专利名称：旋转基材支撑件及其使用方法
技术领域：
本发明大致是关于半导体基材的制程，且较有关于半体基材上的材料沉积。 更明确而言，本发明是关于用于单基材沉积处理室的旋转基材支撑件。
背景技术：
集成电路包括利用不同技术(包括化学气相沉积)沉积多层材料。就其本身而
论，半导体基材上经由化学气相沉积(或CVD)的材料沉积为制造集成电路制程的 关键步骤。 一般化学气相沉积处理室具有一加热的基材支撑件，以于制程期间加 热基材； 一气体端口，用于将制程气体引入处理室；以及一抽吸端口，用于维持 处理室内的制程压力，并移除过量气体或制程副产物。由于气体引入制程处理室 的流动模式朝向抽吸端口，故难以在基材上维持均匀的沉积轮廓。此外，内处理 室部件的发散性差异也会导致处理室内基材上热分布轮廓的不一致。基材表面上 如此热分布轮廓的不均匀会进一步导致基材上沉积材料的不均匀。此进而会造成 平坦化处理或在进一步制程前修复基材的高成本、或集成电路可能的损坏。
因此，业界对于化学气相沉积处理室中于基材上均匀沉积材料的改良设^f乃 有需求。
发明内容
本发明提供一种利用旋转基材支撑件处理一基材的方法及设备。于一实施例 中，用于处理基材的设备包括一处理室，其中设有一基材支撑组件。该基材支撑 组件包括一基材支撑件，具有一支撑表面及一加热器，该加热器设于支撑表面下 方。 一轴部耦接至该基材支撑件，且马达经由一转子(rotor)耦接至该轴部，以使 基材支撑件转动。密封块则设于该转子周围并与的形成密封。密封块具有至少一 密封件及至少一通道，沿该密封块与该轴部间的界面处设置。各通道耦接有端口 以连接至泵。升举才/U勾耦接至该轴部以提升与下降l^才支撑件。
于本发明另一实施态样中，是提供各种利用旋转基材支撑件来处理基材的方法。于一实施例中，制程处理室中利用旋转基材支撑件处理基材的方法包括下列
步骤将欲处理的基材置放于基材支撑件上，并于一制程循环中以360度的整数 倍数旋转该基材。于另一实施例中，决定欲形成于基材上的材料层的沉积率，并 回应所决定的沉积率来控制基材旋转速率以控制材料层的最后沉积轮廓。于另一 实施例中，是响应特定变量或多个变量来控制基材转速。该等变量可至少包括温 度、压力、经计算的沉积率或经测量的沉积率。于另一实施例中，可以一第一方 向(orientation)处理J^才一第一时期，并接着指向第二方向并处理一第二时期。
前述方式可详细了解本发明特征，本发明进一步的说明可参照实施方式及附 加图示，其等若干是说明于权利要求。然应注意的是，附加图示仅用于说明本发 明的一般实施例，故不应视为其范围的限制，且本发明亦涵盖其它任何等效实施例。
图1为例示性化学气相沉积处理室的简要截面图，其具有本发明的旋转基材 支撑件；
图2为图1所示旋转基材支撑件的概要截面图3为基材轴部及旋转基材支撑件的转子间接口的实施例的细部图示；
图4-5为绘示旋转及不旋转基材的薄膜厚度不均匀性；以及
图6A-6B是分别在非旋转及旋转基材上形成的薄膜的薄膜厚度变化标绘图。
主要组件符号说明
100反应器102反应器壁
104基座105处理室本体
106盖件■制程体积
110基材支撑件112轴部
114升辆116基材接收器
118升举板120喷洒头
122端口124基材支撑移动组件
126才由气端口128气体面斧反
130控制器134端口 136力口热器150旋转升举组件
202支撑件204框架
206升举城208马达
209轴部210转子
212密封块214安條
216伸缩部218内部体积
220气体供应器223供应线
224泵225管线
226通道228密封件
230外罩232驱动器
234滑环236旋转接头
238回线240电供应器
242导管302基座
304销306凹口
308本体310孔径
312轴部314六角头
316凹口318箭头
