专利名称：发光面板、发光面板的制造方法以及成膜系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有层叠多个功能层而成的发光功能层的发光面板、发光面板的制造方法以及成膜系统。
背景技术：
这种发光面板，作为下一代的显示以及照明用面板受到期待，近年来，研究、开发取得进展。关于一般的发光面板的构成，以有机EL显示面板为例进行说明，在有机EL显示面板中，在TFT (薄膜晶体管)基板上形成有层间绝缘膜，在该层间绝缘膜上按各子像素形成有阳极(像素电极)。各个阳极被透明导电层覆盖。在相邻的阳极之间分别形成有堤。另一方面，在各阳极上，隔着透明导电层层叠有预定颜色的有机发光层。在各个阳极与层叠在该各个阳极的层叠的有机发光层之间，根据需要，形成有空穴注入层、空穴输送层或空穴注入兼输送层。并且，在各有机发光层上遍及整个面板形成有阴极(共用电极)。在阴极与各有机发光层之间，根据需要，形成有电极注入层、电子输送层或电子注入兼输送层。另外，作为与有机EL显示面板的层叠构造相关的现有技术文献，有专利文献I中记载的文献。专利文献1:日本特开平5-163488号公报
发明内容
有机EL显示面板等发光面板中的、从阳极到阴极的功能层(以下、也将从阳极到阴极的功能层ー并记作”发光功能层”。)中的几个功能层，使用真空成膜装置(磁控溅射装置、蒸镀装置等)来成膜。下面，作为真空成膜装置以磁控溅射装置为例，假设使用该装置成膜的功能层是透明导电层以及空穴注入层，来说明课题。透明导电层以及空穴注入层各自使用分别的磁控溅射装置成膜。在各磁控溅射装置中，配置靶构件，在该靶构件背面配置多个磁控管。因此，在分别成膜透明导电层以及空穴注入层时，会产生因多个磁控管的磁场引起的膜厚不均。在此，多个磁控管的配置位置在两个磁控溅射装置中相同。因此，透明导电层以及空穴注入层各自的膜厚存在相同的不均。例如，在对发光面板中的第一发光区域和第二发光区域进行比较的情况下，在第一发光区域中的透明导电层以及空穴注入层的膜厚都比在第二发光区域中的透明导电层以及空穴注入层的膜厚厚。也就是说，在透明导电层中的膜厚厚的部分之上层叠空穴注入层中的膜厚厚的部分，在透明导电层中的膜厚薄的部分之上层叠空穴注入层中的膜厚薄的部分。因此，在作为发光功能层来看的情况下，在第一发光区域和第二发光区域存在大的膜厚差。于是,作为结果,在发光面板产生辉度(brightness)不均。其原因认为是在第一发光区域和第二发光区域中光学距离、电阻值不同。以上，作为真空成膜装置以磁控溅射装置为例进行了说明，但是在使用蒸镀装置来成膜的情况下也会产生同样的课题。这是因为在蒸镀装置中虽然不配置磁控管，但是取而代之配置蒸镀源，会因蒸镀源的配置位置产生膜厚不均。因此，本发明的目的在于，提供ー种减小发光功能层的膜厚不均的发光面板。为了解决上述课题，本发明的一方案的发光面板，具有基板和形成于所述基板上的发光功能层，所述发光功能层是多个功能层层叠而成的，多个功能层中包括第一功能层以及第二功能层，在将从层叠方向的一方观察所述发光功能层时在与层叠方向交叉的方向上相邻或分离的两个区域中的一方称为第一发光区域、将另一方称为第二发光区域的情况下，所述第一发光区域中的第一功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第一功能层的膜厚薄，并且所述第一发光区域中的第二功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第二功能层的膜厚厚。在本发明的一方案的发光面板中,所述第一发光区域中的第一功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第一功能层的膜厚薄，并且所述第一发光区域中的第二功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第二功能层的膜厚厚。也就是说，第一功能层和第二功能层的膜 厚分布不同。因此，在本发明的一方案的发光面板中，尽管在第一功能层以及第ニ功能层的各自存在膜厚厚的部分和薄的部分，但是与第一功能层和第二功能层的膜厚分布相同的情况相比，第一发光区域和第二发光区域的膜厚差减小。由于发光面板中的膜厚不均减小，所以能够减小该发光面板中的辉度不均。
