
发明内容
本发明的目的是提供一种价格低、散热性好、工艺可靠的一种大功率LED集合体方法。本发明的目的是这样实现的，一种大功率LED集合体方法，包括基体、基体上固定的LED灯芯片，其特征是基体是铝基板，铝基板上有分布的LED芯片的灯穴，LED芯片的灯穴一侧有LED芯片顶面电极邦定点位，灯穴底部点入导电胶固定LED芯片的下端电极，铝基板上表面有印制板的布线，布线使分布的LED芯片之间形成串联连接；铝基板上分布的 LED芯片通过透镜密封，在铝基板上有密封抽真空嘴，用密封抽真空嘴12抽真空后进行封口处理；透镜形成LED的光学窗口。所述的灯穴为曲面结构。所述的灯穴为V型结构。所述的灯穴与LED芯片之间有灯杯，灯杯固定在灯穴上，LED芯片通过灯杯与灯穴固定。所述的灯穴尺寸在1. 5mm-4mm之间，灯穴之间的间隔在1. 5 mm士0. 5mm，铝基板厚度在lmm-7mm之间。本发明的优点是由于在铝基板集合一个灯所需W数的LED芯片，铝基板的厚度在 lmm-7mm之间。间隔在1. 5 mm士0. 5mm，铝基板整体封注透明环氧树脂。或铝基板上分布的 LED芯片由透镜密封，抽真空处理。不仅解决了散热问题，同时降低了费用，实际的LED灯的芯片成批使用，单片不到1分钱。因此由50-100只LED芯片构成的整体费用大大降低。
下面结合实施例附图对本发明作进一步说明 图1是本发明实施例1结构示意图2是本发明实施例2结构示意图。图中，1、基体；2、灯穴；3、胶层；4、导电胶；5、LED灯芯片；6、邦线；7、邦定点位；8、 间隔；9、灯杯；10、整体封注透明环氧树脂；11、透镜；12、密封抽真空嘴。
具体实施例方式实施例1
如图ι所示，一种大功率LED集合体方法，包括基体1、基体1是铝基板，铝基板上有固定分布的LED芯片5的灯穴2，灯穴2 —侧有LED芯片顶面电极邦定点位7，灯穴底部点入导电胶4，通过导电胶4固定LED芯片5底端的电极，通过邦线6连接LED芯片5顶端面的电极到邦定点位7，铝基板上表面有印制板的布线，布线使分布的LED芯片之间形成串联连接，铝基板上分布的LED芯片5整体封注透明环氧树脂10，使整体封注透明环氧树脂10 形成LED的光学窗口。灯穴尺寸在1. 5mm-4mm之间，灯穴之间的间隔在1. 5 mm士0. 5mm，铝基板厚度在lmm-7mm之间。它的优点是，LED芯片5直接固定在铝基板上，散热性非常好， 50-100只LED芯片构成3-5W的一个灯芯分布在，方式不同之处在厚度在lmm-7mm之间，大小在几平方厘米的空间，完成散热，大大优于45mil功率IW的LED散热效果。实施例2
同样如图1所示，一种大功率LED集合体方法，包括基体1、基体1是铝基板，铝基板上有固定分布的LED芯片5的灯穴2，灯穴2 —侧有LED芯片顶面电极邦定点位7，灯穴2通过胶层3固定有灯杯9，灯杯9底部点入导电胶4，通过导电胶4固定LED芯片5底端的电极，通过邦线6连接LED芯片5顶端面的电极到邦定点位7，铝基板上表面有印制板的布线， 布线使分布的LED芯片之间形成串联连接，铝基板上分布的LED芯片5整体封注透明环氧树脂10，使整体封注透明环氧树脂10形成LED的光学窗口。灯穴尺寸在1. 5mm-4mm之间， 灯穴之间的间隔在1. 5 mm士0. 5mm，铝基板厚度在lmm-7mm之间。它的优点是，LED芯片5 直接固定在铝基板上，散热性非常好，50-100只LED芯片构成3-5W的一个灯芯分布在，方式不同之处在厚度在lmm-7mm之间，大小在几平方厘米的空间，完成散热，大大优于45mil功率IW的LED散热效果，同时采用灯杯9固定在灯穴2上，灯杯9容易成型，光学面好，直接反光有利于提高LED的光效。实施例3