320400图表
402轴404轴
406数据点408数据点
500图表502轴
504轴506数据点
508数据点610标绘图
620标绘图
具体实施例方式
适用于此处所述旋转基材支撑件的示范性制程处理室为低压热化学气相沉
积反应器，例如，加州圣塔克#4立美商应用材料公司所上市的SiNgen处理室。 应可理解的是其它制程处理室也可受惠于此处所述的旋转基材支撑件。
图1绘示合适反应器100的实施例。该反应器100包括一基座104、反应器 壁102以及盖件106(合称为处理室本体105)以界定出反应处理室、或制程体积 108，其中制程气体、先驱物气体或反应气体可热分解形成基材上的材料层(未示 出)。
盖件中并形成至少一端口 134,其并耦接至气体面板128以供应一或多种气 体至该制程体积108。 一般而言，气体分配板或喷洒头120是设于盖件106下方， 以更均匀分配经由端口 134进入的制程气体于整个制程体积108中。于一例示性 实施例中，当准备好沉积或制程时，气体面板128所提供的制程气体或先驱物气 体会引入制程体积108。制程气体会自端口 134经由喷洒头120中的数个孑L洞(未 示出)作分配。该喷洒头120可将制程气体均匀地分配至制程体积108中。
处理室本体105中并形成抽气端口 126,且耦接至抽气设备(未示出)例如阔 门、泵及类似者，以按所需选棒性维持处理室本体105内的制程压力。也可利用 其它部件(例如压力调节器(未示出)、感应器(未示出)及类似者)以监控制程体积 108内的制程压力。处理室本体105是以可使处理室承受约10至350托耳间的 压力的材料建构而成。于一例示性实施例中，处理室本体105是以铝合金材料建 构而成。
处理室本体105可包括数个通道(未示出)，以经由该等通道抽吸温度控制流 体来冷却处理室本体105。配备前述温度控制流体通道时，反应器100可称为「冷 却壁(cold-wall)」或「温热壁(warm-wall)」反应器。冷却处理室本体105可避免 形成处理室本体105的材料因反应物种及高温环境而腐蚀。处理室本体105内部 也可沿温度控制衬垫或绝缘衬垫(未示出)排列，以避免处理室本体105的内表面 上有不乐见的凝结粒子。
反应器100更包括一旋转升举组件150,以支撑反应器100的制程体积108 内的基材。该升举组件150包括基材支撑件110、轴部112以a材支撑移动组 件124。基材支撑件110 —般可屏蔽升科肖114且更可包括数个加热组件、电极、 热电耦、背侧气体沟槽以及类似者(为筒明起见未全部示出)。
于图1所示实施例中，基材支撑件110包括一加热器136,设于基材接收器 116下方。该基材接收器116通常约为基材厚度。基材接收器116可具有数个特 征，例如「凸块(bumps)」或「凸起件(stand-offs)」(未示出)，以将基材些微支撑 在_&#接收器116表面上方。
于制程期间，加热器136也可用以控制基材支撑件110上的基材的温度，以 利薄膜形成其上。加热器136通常包括一或多个电阻线圏(未示出)，内嵌于导电 本体中。电阻线圈可独立控制以形成加热区。并可设温度指示器(未示出)以监控处 理室本体105内的制程温度。于一实施例中，温度指示器可为热电耦(未示出)， 其可经设置以提供基材支撑件110表面处(或基材支撑件110所支撑的基材表面 处)的温度有关的数据。
基材支撑移动组件124可垂直上下移动基材支撑件110并做旋转，如箭头 131,132所示。旋转升举组件150的垂直移动有利于传送基材进出处理室本体 150,并将1^才定位于制程体积108内。