图1 (a)是表示本发明的实施方式I的显示装置100的电构成的框图，(b)是表示显示面板105所具有的一个像素电路的电路构成以及与其周边电路的连接的图。图2是示意表示显示面板105的主要部分的局部剖面图。图3是示意表示显示面板1050的微小区域A以及微小区域B各自中的、透明导电层和空穴注入层的膜厚的图。图4 Ca)是表示透明导电层的膜厚分布的图，(b)是表示空穴注入层的膜厚分布的图，(C)是表示透明导电层以及空穴注入层的层叠膜的辉度分布的图。图5是示意表示显示面板105的微小区域a以及微小区域b各自中的透明导电层和空穴注入层的膜厚的图。图6 Ca)是表示磁控溅射装置内的构成的图，(b)是示意表示基板21、靶构件22、以及多个磁控管25的配置关系的图，(c)是示意表示形成在基板21上的功能层26的图。图7 (a)是示意表示第一磁控溅射装置中的、基板31、靶构件32、以及多个磁控管35的配置关系的图，(b)是示意表示由第一磁控溅射装置形成在基板31上的透明导电层36的图，(c)是示意表示第二磁控溅射装置中的基板41、靶构件42、以及多个磁控管45的配置关系的图，(d)是示意表示由第二磁控溅射装置形成在基板41上的空穴注入层46的图，(e)是不意表不层叠膜56的图。图8 (a)是示意表示第一磁控溅射装置中的、基板61、靶构件62、以及多个磁控管65的配置关系的图，(b)是示意表示由第一磁控溅射装置形成在基板61上的透明导电层66的图，(c)是示意表示第二磁控溅射装置中的、基板71、靶构件72、以及多个磁控管75的配置关系的图，(d)是示意表示由第二磁控溅射装置形成在基板71上的空穴注入层76的图，(e)是不意表不层置I旲86的图。图9是表示显示面板105的制造エ序的一例的图。图10是表示显示面板105的制造エ序中的图9所示的工程后续部分的一例的エ序图。图11是示意表示显示面板1051的微小区域a以及微小区域b各自中的阳极以及空穴注入层的膜厚的图。
图12是示意表示显示面板1052的微小区域a以及微小区域b各自中的透明导电层、空穴注入层、以及阳极的膜厚的图。图13 (a)是示意表示第一磁控溅射装置中的基板61、靶构件62、以及多个磁控管65的配置关系的图，(b)是示意表示第二磁控溅射装置中的基板71、靶构件72、以及多个磁控管75的配置关系的图，(c)是示意表示用于阳极成膜的第三磁控溅射装置中的基板91、靶构件92、以及多个磁控管95的配置关系的图。图14是例示了显示装置100的外观的图。
具体实施例方式<实施方式>本发明的一方案的发光面板，具有基板和形成于所述基板上的发光功能层，所述发光功能层是多个功能层层叠而成的，多个功能层中包括第一功能层以及第ニ功能层，在将从层叠方向的一方观察所述发光功能层时在与层叠方向交叉的方向上相邻或分离的两个区域中的一方称为第一发光区域、将另一方称为第二发光区域的情况下，所述第一发光区域中的第一功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第一功能层的膜厚薄，并且所述第一发光区域中的第二功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第二功能层的膜厚厚。在本发明的一方案的发光面板中,所述第一发光区域中的第一功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第一功能层的膜厚薄，并且所述第一发光区域中的第二功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第二功能层的膜厚厚。也就是说，第一功能层和第二功能层的膜厚分布不同。因此，在本发明的一方案的发光面板中，尽管在第一功能层以及第ニ功能层的各自存在膜厚厚的部分和薄的部分，但是与第一功能层和第二功能层的膜厚分布相同的情况相比，第一发光区域和第二发光区域的膜厚差减小。