专利名称：生产平板太阳能吸热镀膜板的装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及太阳能光热利用领域，特别涉及的是生产平板太阳能吸热镀膜板 的装置。
技术背景太阳能资源是21世纪的新能源，太阳能制冷、太阳能热水器、太阳能发电、海水净 化等都是重要的应用领域。选择性吸热薄膜具有可见光_近红外光区高吸收率、红外光区 高反射率的性能优点，其生产方法及装置成为太阳能利用技术的重要研究方向，目前所采 用太阳能选择性吸热薄膜的生产方法有以下几种类型，且都具有相应的局限性玻璃管真空管型将直径不同的两个玻璃管的两端封接在一起，两管之间的空间 形成封接时抽成真空，内管的外壁沉积有太阳能吸热涂层，吸收太能辐射能而使温度升高， 内部通水带走热能，完成光热转换过程。其不足之处在于碰撞易碎，断水时干烧易炸管，同 时在建筑节能一体化时不宜作为建筑外壁、房顶。普通平板吸热涂层采用电镀、刷涂等方式在金属基片上形成吸热涂层，其不足之 处在于外红光发射率高，太阳能吸收率低，太阳能利用效率低，同时这种生产方式对环境有
一定污染。电子枪蒸发和离子源辅助的方式沉积太阳能吸热涂层，这种方式具有沉积速率高 的优势。其缺点是单个电子枪所获得的镀材的蒸发云不足以覆盖基片的幅宽，需两支电子 枪合并使用才能满足宽度上的均勻性，同时由于沉积速率高，膜层厚度控制困难，对于沉积 金属层厚度仅为IOnm左右的介质-金属干涉膜组类型的太阳吸热膜层，光学厚度精度在2 至3nm左右时的控制更难实现
实用新型内容
鉴于以上原因，本实用新型的目的是为了克服以上不足，提供一种能高效率的生 产膜层厚度控制方便、工艺实现灵活、大面积(单张镀膜板的长度方向大于600毫米、宽度 方向大于300毫米)的平板太阳能吸热镀膜板，环境污染程度小的生产平板太阳能吸热镀 膜板的装置。本实用新型的目的是这样来实现的本实用新型生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，包括前真空锁定室、前保持室、至 少有三组磁控溅射靶与相应的溅射腔室的能在基片上依次沉积由金属膜组成的红外光波 反射层/至少一组由金属膜或金属介质复合膜与介质膜组成的干涉膜堆/减反射层、或者 在基片上依次沉积由金属膜组成的红外光波反射层/吸热半导体材料膜或金属介质复合 材料膜/减反射层、以此在基片上形成太阳能吸收功能膜的连续镀膜室、后保持室、后真空 锁定室，磁控溅射靶及靶材，电源，工艺气体进气管及控制系统，真空抽气系统，基片传送机 构，其特征是基片以断续方式快速通过前保持室和前真空锁定室和同样以断续方式快速通 过后保持室和后真空锁定室的传送机构是电机拖动转动辊轴，辊轴表面摩擦传送基片，在大气与前真空锁定室之间、后真空锁定室与大气之间有真空阀门，前真空锁定室与前保持 室之间，后保持室与后真空锁定室之间有真空阀门，前保持室与连续镀膜室之间、连续镀膜 室与后保持室之间有让基片分批次按生产节奏进入连续镀膜室或退出连续镀膜室的真空 阀门。该装置能在金属基片上磁控溅射沉积太阳能吸收功能膜层，即从基片向外依次沉积 红外光波反射层(金属膜)/至少一组由金属膜或金属介质复合膜与介质膜组成的干涉膜 堆/减反射层(介质膜)，或者从基片向外依次沉积红外光波反射层(金属膜)/吸热半导 体材料膜或金属介质复合材料膜/减反射层(介质膜)。装置包括至少五个镀膜功能室， 分为前真空锁定室、前保持室、连续镀膜室(前、后部分别设有缓冲室)、后保持室、后真空 锁定室，它们之间有真空阀门，这些阀门的开启和关闭使各室都能建立起镀膜工艺所需的 1-9X ICT1Pa真空度，在大气与前(后)真空锁定室之间，前(后)真空锁定室与前(后)保 持室之间阀门开启关闭，基片在转动辊的传送下呈一片一片的或一批一批的方式有节奏的 快速进入(退出)各室，前(后)保持室与连续镀膜室之间的阀门开启关闭，基片在转动辊 的传送下呈一片一片的或一批次多片一批次多片的方式有节奏的快速的进入(退出)连续 镀膜室。上述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，在前保持室与连续镀膜室之间有基片 由按生产节奏的断续快速的进片方式变为呈一片接一片的连续勻速行进方式进入连续镀 膜室的前缓冲区(或称前缓冲室)，基片上形成太阳能吸收功能膜后，连续镀膜室与后保持 室之间有使基片呈一片接一片的连续勻速行进方式退出连续镀膜室后形成按生产节奏的 断续快速的出片方式的后缓冲区(或称后缓冲室)。