例如，基材通常藉由，例如枳碱传送才;U勾(未示出)经由处理室本体105的壁 102中形成的端口 122置放于基材支撑件110上。基材支撑移动组件124可降下 基材支撑件110，以^J^材支撑件110的支撑表面低于端口 122。传送^M勾可经 由端口 122送入基材以将其定位于基材支撑件110的上。基材支撑件110中的升 ^#'114会接着藉升起接触升举板118(可移动地耦接至反应器100的基座104) 的方式升起。升##'114可将基材举离传送^M勾，并接着移开。接触升举板118 及升##' 114接着下降以将基材置放于基材支撑件110上。
一旦装载好基材且传送才;M勾缩回时，端口 122 ^#闭，且基材支撑移动组件 124会将基材支撑件110提升至处理位置。于一例示性实施例中，会在晶圓基材 与喷洒头120呈短距离(例如400-900密尔)的时后停止提升。基材可藉实质上反 转前述步骤的方式由处理室移出。
制程期间旋转升举组件150的旋转移动可使基材上任何不均匀的温度分配更 为緩和且均匀，且具有其它多种处理优点，下文将予详述。
图2是绘示旋转升举组件150的一实施例的简化截面图。于一实施例中，旋 转升举组件150包括一框架204，可移动M4禹接至该反应器100基座104下的支 撑件202。该框架204可藉由适当装置移动地耦接至支撑件202,例如线性轴承 及类似者。该框架可经由轴部112支撑基材支撑件110，而该支撑件是经由反应 器100的基座104中的开口延伸。
升举机构206耦接至框架204,并于支撑件202内移动框架204,藉以于反
应器100内将基材支撑件110上下移动一范围。该升举机构206可为步进马达或 其它适合4几构，以提供基材支撑件110所欲移动范围。
框架204更包括一可支撑马达208(与轴部112M材支撑件110同轴对齐) 的外罩230。马达208可藉一转子210提供基材支撑件110旋转移动，该转子耦 接至马达208的轴部209。轴部209可为中空，以容纳欲同轴通过马达208的冷 却水、电源、热电耦信号以及类似者。驱动器232可耦接至马达208并对其进行 控制。
马达208通常是操作在每分钟约0至约60转(rpm),且具有变化约百分之一 的稳定转速。于一实施例中，马达208是以约1至约15rpm的范围旋转。马达 208具有精确的旋转控制且可标定在约1度内。前述旋转控制应考虑特征的排列， 例如，基材的平坦部或基材上形成的凹口，以于制程期间调整基材方向此外，前 述旋转控制应考虑基材上任一点相对于反应器100内固定坐标的位置。
基材支撑件110是经由轴部112及转子210由马达208支撑，以让马达208 的轴承可支撑并对准基材支撑件110。当基材支撑件110安装至马达208并由其 所支撑时，可因此减少组件数目，并减少或排除数个轴承组间的对齐与耦接问题。 或者，马达208可利用传送带、滑轮及类似物偏移基材支撑件110，以转动_^# 支撑件110。
亦可选择的是，可设感应器(未示出，如光学感应器)以在升科肖114嗫合升 举板118时(如图1所示)避免基材支撑件110转动。例如，光学感应器可设于旋 转升举组件150外侧上，并在预定高度(例如，上升的处理位置或下降的传送位置) 时设定进行检视。
转子210通常包括制程相容的抗蚀材料，以降^^擦及磨损以利旋转，例如 坚硬的不锈钢、经电镀的铝、陶乾及类似者。转子210可进一步作研磨。于一实 施例中，转子210至少包含17-4PH钢，其已经加工、磨光、硬化及研磨。轴部 112及转子210间表面处的安置表面通常会作磨光(ground)以确保基材支撑件 110相对于马达208及转子210的中心轴的适当对齐。
基材支撑件110的4t准可藉由精确加工达成。或者或结合观之，调整才/U勾(例 如顶起螺栓)也可用以协助基材支撑件110校准。前述校准可确保马达208 材支撑件110的中心轴呈平行，藉以降^^材支撑件110的旋转晃动。于一实施例中，_&#支撑件110表面偏转约0.002至约0.003英寸。于一实施例中，^N" 支撑件110在直径200mm的支撑件表面上的高度变化小于约0.005英寸。利用 设有良好轴承的高质量马达208可进一步协助降^J^才支撑件的晃动。