由于发光面板中的膜厚不均减小，所以能够减小该发光面板中的辉度不均。在此，作为本发明的其他方案，所述第一功能层和所述第二功能层可以是由真空成膜法成膜的层。在此，作为本发明的其他方案，所述第一功能层和所述第二功能层可以在层叠方向上相邻。在此，作为本发明的其他方案，所述多个功能层中可以还包括阳极、和夹着所述第一功能层以及第ニ功能层与所述阳极相对向的阴极，所述第一功能层是层叠于所述阳极上的透明导电层，所述第二功能层是层叠于所述透明导电层上的电荷注入层。在此，作为本发明的其他方案，所述第一功能层可以由ITO或IZO构成，所述第二功能层可以由氧化金属构成。在此，作为本发明的其他方案，所述多个功能层可以还包括第三功能层，所述第一发光区域中的第三功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第三功能层的膜厚厚。在此，作为本发明的其他方案，所述第三功能层可以是阳极，所述多个功能层还包括夹着所述第一功能层以及第ニ功能层与所述阳极相对向的阴极，所述第一功能层是层叠于所述阳极上的透明导电层，所述第二功能层是层叠于所述透明导电层上的电荷注入层。在此，作为本发明的其他方案，所述第三功能层可以由铝、银、或铝以及银中的任一方的合金构成。在此，作为本发明的其他方案，所述第三功能层可以是阴极，所述多个功能层还包 括夹着所述第一功能层以及第ニ功能层与所述阴极相对向的阳极，所述第一功能层是层叠于所述阳极上的透明导电层，所述第二功能层是层叠于所述透明导电层上的电荷注入层。在此，作为本发明的一方案的发光面板的制造方法，所述发光面板具有基板和在所述基板上层叠多个功能层而成的发光功能层，所述多个功能层包括第一功能层以及第ニ功能层，所述制造方法包括第一エ序，由第一成膜装置形成所述第一功能层；以及第ニエ序，由第二成膜装置形成所述第二功能层，在将从层叠方向的一方观察所述发光功能层时在与层叠方向交叉的方向上相邻或分离的两个区域中的一方称为第一发光区域、将另一方称为第二发光区域的情况下，所述第一发光区域中的第一功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第一功能层的膜厚薄，并且所述第一发光区域中的第二功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第二功能层的膜厚厚。在此，作为本发明的其他方案，所述第一成膜装置可以是第一磁控溅射装置，所述第二成膜装置可以是第二磁控溅射装置。在此，作为本发明的其他方案，所述第一磁控溅射装置可以具有第一靶构件;第一靶构件支架，保持配置于主面的所述第一靶构件的；以及多个第一磁控管，配置于所述第一靶构件支架中的与配置有所述第一靶构件的主面相反侧的面，所述第二磁控溅射装置具有第二靶构件；第二靶构件支架，保持配置于主面的所述第二靶构件；以及多个第二磁控管，配置于所述第二靶构件支架中的与配置有所述第二靶构件的主面相反侧的面，将所述基板，在所述第一磁控溅射装置内に配置成与所述第一靶构件相对向之后，在所述第二磁控溅射装置内配置成与所述第二靶构件相对向，所述多个第一磁控管各自相对于所述基板的位置，不同于所述多个第二磁控管各自相对于所述基板的位置。在本方案的发光面板的制造方法中，在第一磁控溅射装置和第二磁控溅射装置中磁控管的配置不同，所以第一功能层和第二功能层的膜厚分布不同。因此，与第一功能层和第二功能层的膜厚分布相同的情况相比，能够减小第一功能层和第二功能层的层叠膜的膜厚差。在此，作为本发明的其他方案，所述多个第一磁控管可以以第一间隔等间隔配置，所述多个第二磁控管以第二间隔等间隔配置，所述第一间隔与所述第二间隔相等。在此，作为本发明的其他方案，所述第一功能层与所述第二功能层可以在层叠方向上相邻。在此，作为本发明的其他方案，所述多个功能层中可以还包括第三功能层，所述制造方法包括由第三磁控溅射装置形成第三功能层的第三エ序，所述第一发光区域中的第三功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第三功能层膜厚厚。