如图2所示，一种大功率LED集合体方法，包括基体1、基体1是铝基板，铝基板上有固定分布的LED芯片5的灯穴2，灯穴2 —侧有LED芯片顶面电极邦定点位7，灯穴底部点入导电胶4，通过导电胶4固定LED芯片5底端的电极，通过邦线6连接LED芯片5顶端面的电极到邦定点位7，铝基板上表面有印制板的布线，布线使分布的LED芯片之间形成串联连接，铝基板上分布的LED芯片5通过透镜11密封，在铝基板上有密封抽真空嘴12，用密封抽真空嘴12抽真空后进行封口处理。透镜11形成LED的光学窗口。灯穴尺寸在1. 5mm-4mm 之间，灯穴之间的间隔在1.5 mm 士 0. 5mm，铝基板厚度在lmm-7mm之间。它的优点是，LED 芯片5直接固定在铝基板上，散热性非常好，50-100只LED芯片构成3-5W的一个灯芯分布在，方式不同之处在厚度在lmm-7mm之间，大小在几平方厘米的空间，完成散热，大大优于45mil功率IW的LED散热效果。上述的实施例给出的灯穴2为曲面结构或V型结构。它与现有的LED芯片用的灯杯具有相同的效果，同时完成很好的散热。铝基板上的LED芯片分布优以圆形或方形阵列布置。LED芯片之间的间隔8均勻。实施例4
与实施例1、实施例2、实施例3不同的是铝基板上分布的LED芯片单体封注透明环氧树脂。
权利要求
1.一种大功率LED集合体方法，包括基体、基体上固定的LED灯芯片，其特征是基体是铝基板，铝基板上有分布的LED芯片的灯穴，LED芯片的灯穴一侧有LED芯片顶面电极邦定点位，灯穴底部点入导电胶固定LED芯片的下端电极，铝基板上表面有印制板的布线，布线使分布的LED芯片之间形成串联连接；铝基板上分布的LED芯片通过透镜密封，在铝基板上有密封抽真空嘴，用密封抽真空嘴12抽真空后进行封口处理；透镜形成LED的光学窗口。
2.根据权利要求1所述的一种大功率LED集合体方法，其特征是所述的灯穴为曲面结构。
3.根据权利要求1所述的一种大功率LED集合体方法，其特征是所述的灯穴为V型结构。
4.根据权利要求1所述的一种大功率LED集合体方法，其特征是所述的灯穴与LED芯片之间有灯杯，灯杯固定在灯穴上，LED芯片通过灯杯与灯穴固定。
5.根据权利要求1所述的一种大功率LED集合体方法，其特征是所述的灯穴尺寸在 1. 5mm-4mm 之间。
6.根据权利要求1所述的一种大功率LED集合体方法，其特征是灯穴之间的间隔在 1. 5 mm + 0. 5mm0
7.根据权利要求1所述的一种大功率LED集合体方法，其特征是，铝基板厚度在 lmm-7mm 之间。
全文摘要
本发明涉及LED灯，特别是一种大功率LED集合体方法。包括基体、基体上固定的LED灯芯片，其特征是基体是铝基板，铝基板上有分布的LED芯片的灯穴，LED芯片的灯穴一侧有LED芯片顶面电极邦定点位，灯穴底部点入导电胶固定LED芯片的下端电极，铝基板上表面有印制板的布线，布线使分布的LED芯片之间形成串联连接；铝基板上分布的LED芯片通过透镜密封，在铝基板上有密封抽真空嘴，用密封抽真空嘴12抽真空后进行封口处理；透镜形成LED的光学窗口。
文档编号F21V19/00GK102434806SQ20111042803
公开日2012年5月2日 申请日期2011年12月20日 优先权日2011年12月20日
发明者刘珉恺 申请人:西安福安创意咨询有限责任公司