当基片快速进入连续镀膜室之后，转动 辊的传动速度变为磁控溅射靶沉积工艺速度所需要的慢速的、连续的、勻速的基片运行速 度，使分批次快速进入连续镀膜室的基片一片接一片或一批次接一批次的连续的经过磁控 溅射靶溅射沉积区，使片与片或批次与批次之间的距离变为尽可能的小，以使沉积不间断、 不空溅射，提高效率，减少空溅时靶材的浪费以及时间的浪费，节约成本。上述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，在低于转动辊轴与基片接触面的转动 辊轴间布设托板或托条。为防止在转动辊间隔大于一定距离时薄形金属基片前端部掉入间 隔，在转动辊之间低于辊上平面处设有托板或托条。上述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，在镀膜装置至少5个功能室的阀门 处，设有随阀门的开启能上升或下降的基片传送过渡辊轴或过渡垫板。在名室之间有帮助 基片跨越阀门与辊间距的随阀门开启关闭随动的过渡垫板机构，也可以是垫辊、垫条、支撑 条、支撑网等。上述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，连续镀膜室至少3组磁控溅射靶及相 应的溅射腔室它们之间有隔板形成各自独立腔室，配有独立的抽真空系统，各自有独立磁 控溅射电源、工艺充气管路及控制单元系统，使靶、充气管道、真空抽气系统集成在一个靶 基座或腔室盖板上成为一个单独溅射模块。单独溅射模块可以放在连续镀膜室的任何工艺 需要的位置工作，以方便实现镀制不同膜系的吸热功能膜层。上述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，至少三组溅射靶及相应的溅射腔室他 们之间至少有一个基片得以通过的有狭缝的真空抽气室作为隔离腔室。溅射靶及相应的溅 射腔室他们之间至少有一个侧壁开有狭缝(能通过基片)的真空抽气室作为隔离腔室，不 设门阀，通过狭缝抽真空，若有2至3个隔离腔室，就可使溅射室之间真空度差一个数量级，以方便不同靶腔实现不同的充气气氛和工艺条件，镀制不同材质的膜层。上述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，磁控溅射靶是直流平面靶、直流柱形 靶、中频交流平面靶、中频交流柱形靶中的至少一种。因可以任意组合，方便实现镀制不同 膜系的吸热功能膜层，特别是干涉膜堆类型的膜系。上述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，磁控溅射靶是中频交流柱形旋转靶。 可以采用不同金属材料的靶材用不同气氛气体实现化学计量比材质的膜层，也可以用陶瓷 靶材直接镀制介质膜。采用中频交流柱形旋转靶，可以提高溅射速率，提高生产效率，降低 成本。采用长度方向大于600毫米、宽度方向大于300毫米的大面积单张金属片作为基 片，在本实用新型装置上的连续镀膜室中，基片从靶位下经过时依次沉积太阳能吸热功能 膜中的红外光反射层/吸热功能层/减反射层等膜层，本实用新型装置生产的吸热镀膜板 具有吸收率高、发射率低的优点，成本低。本实用新型装置能高效率的生产膜层厚度控制方 便、工艺实现灵活、大面积的平板太阳能吸热镀膜板。
图1为本实用新型装置总体结构示意图。图2为本实用新型装置传送系统示意图。图3为本实用新型装置真空阀关闭时传送机构示意图。图4为本实用新型装置真空阀开启时传动机构示意图。图5为基片传送方式示意图。图6为基片另一传送方式示意图。图7为溅射靶及对应的溅射腔室示意图。图8为图7的俯视图。图9为本实用新型生产的平板太阳能吸热镀膜板结构示意图。(基片上沉积了由 金属膜组成的红外光波反射层/金属膜与介质膜组成的干涉膜堆/减反射层)。图10为本实用新型生产的另一平板太阳能吸热镀膜板结构示意图(基片上沉积 了由金属膜组成的红外光波反射层/金属介质复合材料膜/减反射层)。图11为本实用新型生产的再一平板太阳能吸热镀膜板结构示意图(基片上沉积 了由金属膜组成的红外光波反射层/吸热半导体材料膜/减反射层)。图12为本实用新型装置另一总体结构示意图。图13为本实用新型装置再一总体结构示意图。