在此，作为本发明的其他方案，所述第三的磁控溅射装置可以具有第三靶构件；第三靶构件支架，保持配置于主面的所述第三靶构件；以及多个第三磁控管，配置在所述第三靶构件支架中的与配置有所述第三靶构件的主面相反侧的面，所述多个第三磁控管各自相对于所述基板的位置不同于所述多个第一磁控管各自相对于所述基板的位置、以及所述多个第二磁控管各自相对于所述基板的位置。在本方案的发光面板的制造方法中，在第一磁控溅射装置、第二磁控溅射装置、以及第三的磁控溅射装置中磁控管的配置不同，所以第一功能层、第二功能层、以及第三功能层的膜厚分布互不相同。因此，与第一功能层、第二功能层及第三功能层的膜厚分布相同的情况相比，能够减小第一功能层、第二功能层及第三功能层的层叠膜的膜厚差。在此，作为本发明的其他方案，所述第一成膜装置可以是第一蒸镀装置，所述第二成膜装置可以是第二蒸镀装置。在此，作为本发明的其他方案，所述第一蒸镀装置可以具有多个第一蒸镀源，所述第二蒸镀装置具有多个第二蒸镀源，将所述基板，在所述第一蒸镀装置内配置成与所述多个第一蒸镀源相对向之后，在所述第二蒸镀装置内配置成与所述多个第二蒸镀源相对向，所述多个第一蒸镀源各自相对于所述基板的位置，不同于所述多个第二蒸镀源各自相对于所述基板的位置。在本方案的发光面板的制造方法中，在第一蒸镀装置和第二蒸镀装置中蒸镀源的配置不同，所以第一功能层和第二功能层的膜厚分布不同。因此，与第一功能层和第二功能层的膜厚分布相同的情况相比，能够减小第一功能层和第二功能层的层叠膜的膜厚差。在此，作为本发明的其他方案，所述多个第一蒸镀源可以以第一间隔等间隔配置，所述多个第二蒸镀源以第二间隔等间隔配置，所述第一间隔与所述第二间隔相等。在此，作为本发明的其他方案，所述第一功能层和所述第二功能层可以在层叠方向上相邻。在此，作为本发明的其他方案，所述多个功能层中可以还包括第三功能层，所述制造方法包括由第三蒸镀装置形成第三功能层的第三エ序，所述第一发光区域中的第三功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第三功能层的膜厚厚。在此，作为本发明的其他方案，所述第三的蒸镀装置可以具有多个第三蒸镀源，所述多个第三蒸镀源各自相对于所述基板的位置不同于所述多个第一蒸镀源各自相对于所述基板的位置、以及所述多个第二蒸镀源各自相对于所述基板的位置。在本方式的发光面板的制造方法中，在第一蒸镀装置、第二蒸镀装置以及第三蒸镀装置中蒸镀源的配置不同，所以第一功能层、第二功能层以及第三功能层的膜厚分布各不相同。因此，与第一功能层、第二功能层以及第三功能层的膜厚分布相同的情况相比，能够减小第一功能层、第二功能层以及第三功能层的层叠膜的膜厚差。在此，本发明的一方案的用于制造发光面板的成膜系统，用于制造如下发光面板， 所述发光面板具有基板和在所述基板上层叠多个功能层而成的发光功能层，所述多个功能层包括第一功能层以及第二功能层，所述成膜系统，包括第一磁控溅射装置，形成所述第一功能层；以及第ニ磁控溅射装置，形成所述第二功能层，所述第一磁控溅射装置具有 第一靶构件；第一靶构件支架，保持配置于主面的所述第一靶构件；以及多个第一磁控管，配置于所述第一靶构件支架中的与配置有所述第一靶构件的主面相反侧的面，所述第二磁控溅射装置具有第二靶构件；第二靶构件支架，保持配置于主面的所述第二靶构件；以及多个第二磁控管，配置于所述第二靶构件支架中的与配置有所述第二靶构件的主面相反侧的面，将所述基板，在所述第一磁控溅射装置内配置成与所述第一靶构件相对向之后，在所述第二磁控溅射装置内配置成与所述第二靶构件相对向，所述多个第一磁控管各自相对于所述基板的位置，不同于所述多个第二磁控管各自相对于所述基板的位置。在此，本发明的一方案的用于制造发光面板的成膜系统，用于制造如下发光面板，所述发光面板具有基板和在所述基板上层叠多个功能层而成的发光功能层，所述多个功能层包括第一功能层以及第二功能层，所述成膜系统，包括第一蒸镀装置，形成所述第一功能层；以及第ニ蒸镀装置，形成所述第二功能层，所述第一蒸镀装置具有多个第一蒸镀源，所述第二蒸镀装置具有多个第二蒸镀源，将所述基板，在所述第一蒸镀装置内配置成与所 述多个第一蒸镀源相对向之后，在所述第二蒸镀装置内配置成与所述多个第二蒸镀源相对向，所述多个第一蒸镀源各自相对于所述基板的位置，不同于所述多个第二蒸镀源各自相对于所述基板的位置。