基材支撑件110的轴部112可藉任何适当装置(例如销、螺栓、螺旋、焊接、 硬焊及类似者)耦接至马达210。于一实施例中，轴部112可移动i^禹接至转子 210,以在需要时快速且轻易地移除或替换基材支撑件110。于一实施例中，于图 3所示，数个销304(为简明图3仅示出 一者)是自轴部112的基座302延伸出。 孔径310形成在转子210的本体308中，位置对应于M肖304，以使轴部以销 304延伸至孔径310中的方式下降(如箭头318所示)至转子210上。
旋转轴312部分延伸至孔径310中。轴部312中所形成的凹口 316位置可 让凹口 316与孔径310的内壁对齐。在对齐时，销304可藉轴部312不受阻地 延伸至孔径310。在完全插入时，销304中形成的凹口 316会对齐轴部312。轴 部312可接着转动，如箭头320所示，以使轴部312本体移至销304的凹口 306 中。取决于轴部312的转动，轴部312本体会将轴部312锁定位。轴部312相 对于销304的凹口 306呈偏心，以利在轴部312转动时吸合销304。或者或结合 观的，轴部312可具有一凸轮(未示出)形成其上，以在轴部312旋转时吸合销304。 为利转动轴部312,轴部312外端可设特征，例如于其上形成六角头314。六角 头314是经定位以利于使用工具转动轴部312。
再参照图2,为维持反应器100内制程体积108以及反应器100外大气间的 压力差，密封块212可环绕转子210并于其间形成密封。此外，基座104及密封 块212间可耦接伸缩部(bellows)216。安装板214可选择性的设于密封块212的 上以利将轴部112的基座对齐转子210。于图2所示实施例中，伸缩部216是耦 接至密封块212的顶部上所设的安装4反214。
密封块212可包括至少一密封件228，例如唇密封件，设于密封块212及转 子210之间的接口处。密封件228通常可抗磨损，且可由聚乙烯或其它制程兼容 材料形成。于一实施例中，该等密封件是由聚四氟乙烯(PTFE)所形成。于图2所 示实施例中，此等密封件228是设于密封块212及转子210之间。为利于使密封 块212与转子210共轴，密封块212可于设置期间浮动，且藉密封件228的压 力使的位于中心。密封块212可接着按设置程序的完成情况作螺合、夹钳或固定。
一或多个沟槽或通道226可进一步沿密封块212及转子210间的界面设置。 通道226可形成于该密封块212及转子210的一者或两个中，且经由管线225 连接至泵224。泵224可持续维持通道226内的压力在适当范围，以保持反应器 100内制程体积108 M应器100外界大气间的密封。于图2所示实施例中，两 通道226 ^J殳于三个密封件228间的空间中，且藉由两管线225耦接至泵224。
中空轴部112内会4殳至少一导管242,以将必要设M禹接至基材支撑件110。 例如，导管242可具有数个电子线路以提供用于加热器136、热垫耦及其它至基 材支撑件的电子连接器的电源。各导管可由绝缘材料形成，例如陶瓷，以屏蔽并 保护线路。此外，单一导管242也可用于各电性连接，藉以隔离各个线路。其它 导管(未示出)也可提供冷却气体或液体，以用于基材支撑件110。可设滑环(slip ring)234以将电供应器240的电性连接驱动至基材支撑件110。