具体实施方式
实施例1 图1 图9给出了本实施例1图。参看图1，本实施例1中的装置包括上片区1， 前真空锁定室2，前保持室3，连续镀膜室4，，后保持室5，后真空锁定室6，下片区7，以及连 接各室的真空阀门8(8a、8b、8c、8d、8f)，其中8a、8f分别是前、后真空锁定室与外界大气之 间的真空阀门，在连续镀膜室4的前、后端分别为前缓冲室4M、后缓冲室4N。在连续镀膜 室4内，按照实现沉积图9所示基片27上沉积由金属膜组成的红外光波反射层28/金属膜
530与介质膜29组成的干涉膜堆(两组)/减反射层31 (本实施例1太阳能吸热膜系具体 为基片/Al红外光反射层/AlN-不锈钢干涉复合膜(两组)/AlN减反射层)，在溅射靶的 配置上，依次分布在8个磁控溅射靶及其相应的溅射腔室10a、10b、10c、10d、10e、IOf、10g、 IOh,依次为2个B革巴(10a、10b) /1个A靶(IOc) /1个B靶(IOd) /1个A靶(IOe) /1个B靶 (IOf)/2个A靶(10g、10h) (A靶为用于镀制介质膜或金属-介质复合膜或吸热半导体膜的 中频交流柱形旋转靶或中频交流平面靶，B靶位用于镀制金属膜层或红外光波反射膜层的 直流平面靶)。各溅射腔室之间存在隔离腔室9(9a、9b、9C、9d、9e、9f、9g9h)以实现各溅射 腔室的工作气氛环境的独立。本装置中还设有电源，工艺气体进气管及控制系统，真空抽气 系统。图2是本实施例装置中传送系统示意图。基片传送系统是由减速机11通过链条 13带动的辊轴12构成，辊轴12贯穿前后(上片区1开始，到下片区7)。减速机11 (11a、 llb、llc、lld、lle、llf、llg、llh、lli)的转速可调，可各自单独控制。图3、图4是传送机构示意图，减速机11 (Ila-Ili)与辊轴12通过链条(也可用齿 型带)相连，各辊轴的两端用轴承固定在腔室的底部。辊轴与辊轴之间设有托块14，在真空 阀门8的两侧也设有托块15，目的是使薄片基片在辊轴上行进时其前端不至于窜入辊轴之 下。随真空阀门8的开闭(图3为真空阀门8关闭，图4为真空阀门8开启时)而上升或 下降的过渡垫板机构16(两端由短绳吊在真空阀门8上)配合垫板15，在基片27跨越真空 阀门8时帮助薄形金属基片顺利跨过。图5、图6为本实施例装置的基片传送方式示意图，图5为本实施例装置所采用的 一片接一片传送方式。基片27从上片区1进入前真空锁定室2、前保持室3及从后保持室 5退出到后真空锁定室6、下片区7，伴随真空阀门8a、8b、8e、8f的开启关闭，呈现出快速的、 断续的、有节奏的传送特点。而在前、后保持室(3和5)真空阀门(8c和8d)的开启和关闭 时，基片快速的送人或退出连续镀膜室内的缓冲区(4M和4N)，断续的按节奏进入、退出的 基片在转动轴的减速传送下(传送节奏、速度发生变化)，呈一片接一片连续勻速的进行均 勻的沉积膜层，片与片之间的距离为20毫米至500毫米。图6是本实施例装置可以采用的 另一种传送方式，即一批接一批的方式，这种方式增加真空阀门8开启、关闭时每一次进出 本实施例装置的基片数目，提高生产效率。图7、图8为本实施例中连续电度膜室内溅射靶及对应的溅射腔室示意图(图7、 图8分别为侧视图和俯视图)。溅射靶23及相应的溅射腔室32之间由隔板17分割而形 成各自独立的腔室，溅射腔室32之间有一个基片27得以通过的有狭缝33的真空抽气室作 为隔离腔室34，可开启的靶腔箱盖18压在腔室之上(压力面有真空密封圈)。位于靶腔箱 盖上面分子泵19由气道20通入腔室，同时通过气管21与机械泵(图中未画出)相连，构 成单独的真空抽气系统；两根充气管22横贯位于溅射靶23两侧，纵贯这个腔室，其端头经 过混气箱24连接到分别控制沉积太阳能吸热功能膜所需的工艺气体氩气、氮气和氧气的 三个气体流量计25a、25b、25c的出口，形成了单独的充气控制系统。溅射靶23为直流平面 靶，通过靶腔箱盖18上的电源接头26连接到溅射电源，形成单独的溅射靶系统。溅射靶23 还根据不同的需要采用为中频交流柱形旋转靶、中频交流平面靶。