<实施方式I >在此，作为发光面板以显示面板为例进行说明。-显示装置100的概略-图1 (a)是表示包含本发明的实施方式I的显示面板105的显示装置100的电构成的框图。如图1 (a)所示，显示装置100包括控制电路101、存储器102、扫描线驱动电路103、数据线驱动电路104、和行列状配置有像素电路的显示面板105。显示面板105例如是电致发光(以下记作“EL”)显示面板，也可以设为有机EL显示面板。图1 (b)是表示显示面板105所具有的一个像素电路的电路构成以及与其周边电路的连接的图。如图1 (b)所示，像素电路208包括栅极线200、数据线201、电源线202、开关晶体管203、驱动晶体管204、阳极205、保持电容206和阴极207而构成。开关晶体管203以及驱动晶体管204是薄膜晶体管元件。周边电路包括扫描线驱动电路103和数据线驱动电路104。另外，由开关晶体管203、驱动晶体管204以及保持电容206构成驱动部209。从数据线驱动电路104供给的信号电压经由开关晶体管203施加于驱动晶体管204的栅极端子。驱动晶体管204使与该数据电压对应的电流在源扱-漏极端子之间流动。通过该电流向阳极205流动，得到与该电流相应的发光辉度。-显示面板105的概略构成-图2是示意表示显示面板105的主要部分的局部剖面图。如图2所示,在TFT基板I上形成有层间绝缘膜2(在本说明书中，将在TFT基板I上形成有层间绝缘膜2的构件定义为“基板120”。)，在该层间绝缘膜2上以子像素为単位行列状形成有阳极3。通过在X轴方向上相邻的3个子像素的组合构成I个像素。在各阳极3上形成透明导电层4，在层间绝缘膜2上形成有空穴注入层5以覆盖各个透明导电层4。在空穴注入层5上，在相当于相邻的阳极3之间的区域分别形成有堤6。在由堤6规定的各区域内，在空穴注入层5上形成空穴输送层7，在空穴输送层7上层叠预定颜色的发光层8。并且，在发光层8上，形成电子输送层9、阴极11以及封止层12，以使电子输送层9、阴极11以及封止层12分别超越由堤6规定的区域而与相邻的子像素的电子输送层9、阴极11以及封止层12相连续。-透明导电层和空穴注入层具有相同的膜厚分布的情况_在说明显示面板105的特征部分之前，作为该显示面板105的比较对象，说明两个功能层具有相同的膜厚分布的显示面板。在此，作为两个功能层以透明导电层以及空穴注入层为例进行说明。图3是示意表示显示面板1050的微小区域A以及微小区域B各自中的透明导电层和空穴注入层的膜厚的图。微小区域A以及B是从层叠方向的一方观察发光功能层时，在与层叠方向交叉的方向上分离的区域，例如是由多个像素构成的区域。由于透明导电层以及空穴注入层具有相同的膜厚分布，所以如图3所示，微小区域A中的透明导电层4A的膜厚比微小区域B中的透明导电层4B的膜厚厚，同样，微小区域A中的空穴注入层5A的膜厚也比微小区域B中的空穴注入层5B的膜厚厚。由于具有相同的膜厚分布的透明导电层与空穴注入层层叠，所以与功能层单体的情况相比，在微小区域A与微小区域B会产生更大的膜厚差。接着，用实验验证了具有相同的膜厚分布的透明导电层和空穴注入层层叠会对辉度带来怎样的影响。其中，在此，在玻璃基板上仅层叠透明导电层以及空穴注入层这两层来进行实验。作为透明导电层使用了氧化铟锌(IZ0)，作为空穴注入层使用了氧化钨(WOx)。图4是表示透明导电层以及空穴注入层各自的膜厚分布、以及层叠该透明导电层和空穴注入层而成的层叠膜的辉度分布的图。图4 (a)表示透明导电层的膜厚分布，图4(b)表示空穴注入层的膜厚分布。从图4 (a)、(b)可知，透明导电层以及空穴注入层各自的膜厚不是恒定的，产生了不均。在图4 (a)、(b)中，颜色浓的部分表示膜厚厚的部分。另外，比较图4 (a)与图4 (b)可知，透明导电层以及空穴注入层各自的膜厚分布相同。图4 (C)表示透明导电层以及空穴注入层的层叠膜的辉度分布。从图4 (C)可知，透明导电层以及空穴注入层的层叠膜产生了与膜厚不均对应的辉度不均。