专利名称：多反应腔原子层沉积装置和方法
技术领域：
本发明属于半导体制造装备和加工技术领域，特别涉及一种多反应腔原子层 沉积装置和方法。
技术背景原子层沉积(Atomic Layer D印osition)简称ALD，是在一个加热反应腔体 中进行两相反应的淀积技术。其中第一相反应，主要是反应气相前驱体的吸附过 程，该过程当表面饱和时将自动终止，而第二相反应，通过引入另外一种反应前 驱体，可以在衬底圆片的表面生成一原子层的特定材料。如此一层一层地生长上 去，直至材料淀积达到所需的厚度。当前采用ALD技术可以沉积的材料包括氧化物，氮化物，氟化物，金属，碳化物，和硫化物，可以得到它们的纳米薄层及其复合结构。在半导体制造领域， ALD可用作晶体管栅介质层(高k材料)淀积，集成电路后道工艺中的互连阻挡 层，铜互连种子层等。ALD的应用限制主要是生长速率方面的问题(由于是一个原子层， 一个原子 层地生长)，随着集成电路尺寸日益縮小，淀积薄膜的厚度也越来越薄，因此这 一限制性的因素己不再是一个重要的问题。据预测，在集成电路制造的45nm技 术节点及以后，ALD将有可能全面替代传统的CVD等淀积技术，成为IC工艺应用 中的主流。目前常规的ALD设备，均采用单腔配置，使用两个质量流量计及通断控制装 置来控制腔室内的气氛，两相反应轮流进行，在每一相反应结束时，腔室抽真空， 然后通入另一种反应物，进行另一相的反应。由于反复的抽真空，会造成反应源 的浪费、操作时间加长，同时也会带来环境隐患。发明内容本发明的目的是提供一种多反应腔的原子层沉积装置和方法。其特征在于， 所述多反应腔的原子层沉积装置为A、 B两相反应的反应腔通过一个过渡腔并联在一组真空泵组上；A、 B两反应室各自通过通道阀门和过渡腔连通，反应腔 再通过真空阀、贮存室隔板和贮存室相通，在贮存室上部设置反应物进气阀。所述多反应腔的原子层沉积方法是在该装置内，集成电路的圆片在A、 B反 应腔之间经过通道阀门来回传送，传送至A反应腔时将发生A相反应，传送至B 反应腔时将发生B相反应，A、 B两相反应交替进行，将在圆片表面逐原子层地生 长出集成电路所要求厚度的纳米薄层或复合结构材料。本发明的有益效果是，在多反应腔的原子层沉积装置内的圆片通过一个过渡 腔，在两个反应腔之间来回移动，可以实现更好的反应控制。此外两个腔均采用 了反应源复用的技术措施，可减少因抽真空造成反应源的浪费和可能的环境危 害。由于两个反应腔的使用，避免了单反应腔装置中，需要反复充不同的反应源， 反复抽空反应腔室的过程；可以使反应气氛更为均匀，避免了常规的单腔ALD装 置的抽真空、反应、排空的反复进行过程，也避免了不同反应物残余随时间逐渐 积累而造成的对反应腔室的沾污，此类沾污将会影响ALD淀积的质量。多反应腔的原子层沉积装置在不同腔室之间用通、断阀门对反应源进行隔 离，这样可以大大地节省反应源的用量；由于ALD淀积的反应源多为金属有机物， 制备成本很高，对于反应源的节省能够大大地降低工艺成本。更为重要的是，金属有机物对于环境有不良的影响，在本发明中，由于反应 源绝大部分仅用于形成淀积薄膜，仅有极少量被真空泵组排出(将进行后续无害 化处理)，相对于传统的单腔设备而言，本发明提出的多腔设备，将对环境损害 的危险程度降低到了最小的程度，是环保型的ALD设备。
图1为多腔ALD反应装置的系统示意图。 图中符号说明-① 是A相反应的源贮存室(本文中简称A贮存室)；② 是B相反应的源贮存室(本文中简称B贮存室)；③ 是A贮存室中的隔板；④ 是B贮存室中的隔板；⑤ 是A相反应的反应腔(本文中简称A反应腔)；⑥ ⑩是阀门； 是B相反应的反应腔(本文中简称B反应腔)； CD是真空泵组； 是过渡腔；O是气相反应物A的进气阀；^是气相反应物B的进气阀。
具体实施方式