上述真空抽气系统、充气 控制系统、溅射靶都集成在靶腔箱盖(靶基座)18上，形成了一个独立的溅射模块，可按不 同膜系的工艺要求移动。[0036]本实施例装置工作时，以大面积单张金属片作为太阳能镀膜板的基片27，基片27 以断续方式通过卧式镀膜装置中的前真空锁定室2、前保持室3、前缓冲区4M，进入到连续 镀膜室4中，连续镀膜室4有8组磁控溅射靶与相应的溅射腔室，基片进入连续镀膜室由减 速机拖动的水平布置转动辊轴12 —片接一片的、连续勻速的传送，基片经过磁控溅射靶与 相应的溅射腔室，在基片上依次沉积由金属膜组成的红外光波反射层/金属膜与介质膜组 成的干涉膜堆/减反射层，以此在基片上形成太阳能吸收功能膜，连续镀膜室后有后缓冲 区4N、后保持室5和后真空锁定室6，外界大气与前真空锁定室之间、前真空锁定室与前保 持室之间、前保持室与连续镀膜室之间、连续镀膜室与后保持室之间、后保持室与后真空锁 定室之间、后真空锁定室与外界大气之间设有真空阀门，当前后真空锁定室和前后保持室 的真空度达到连续镀膜室的镀膜工作真空度1-9X ICT1Pa,各室与室之间的真空阀门开启让 基片分批次按节奏进入连续镀膜室或退出连续镀膜室，前后真空锁定室与大气之间的阀门 开闭一次进出镀膜基片一批为一个生产节奏，片与片或批与批之间的距离为20毫米至500 毫米，基片上形成太阳能吸收功能膜后，依次从后缓冲区、后保持室和后真空锁定室出来， 生产出平板太阳能吸热镀膜板。本实施例中，为了沉积图9所示介质-金属干涉叠堆类型的一种太阳能吸热膜系 基片/Al红外光反射层/两组AlN介质层-不锈钢干涉复合层/AlN介质反射层，在溅射靶 配置如下溅射靶10a、10b用于沉积采用直流平面靶，靶材为铝，只充入溅射气体Ar ；10c、 10e、10g、IOh采用中频交流柱形旋转靶，靶材为不锈钢，充入溅射气体Ar和反应气体N2 ； IOcUlOf采用直流平面靶，只充入溅射气体Ar。具体工艺如下
靶位本底真空度 (Pa)充气(sccm) Ar/N2/ 02工作 真空度(Pa)減射功率 (KW)基片传送 速 度 (m/min)10a、 IOb3 X10:i380/0/02-5X10"'250. 6IOc3 X IO"3210/100/02-5X10"'25IOd3 XlO"3210/0/02-5X10”3IOe3X10—:i215/90/02-5 X ICT128IOf3 X IO"3215/0/02-5 X IO"11. 510h、 IOg3X10":!206/125/02-5 X IO"114本实施例所获得的“干涉膜堆”类型太阳能吸热镀膜板(膜系为基片/Al红外光 反射层/AlN-不锈钢干涉复合层(两组)/AlN减反射层)的镀膜层厚度依次为60-200nm、 20-80nm、10-20nm、20-80nm、6-12nm、20-80nm，优化厚度依次为 120-180nm、40_70nm、 12-18nm、40-70nm、6-10nm、40-70nm，经过光谱测试、计算，其太阳能吸收率为93%，发射率 为6%。实施例2 图1 图8、图10、图12给出了本实用新型实施例2图。本实施例2基本与实施 例1同，不同处是本实例主要沉积图10所示的氮氧化物的“吸热半导体材料膜系”类型的一种太阳能吸热镀膜板，选用的膜系为基片27/A1红外光反射层28/CrNiOyNx半导体吸收 层(吸热半导体材料膜)35/SiN减反射层36，以2000 X 1000 X 0.2mm的铝材为基片。本实 施例装置的所采用的传动系统、传动机构、基片的传送方式、溅射靶及其对应的溅射腔室的 结构都与实施例1中图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8所示结构和方式一样，只是根据所 沉积的太阳能吸收膜系的不同，连续镀膜室内的溅射靶及其对应的腔室的配置做了调整， 参见图12。图12为本实施例装置总体结构示意图(俯视图)，其包括的上片区1、前真空锁 定室2、前保持室3、连续镀膜室4、后保持室5、后真空锁定室6、下片区7、真空阀8 (8a-8f) 以及连续镀膜室4的前、后端的前、后缓冲室4M、4N都与实例一中图1所示的一样。