其原因认为是，在微小区域A和微小区域B，光学距离、电阻值不同。因此，认为层叠膜的膜厚差越大，则辉度不均也越大。这样，由于具有相同的膜厚分布的透明导电层和空穴注入层层叠，也就是说，在透明导电层和空穴注入层的层叠膜的表面产生膜厚差，导致产生辉度不均的问题。-透明导电层和空穴注入层具有不同的膜厚分布的情况-接着，说明显示面板105的特征部分。在显示面板105，透明导电层和空穴注入层具有不同的膜厚分布。图5是示意表示显示面板105的微小区域a以及微小区域b各自中的透明导电层和空穴注入层的膜厚的图。微小区域a以及b是从层叠方向的一方观察发光功能层时，在与层叠方向交叉的方向上分离的区域，例如是由多个像素构成的区域。图5所示，微小区域a中的空穴注入层5a的膜厚比微小区域b中的空穴注入层5b的膜厚厚，而微小区域a中的透明导电层4a的膜厚比微小区域b中的透明导电层4b的膜厚薄。
也就是说，透明导电层4与空穴注入层5的膜厚分布不同，在透明导电层4中的膜厚薄的部分4a上层叠空穴注入层5中的膜厚厚的部分5a，在透明导电层4中的膜厚厚的部分4b上层叠空穴注入层5中的膜厚薄的部分5b。因此，在显示面板105中，尽管透明导电层以及空穴注入层各自存在膜厚厚的部分和薄的部分，但是微小区域a和微小区域b中透明导电层以及空穴注入层的层叠膜的膜厚的差，与透明导电层以及空穴注入层具有相互相同的膜厚分布的情况相比减小了。因此，能够减小显示面板105中的辉度不均。-显示面板105的各部构成-TFT基板I例如是在无碱玻璃、钠玻璃、无荧光玻璃、磷酸系玻璃、硼酸系玻璃、石 英、丙烯系树脂、苯こ烯系树脂、聚碳酸酯系树脂、环氧系树脂、聚こ烯、聚酯、硅氧烷系树脂或氧化铝等绝缘性材料的基板本体上形成TFT、布线构件以及覆盖该TFT的钝化膜等(图未示)的构成。基板本体也可以是有机树脂膜。层间绝缘膜2是为了将TFT基板I的表面台阶差调整为平坦而设置的，由聚酰亚胺系树脂或丙烯系树脂等绝缘材料构成。阳极3由铝(Al)或铝合金形成。另外，阳极3例如也可以由银(Ag)，银、钯和铜的合金，银、铷和金的合金，钥和铬的合金(MoCr),镍和铬的合金(NiCr)等形成。透明导电层4作为防止在制造过程中阳极3自然氧化的保护层发挥作用。透明导电层4的材料只要由对在发光层8产生的光具有足够的透光性的导电性材料形成即可，例如，优选氧化铟锡(IT0)、IZ0等。这是因为，即使在室温下进行成膜也能够得到良好的导电性。空穴注入层5具有将空穴注入到发光层8的功能。例如，由包括WOx、氧化钥(MoOx)、氧化钥鹤(MoxWyOz)等过渡金属的氧化物的金属氧化物形成。堤6由树脂等有机材料形成，具有绝缘性。作为有机材料的例子，可以举出丙烯系树脂、聚酰亚胺系树脂、酚醛清漆型酚树脂等。堤6优选具有有机溶剂耐受性。并且，堤6，由于有时要被实施蚀刻处理、烘焙处理等，所以优选由对这些处理不会过度变形、变质等的耐受性高的材料形成。空穴输送层7，例如由日本特开平5-163488号记载的三唑衍生物、噁ニ唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物以及吡唑啉酮衍生物、苯ニ胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代芳基丙烯酰芳烃衍生物、噁唑化合物衍生物、苯こ烯蒽衍生物、9_荷酮衍生物、腙衍生物、苗衍生物、卩卜啉(porphyrin)化合物、芳香族叔胺化合物以及苯こ烯基胺化合物、丁ニ烯化合物、聚苯こ烯衍生物、腙衍生物、三苯甲烷衍生物、四苯基苯(tetraphenyIbenzene)衍生物形成。尤其优选，由卟啉化合物、芳香族叔胺化合物以及苯こ烯基胺化合物形成。在发光层8为有机发光层的情况下，例如，优选由聚芴、聚苯こ烯撑、聚こ炔、聚亚苯基、聚对苯こ烯撑、聚3-己基噻吩、它们的衍生物等高分子材料，日本特开平5-163488号公报中记载的类喔星(oxinoid)化合物、茈化合物、香豆素化合物、氮杂香豆素化合物、噁唑化合物、噁ニ唑化合物、紫环酮(per inone )化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物(7 ン卜ラセン化合物)、芴化合物、荧蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、晕苯化合物、