旋转接头(rotary union)236可耦接至冷却供应器及回线(return)238，以提供 冷却剂予旋转升举组件，以冷却转子210、轴部112的基座以A/或加热器136。 或者或结合观之，转子210可进一步包括气冷式鳍部(air-cooled fins，未示出)以 利辐射冷却转子210。于使用气冷式鳍部的实施例中，可额外使用风扇(未示出) 以增加冷却鳍部上的气体流率。应可理解其它冷却^f几制也可结合反应器100或其 它具有旋转升举组件150的制程处理室。例如，风扇(未示出)可设于反应器100 外侧，以循环气体并冷却伸缩部216。
虽然滑环234及旋转街头236或其均等物为不受卩M走转基材的方法所需，应 可理解的是马达208提供的旋转移动也可往复进行，而非单一方向持续转动。就 其本身而论，若仅需往复移动，可选择性设置滑环234及旋转接头236。对此情 况下的实施例而言，可藉可弯曲导管(未示出)，以及经由图2所示的滑环234及 旋转接头236提供电子及冷却功能。
洁净气体供应线225耦接至洁净气体供应器220以提供洁净气体(例如氮或 其它任一制程惰性气体)至伸缩部216及轴部112间所设反应器100的内部体积 218。内部体积218中的洁净气体可避免沉积材料引入反应器100伸缩部216及 /或轴部112的内侧上。亦可选择的是，洁净气体可自洁净气体供应器220经由供 应线223供应至通道226中。
再参照图1，于一实施例中，控制器130是耦接至处理室本体105,以接收来自感应器的信号，其可指示处理室压力。控制器130也可耦接至气体面板128, 以控制气体或气体群至制程体积108的流动。控制器130可结合压力调节器或调 节器群使用，以调整或维持制程体积108内的所欲压力。此外，控制器130可控 制_&#支撑件110的温度，并因此控制其上所置》t^材的温度。控制器更可津勤妄 至旋转升举组件150,以于制程期间控制其转动。控制器130包括一内存，其含 有呈计算机可读取形式的指令，以控制气体流动以及处理室中的压力^&材支撑 件110的温度在前述参数范围内，藉以依本发明于基材上形成材料层。
于操作中，可利用旋转升举组件以最小化温度影响及制程处理室内固有的流 动不均匀性。例如，来自硬件制造的影响及设置容忍度，例如枳4勾及材料容忍度 或装置不同部件的精确性，都会因使用旋转升举组件150对流动及温度不同性的 緩和作用而降低。旋转所形成的基材环境则可时间平均此等不同性，而使基材上 有较均匀的薄膜厚度。薄膜厚度均匀度改良可应用于具有气体流入口设于晶圓上 的处理室(如第1-2图所示)，以及用于具有经配设能提供混合流(cross-flow)、或 平行基材直径的流的气体流入口的制程处理室。
例如，图4绘示薄膜厚度不均匀度(轴402)与制程条件的数量表示(轴404) 的图表400，以百分比表示。此图表的数据是CVD处理室中利用珪烷(SiH4)及氨 (NH3)于300mm棵硅基材上沉积氮化硅薄膜而得，与先前第1-2图所述类似。数 据点406表示基材处理未经旋转。数据点408表示基材处理同时作旋转。在测量 所有制程条件(例如，沿轴404)时，数据点408显示基材处理作旋转时有较低的 不均匀度百分比(与数据点406相比)。
如另一实施例所示，图5是绘示薄膜厚度不均匀度(于轴502上以百分比表 示)对若干基材处理作旋转或不作旋转(轴504上有连续数字)时的图表500 。此图 表的数据是CVD处理室中利用二(叔丁氨基)硅烷(bis(tert-butylamino)silane, BTBAS)及氨(NH3)于300mm净^圭基材上沉积硅氮化物薄膜而得，与图1-2所述 类似。数据点506代^材处理同时旋转1^才。该数据点508显示旋转基材可改 善(亦即，降低)薄膜厚度不均匀百分比，此乃与基材处理不旋转相比而言(例如， 数据点506)。
如另一范例所示，图6A-6B是分别在非旋转及旋转基材上形成的薄膜的薄膜 厚度变化标绘图。图6A所示的标绘图610是表示基材处理不旋转时，基材表面
上的薄膜厚度与标绘图620(如图6B所示，其是对应基材处理同时旋转基材)相比