在连 续镀膜室4内，依据要沉积的基片/Al红外光反射层/CrNiOyNx半导体吸收层/SiN减反 射层的膜系，其中CrNiOyNx中的0、N的含量在充气时调整(可见下表内充气一栏)，在溅 射靶的配置上，依次分布在7个溅射靶及其相应的溅射腔室10 (IOa-IOg)，依次为2个B靶 (10a、IOb)/3个A靶(10C、10d、10e)/2个A靶(IOfUOg)0各溅射腔室之间存在隔离腔室 9 (9a-9f)以实现各溅射腔室的工作气氛环境的独立。IOaUOb用于沉积在基片上的Al红外光反射层，采用直流平面靶，铝靶材，只充入 溅射气体Ar ； 10c、IOcUlOe用于沉积CrNiOyNx半导体吸收层，其中CrNiOyNx中的0、N的含 量在充气时调整(可见下表内充气一栏)，采用中频交流柱形旋转靶，靶材为CrNi合金，充 入流量一样溅射气体Ar和反应气体02、N2 ； 10g、IOh用于沉积SiN减反射层，采用中频交流 平面靶，充入Ar、N2。具体工艺如下 溅射靶10c、10d、10e用于沉积同一种膜层，且工艺参数一样，所以在本实例中的 IOcUOd,IOe之间不采用隔离腔室。本实例中所沉积的基片/Al红外光反射层/CrNiOyNx半导体吸收层/SiN减 反射层这一膜系中镀膜层厚度依次为80-200nm，60-160nm, 20-100nm,优化厚度依次为 100-160nm, 80-140nm, 40-80nm,经过光谱测试、计算，其太阳能吸收率为90. 5 %，发射率为9%。实施例3 图1 图8、图11、图13给出了本实施例3图。本实施例3基本与实施例1同，不 同处是本实施例3主要沉积图11所示的“金属介质复合材料膜”(或称为“掺杂金属的介 质材料”)类型的一种太阳能吸热镀膜板，需用的膜系为基片27/A1红外光反射层28/ΑΙΝχ 金属_介质复合材料层37/AlNy金属-介质复合材料层38/A1N减反射层39，其中AlNx中 Al的填充因子高于AlNy中Al的填充因子，同样也采用以2000 X 1000 X 0. 2mm的铝材为基
8片。本实施例装置所采用的传动系统、传动机构、基片的传送方式、溅射靶及其对应的 溅射腔室的结构都与实施例1图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8中所示结构和方式一样， 只是根据所沉积的太阳能吸收功能膜系的不同，连续镀膜室内的溅射靶及其对应的腔室的 配置做了调整，参见图13。图13为本实施例装置总体结构示意图(俯视图)，其包括的上片区1、前真空锁定 室2、前保持室3、连续镀膜室4、后保持室5、后真空锁定室6、下片区7、真空阀8 (8a-8f)以 及连续镀膜室4的前、后端的前、后缓冲室4M、4N都与实施例1中图1所示的一样。在连续 镀膜室4内，按所沉积基片/Al红外光反射层/AlNx金属-介质复合材料层/AlNy金属-介 质复合材料层/AlN减反射层的膜系，在溅射靶的配置上，依次分布在8个溅射靶及其相应 的溅射腔室10 (IOa-IOh)，依次为2个B革巴(10a、10b) /2个A革巴(IOcUOd) /2个A革巴(10e、 IOf) /2个A靶(10g、IOh)。各溅射腔室之间存在隔离腔室9 (9a-9m)，以实现各溅射腔室的 工作气氛环境的独立。IOaUOb用于沉积在基片上的Al红外光反射层，采用直流平面靶，铝靶材，只充入 溅射气体Ar ；IOcUOd用于沉积AlNx金属-介质复合材料层，采用中频交流柱形旋转靶，靶 材为Al，充入流量一样的溅射气体Ar和反应气体N2 ； IOeUOf用于沉积AlNy金属-介质复 合材料层，采用中频交流柱形旋转靶，靶材为Al，充入溅射气体Ar和反应气体N2，但N2气 氛比例更大(即Al由70%逐渐下降到30%，而N由30%逐渐上升到70%) ； 10g、10h用于 沉积AlN减反射层，采用中频交流平面靶，充入Ar、N2。具体工艺如下 工作真空度(Pa)为2-5 X ΙΟ—1。本实施例中所沉积的基片/Al红外光反射层/AlNx金属-介质复合材料层/AlNy 金属_介质复合材料层/AlN减反射层膜系的各层厚度依次为80-200nm、20-60nm、40-80nm、 50-90nm，优化厚度依次为120-170nm、30-50nm、50-70nm、60-80nm，经过光谱测试、计算，其 太阳能吸收率为95. 5%，发射率为8%。[0055] 上述各实施例是对本实用新型的上述内容作进一步的说明，但不应将此理解为本 实用新型上述主题的范围仅限于上述实施例。凡基于上述内容所实现的技术均属于本实用 新型的范围。