喹诺酮化合物及氮杂喹诺酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、 (chrysene)化合物、菲化合物、环戍二烯化合物、苗化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、双氰亚甲基吡喃化合物、双氰亚甲基噻喃化合物、荧光素化合物、吡喃鎗化合物、噻喃鎗化合物、硒吡喃鎗化合物、碲吡喃鎗化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亚苯基化合物、噻吨化合物、蒽化合物(7 7 9 ★ >化合物)、吖啶化合物、8-羟基喹啉化合物的金属配合物、2，2’ -联吡啶化合物的金属配合物、席夫碱与III族金属的配合物、8-羟基喹啉(喔星)金属配合物、稀土类配合物等荧光物质等形成。电子输送层9例如由日本特开平5-163488号公报的硝基取代9_荷酮衍生物、噻喃二氧化物衍生物、联苯醌(Diphenoquinone)衍生物、茈四羧基衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、亚芴基甲烷衍生物、蒽酮衍生物、噁二唑衍生物、紫环酮衍生物、喹啉配合物衍生物等形成。另外，从使电子注入性进一步提高的观点出发，构成上述电子输送层的材料中也可以掺杂Na、Ba、Ca等碱金属或碱土类金属。 阴极11例如由ΙΤ0、IZO等形成。封止层12具有抑制发光层8等暴露于水分或暴露于空气的功能，例如由氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳化硅(SiC)、含碳氧化硅(SiOC)、氮化铝(A1N)、氧化铝(Al2O3)等材料形成。-成膜系统的构成_成膜系统例如包括多个真空成膜装置而构成。在此，作为真空成膜装置以磁控溅射装置为例进行说明。首先，简单说明磁控溅射装置的构成。图6 (a)是表示磁控溅射装置内的构成的图。在磁控溅射装置(未图示)内，如图6 (a)所示，基板21与靶构件22相对向配置。基板21由基板支架23保持。靶构件22由靶构件支架24保持，在该靶构件支架24中的、与保持有靶构件22的面相反侧的面配置有多个磁控管25。图6 (b)是示意表示基板21、靶构件22以及多个磁控管25的配置关系的图。如图6 (b)所示，相对于基板21，多个磁控管25等间隔配置。图6 (C)是示意表示在基板21上形成的功能层26的图。其中，该功能层26是由如图6 (b)所示那样配置有多个磁控管的磁控溅射装置成膜的。从图6 (b)和图6 (C)可知，功能层26中的、相当于配置有磁控管25的部分的部分26A的膜厚，比相当于不配置磁控管25的部分的部分26b的膜厚厚。也就是说，在功能层26，产生由于多个磁控管的配置引起的膜厚不均。在此基础上，说明在二个磁控溅射装置中磁控管的配置相同的情况下和在磁控管的配置不同的情况下，产生怎样的差异。-在两个磁控溅射装置中磁控管的配置相同的情况-首先，说明在两个磁控溅射装置中磁控管的配置相同的情况。作为成膜系统，在此假设是串排(in line)型成膜系统，该系统包括作为第一成膜装置的成膜透明导电层的第一磁控溅射装置、以及作为第二成膜装置的成膜空穴注入层的第二磁控溅射装置。图7 (a)是示意表示第一磁控溅射装置中的、基板31、靶构件32以及多个磁控管35的配置关系的图。图7 (b)是示意表示由第一磁控溅射装置形成在基板31上的透明导电层36的图。图7 (C)是示意表示第二磁控溅射装置中的、基板41、靶构件42以及多个磁控管45的配置关系的图。图7 (d)是示意表示由第二磁控溅射装置形成在基板41上的空穴注入层46的图。图7 (a)以及图7 (C)与图6 (b)相同，图7 (b)以及图7 (d)与图6 (C)相同。也就是说，第一磁控溅射装置和第二磁控溅射装置的磁控管的配置相同，由这些磁控溅射装置形成的透明导电层36以及空穴注入层46的膜厚分布相同。