有较大变化。
旋转升举组件150的另一优点在于，旋转基材所形成的流动可能会进一步降 低基材上的微粒污染。此外，因旋转升举组件150而旋转基材所形成的增加流动 成分，降低总流率便可减少惰性气体及其它加入所得气体的稀释剂，以便维持均 匀流动或制程处理室内相当均匀的流动。由于反应器100的制程体积108中反应 物种有较大浓度，故稀释气体的降低有利于增加沉积率。
前述使用旋转升举组件150的方法范例将详述如下。于一实施例中，基材可 于一特定制程循环中以360度的整数倍数(包括360度)旋转该基材。或者，基材 可在一特定制程循环的制程斜升部、稳定部A/或斜降部以360度的整数倍数旋 转。
于另 一实施例中，基材支撑件110上所支撑的基材可于一特定制程期间旋转， 以沉积均匀材料晶种层。于沉积晶种层后，晶种层上的大块沉积可接着旋转或不 旋转基材支撑件110来处理。
基材可以适当剖面设备监控，以使支撑于旋转升举组件150上的基材旋转可 控制达多个制程循环，以得各制程循环内所欲沉积轮廓。各连续沉积循环也可适 当监控及调整沉积轮廓，以使总沉积厚度轮廓等于所欲轮廓(例如，平坦状)。
此外，旋转升举组件150的转速可依据基材制程期间测量或监控的特定变量 而变化。例如，已知会影响沉积率的制程变量(例如温度或压力)、或经测量或计算 的沉积率也可于制程期间控制基材支撑件110所支撑的基材转速。例如，于慢沉 积率期间基材可以较慢速度旋转，而于较快沉积率期间可以较快速度旋转。
此外，制程期间旋转升举组件150所支撑的基材可递增标定，而非一致旋转。 例如，可于一位置处理基材一段时间，接着标g材至新位置一段接续时间。例 如，基材可固定第一方向持续一第一时间段，旋转180度至第二方向并处理持续 一第二时间段。
基材也可标定以排列移出处理室的^f才。也可使用标定功能以记住处理室内 的基材方位，使制程非均匀性或基材上检测得的缺陷可关连至反应器100的特定 区域。
虽然前述方法及设备是关于低温化学气相沉积处理室，但应可理解的是其它
处理室及其它薄膜沉积制程也可受惠于此处所述的旋转基材支撑件150。例如，
该旋转升举组件也可以原子层沉积(ALD)制程提供改良的薄膜厚度均匀性，其是个 别脉动地引入气体先驱物，以于每循环一原子层的方式沉积薄膜。或者，旋转升 举组件也可以紫外光或等离子体增强型热沉积制程(其分别利用紫外光或等离子 体以增加化学反应性)提供 文善的薄膜厚度均匀性。
虽然前述是关于本发明的该等实施例，然本发明其它及进一步实施例也可于 不悖离其基本范围下做变化，且其范围是由权利要求决定的。
权利要求
1.一种用于处理基材的设备，其至少包含处理室；以及基材支撑组件，设于该处理室内，该基材支撑组件包括基材支撑件，具有支撑表面；加热器，设于该支撑表面下方；轴部，耦接至该基材支撑件；马达，经由转子耦接至该轴部，以旋转移动该基材支撑件；密封块，设于该转子周围，并与的形成密封，该密封块具有至少一密封件及至少一沿该密封块及该轴部间的接口设置的通道，以及耦接各通道以连接泵的端口；以及升举机构，耦接至该轴部以上升及下降该基材支撑件。
2. 如权利要求1所述的设备，其中该马达是以每分钟将近约60转的速度旋转。
3. 如权利要求1所述的设备，其中该马达的稳定状态的旋转变化是在 约百分之一内。
4. 如权利要求1所述的设备，其中该马达可标定到约1度以下。
5. 如权利要求1所述的设备，其中该密封块更包括； 数个密封件，设于该密封块及该轴部之间的接口处，其中至少一通道是设于数个密封件的两个间。
6. 如权利要求1所述的设备，其中该密封块更包括 三个密封件及两通道，设于该密封块及该轴部间的接口处，其中两通道的各者是设置于三个密封件的两个间。
7. 如权利要求1所述的设备，其更包括 数个孔径，形成于该转子的上表面中；以及 数个销，设于该轴部的底部上，并延伸至数个孔径中。