权利要求生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，包括前真空锁定室、前保持室、至少有三组磁控溅射靶与相应的溅射腔室的能在基片上依次沉积由金属膜组成的红外光波反射层/至少一组由金属膜或金属介质复合膜与介质膜组成的干涉膜堆/减反射层、或者在基片上依次沉积由金属膜组成的红外光波反射层/吸热半导体材料膜或金属介质复合材料膜/减反射层、以此在基片上形成太阳能吸收功能膜的连续镀膜室、后保持室、后真空锁定室，磁控溅射靶及靶材，电源，工艺气体进气管及控制系统，真空抽气系统，基片传送机构，其特征在于基片以断续方式快速通过前保持室和前真空锁定室和同样以断续方式快速通过后保持室和后真空锁定室的传送机构是电机拖动转动辊轴，辊轴表面摩擦传送基片，在大气与前真空锁定室之间、后真空锁定室与大气之间有真空阀门，前真空锁定室与前保持室之间，后保持室与后真空锁定室之间有真空阀门，前保持室与连续镀膜室之间、连续镀膜室与后保持室之间有让基片分批次按生产节奏进入连续镀膜室或退出连续镀膜室的真空阀门。
2.如权利要求1所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，其特征在于在前保持室与 连续镀膜室之间有基片由按生产节奏的断续快速的进片方式变为呈一片接一片的连续勻 速行进方式进入连续镀膜室的前缓冲区，基片上形成太阳能吸收功能膜后，连续镀膜室与 后保持室之间有使基片呈一片接一片的连续勻速行进方式退出连续镀膜室后形成按生产 节奏的断续快速的出片方式的后缓冲区。
3.如权利要求1或2所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，其特征在于在低于转 动辊轴与基片接触面的转动辊轴间布设托板或托条。
4.如权利要求1或2所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，其特征在于在镀膜装 置至少五个功能室的阀门处，设有随阀门的开启能上升或下降的基片传送过渡辊轴或过渡 垫板。
5.如权利要求1或2所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，其特征在于连续镀膜 室至少三组磁控溅射靶及相应的溅射腔室之间有隔板形成各自独立腔室，配有独立的抽真 空系统，各自有独立磁控溅射电源、工艺充气管路及控制单元系统，使靶、充气管道、真空抽 气系统集成在一个靶基座或腔室盖板上成为一个单独溅射模块。
6.如权利要求1或2所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，其特征在于至少3组 溅射靶及相应的溅射腔室间至少有一个基片得以通过的有狭缝的真空抽气室作为隔离腔 室。
7.如权利要求1或2所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，其特征在于磁控溅射 靶是直流平面靶、直流柱形靶、中频交流平面靶、中频交流柱形靶中的至少一种。
8.如权利要求7所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，其特征在于磁控溅射靶是 中频交流柱形旋转靶。
专利摘要本实用新型生产平板太阳能吸热镀膜板的装置，包括前保持室、前真空锁定室、连续镀膜室、后保持室和后锁定室，基片以断续方式快速通过前保持室和前真空锁定室和同样以断续方式快速通过后保持室和后真空锁定室的传送机构是电机拖动转动辊轴，辊轴表面摩擦传送基片，本实用新型装置生产的吸热镀膜板具有吸收率高、发射率低的优点。本实用新型生产效率高，成本低。
文档编号C23C14/56GK201648513SQ20102014712
公开日2010年11月24日 申请日期2010年3月31日 优先权日2010年3月31日
发明者徐胜洋, 惠述伟, 甘国工 申请人:甘国工