本发明提供一种多反应腔的原子层沉积装置和方法。装置的主体结构如图1所示，图中A反应室和B反应室的A反应腔5、 B反应腔11分别通过A通道阀门 7、 B通道阀门9和过渡腔13连通，过渡腔13通过真空泵阀门8连通于一组真空 泵组12上；A反应室内，A反应腔5通过A贮存室真空阀6、 A贮存室隔板3与A 贮存室l相通；B反应室内，B反应腔11通过B贮存室真空阀10、 B贮存室隔板 4与B贮存室2相通；在A贮存室1和B贮存室2的上部分别设置A反应物进气 阀14， B反应物进气阀15。所述多反应腔的原子层沉积方法是在该装置内，集成电路的圆片在A、 B反 应腔之间经过通道阀门来回传送，传送至A反应腔时将发生A相反应，传送至B 反应腔时将发生B相反应，A、 B两相反应交替进行，将在圆片表面逐原子层地生 长出集成电路所要求厚度的纳米薄层或复合结构材料。具体的淀积方法说明如下1) 装置的初始化状态为，除作为反应源进气阀的A进气阀14， B进气阀15 处在关闭状态之外，所有的阀门均打开；A、 B两贮存室中A贮存室隔板3、 B贮 存室隔板4置于最上端的位置；真空泵组12通过真空泵阀门8对过渡腔13及A 反应室和B反应室抽真空至真空度达到10—4Pa以上，将所有阀门关闭；2) 装载一片圆片，进入过渡腔13;过渡腔抽真空至真空度达到l(T4Pa以上；3) 打开A、 B两相反应的反应源进气阀A反应物进气阀14和B反应物进气 阀15，将一定量的反应源分别充入A、 B贮存室；4) 关闭真空泵阀门8，打开A通道阀门7;圆片进入A反应腔5;5) 关闭A通道阀门7，打开A贮存室真空阀6、； A贮存室中A贮存室隔板3 降下，A反应腔中反应源气体的浓度增加，控制反应源气体的浓度，A相反应进 行；6) A相反应结束，A贮存室中的A贮存室隔板3上升，大量的未用于反应的 反应源气体返回A贮存室1; A贮存室真空阀6关闭；7) A通道阀门7打开，圆片送入过渡腔；A通道阀门7关闭，过渡腔抽真空 至真空度达到10—4Pa以上；8) 打开A、 B两相反应的反应源进气阀A进气阀14和B进气阀15，将一定 量的反应源分别补充入A、 B贮存室；9) 关闭真空泵阀门8，打开B通道阀门9;圆片进入B反应腔11;10) B通道阀门9关闭，打开B贮存室真空阀IO，B贮存室中B贮存室隔板4 降下，B反应腔中反应源气体的浓度增加，控制反应源气体的浓度，B相反应进 行；11) B贮存室中的B贮存室隔板4上升，大量的未用于反应的反应源气体返 回B贮存室；B贮存室真空阀10关闭；12) B通道阀门9打开，圆片送入过渡腔13; B通道陶门9关闭；过渡腔抽 真空；13) 以上的过程往复进行，直至在圆片表面逐原子层地生长出集成电路所要 求厚度的纳米薄层或复合结构材料,淀积完成。
权利要求
1.一种多反应腔的原子层沉积装置，其特征在于，所述多反应腔的原子层沉积装置为A、B两相反应的反应腔通过一个过渡腔并联在一组真空泵组上；A、B两反应室各自通过通道阀门和过渡腔连通，反应腔再通过真空阀、贮存室隔板和贮存室相通，在贮存室上部设置反应物进气阀。
2. 根据权利要求1所述多反应腔的原子层沉积装置，其特征在于，所述贮存 室利用贮存室隔板来调节贮存室的有效容积，既可以在反应进行时，减少jT:气量， 使得反应气体都用来进行反应；又可以在一相反应结束时，扩大贮气量，减少排 出装置的反应源的量，达到节约和环保的目的。
3. —种多反应腔的原子层沉积方法，其特征在于，所述多反应腔的原子层沉 积方法是在该装置内，集成电路的圆片在A、 B反应腔之间经过通道阀门来回传 送，传送至A反应腔时将发生A相反应，传送至B反应腔时将发生B相反应，A、 B两相反应交替进行，将在圆片表面逐原子层地生长出集成电路所要求厚度的纳 米薄层或复合结构材料。
全文摘要
本发明属于半导体制造装备和加工技术领域的一种多反应腔的原子层沉积装置和方法。该原子层沉积装置为A、B两相反应的反应腔通过一个过渡腔并联在一组真空泵组上，A、B两反应室各自通过通道阀门将反应腔和过渡腔连通，反应腔再通过真空阀、贮存室隔板和贮存室相通，在贮存室上部设置进气阀构成。所述沉积方法是在该装置内，集成电路的圆片在A、B反应腔之间经过通道阀门来回传送，传送至A反应腔时将发生A相反应，传送至B反应腔时将发生B相反应，A、B两相反应交替进行，将在圆片表面逐原子层地生长出集成电路所要求厚度的纳米薄层或复合结构材料。对反应腔室的沾污小，提高淀积质量；节约反应源用量，降低工艺成本，使环境危害程度最低。
文档编号C23C16/44GK101215692SQ200810055628
公开日2008年7月9日 申请日期2008年1月4日 优先权日2008年1月4日
发明者严利人, 朋 刘, 刘志弘, 窦维治, 冰 韩 申请人:清华大学