8. 如权利要求7所述的设备，其更包括 凹口 ，形成于各销中；以及可旋转轴部，部分突入该孔径且具有一凹口形成其中，在对齐时，可 使销自由移动进出该孔径，且在未对齐时，可藉由延伸至销的凹口的方式 避免销移出该孔径。
9. 如权利要求1所述的设备，其更包括 三个孔径，形成于该转子的上表面中；以及三个销，设于该轴部的底部上，各销延伸至该三个孔径的对应孔径中。
10. 如权利要求1所述的设备，其更包括至少一绝缘导管，设于该轴部内，且自该基材支撑件的一底表面延伸 至该轴部的一底部。
11. 如权利要求1所述的设备，其更包括控制器，耦接至该基材支撑组件，且具有数个指令以于制程期间旋转 该基材支撑组件。
12. 如权利要求1所述的设备，其中该基材支撑件是共轴耦接该马达， 且其中该马达的轴承可支撑及定位该加热器。
13. 如权利要求1所述的设备，其中该基材支撑件是直接由该马达驱动。
14. 一种于利用旋转基材支撑件的制程处理室中处理基材的方法，其至少包含将欲处理的基材置放于该基材支撑件上；以及于制程循环中以360度的整数倍数旋转该基材，该循环包括将气体分 配至处理室中。
15. 如权利要求14所述的方法，其中该旋转步骤更包括 于该制程循环的制程斜升部、稳定部及/或斜降部的至少一个以360度的整数倍数旋转该基材。
16. 如权利要求14所述的方法，其中该制程循环为化学气相沉积制 程的一部分。
17. 如权利要求14所述的方法，其中该制程循环为原子层沉积制程 的一部分。
18. —种于利用旋转基材支撑件的制程处理室中处理基材的方法，其 至少包含将欲处理的基材置放于该基材支撑件上； 判定欲形成于该基材上的材料层的沉积率；以及 回应经判定的沉积率控制该基材的旋转速率，以控制该材料层的最后 沉积轮廓。
19. 如权利要求18所述的方法，其更包括于多个制程循环期间重复该判定及控制步骤，以于最后制程循环的结 束处得到所欲的最后沉积轮廓。
20. 如权利要求19所述的方法，其中该多个制程循环为一原子层沉 积制程的一部分。
21. —种于利用旋转基材支撑件的制程处理室中处理基材的方法，其至少包含将欲处理的基材置放于基材支撑件上；以及 回应特定参数或参数群控制该基材的转速。
22. 如权利要求21所述的方法，其中该特定参数为温度、压力、经 计算的沉积率或经测量的沉积率的至少 一 个。
23. 如权利要求21所述的方法，其中该控制转速的步骤更包括 于较慢沉积率期间放慢旋转速率；以及于较快沉积率期间增快旋转速率。
24. —种于利用旋转基材支撑件的制程处理室中处理基材的方法，其 至少包含将欲处理的基材置放于该基材支撑件上； 以第一方向处理该基材第一段时间；以及 标定该基材至第二方向，并处理该基材第二段时间。
全文摘要
本发明揭示一种利用旋转基材支撑件处理一基材的方法及设备。于一实施例中，用于处理基材的设备包括一处理室，其中设有一基材支撑组件。该基材支撑组件包括一基材支撑件，其具有一支撑表面及一加热器，该加热器设于支撑表面下方。一轴部耦接至该基材支撑件，且马达经由一转子(rotor)耦接至该轴部，以使基材支撑件转动。密封块则设于该转子周围并与的形成密封。密封块具有至少一密封件及至少一通道，沿该密封块与该轴部间的界面处设置。各通道耦接有端口以连接至泵。升举机构耦接至该轴部以提升与下降基材支撑件。
文档编号C23C16/458GK101194040SQ200680020502
公开日2008年6月4日 申请日期2006年5月31日 优先权日2005年6月8日
发明者A·布莱烙夫, A·特安, B·特兰, F·罗伯茨, G·拉玎, J·斯密斯, N·梅里, R·S·伊叶尔, R·安德芮斯, S·佐伊特, T·斯密克, 小罗伯特·谢杜 申请人:应用材料股份有限公司