因此，如图7 (b)、(d)、(e)所示，若在透明导电层36上层叠空穴注入层46，则透明导电层以及空穴注入层的层叠膜56的最厚部分与最薄部分之差th3，比透明导电层36以及空穴注入层46各自的最厚部分与最薄部分之差thl、th2都大。因此，显示面板中的辉度不均也变大。-在两个磁控溅射装置中磁控管的配置不同的情况_接着，说明在两个磁控溅射装置中磁控管的配置不同的情况。图8 (a)是示意表示第一磁控溅射装置中的、基板61、靶构件62以及多个磁控管65的配置关系的图。图8 (b)是示意表示由第一磁控溅射装置形成在基板61上的透明导电层66的图。图8 (c)是示意表示第二磁控溅射装置中的、基板71、靶构件72以及多个磁控管75的配置关系的图。图8 (d)是示意表示由第二磁控溅射装置形成在基板71上的空穴注入层76的图。对图8 (a)和图8 (C)进行比较可知，多个磁控管65各自相对于靶构件62的位置，与多个磁控管75各自相对于靶构件72的位置不同。具体而言，在图8 (a)和图8 (c)中，相同点是，多个磁控管以等间隔配置，但是在图8 (c)中，磁控管配置在相当于图8 (a)所示的相邻磁控管之间的各区域的部分。也就是说，在图8 (a)和图8 (C)中，磁控管的配置偏移了半周期。因此，在与基板相对向的靶构件面附近的磁场的分布，在图8 (a)和图8(c)中不同，其结果，分别由第一功能层以及第二磁控溅射装置成膜的透明导电层66以及空穴注入层76的膜厚分布也不同。具体而言，对图8 (b)和图8 (d)进行对比可知，与透明导电层66的膜厚厚的部分66a对应的空穴注入层76的部分76a的膜厚薄，与透明导电层66的膜厚薄的部分66b对应的空穴注入层76的部分76b的膜厚厚。因此，在将它们层叠了的情况下，图8 (e)所示的、层叠膜86的最厚部分与最薄部分之差th4，小于图7 (e)所示的、层叠膜56的最厚部分与最薄部分之差th3。也就是说，通过使各个磁控溅射装置中的磁控管的配置不一致，层叠膜86的膜厚差减小。尤其是，在此，在各个磁控溅射装置中磁控管的配置错开半周期，所以在透明导电层66的最厚部分层叠空穴注入层76的最薄部分，在透明导电层66的最薄部分层叠空穴注入层76的最厚部分。因此，层叠膜86的膜厚差成为最小。另外，空穴注入层的平均膜厚优选与透明导电层中的膜厚最厚的部分和膜厚最薄的部分之差是同等程度。这是因为，能进一步减小层叠膜的膜厚不均。另外，即使在空穴注入层相对于透明导电层来说很薄的情况下，也能够减小层叠膜的膜厚不均。这是因为，空穴注入层的膜厚分布不因该空穴注入层的厚度而产生。由于如上述那样层叠膜86的膜厚差减小，所以显示面板中的辉度不均也减小。
_制造方法_接着,例示显示面板105的制造工序。图9、10是表示显示面板105的制造工序的一例的图。另外，在图9、10中，取显不面板105的一部分不意表不。首先，在形成于TFT基板I上的层间绝缘膜2上成膜Ag薄膜。Ag薄膜的成膜可以使用磁控溅射法、真空蒸镀法等真空成膜法。接着，在Ag薄膜上成膜ITO薄膜。ITO薄膜的膜厚例如是10 50nm，ITO薄膜的成膜可以使用磁控溅射法、真空蒸镀法等真空成膜法。例如可以使用图8 (a)所示的第一磁控溅射装置。在成膜了 Ag薄膜以及ITO薄膜之后，通过例如用光刻法进行图形形成，行列状地形成阳极3以及透明导电层4 (参照图9 (a))。接着，使用WOx或含有MoxWyOz的组合物，在行列状地形成有阳极3以及透明导电层4的TFT基板I的表面成膜WOx、MoOx或MoxWyOz的空穴注入层5 (参照图9 (b))。空穴注入层5的膜厚例如是5 40nm，空穴注入层5的成膜可以使用磁控溅射法、真空蒸镀法等真空成膜法。例如，可以使用图8 (c)所示的第二磁控溅射装置。接着，在空穴注入层5上形成由绝缘性有机材料构成的堤材料层。堤材料层的形成例如可以通过涂敷等进行。然后，在堤材料层上重叠具有预定形状的开口部的掩模，从掩模之上使之感光后，用显影液洗去多余的堤材料层。由此，完成堤材料层的图形形成。通过以上所述，完成堤6 (参照图10 (a))。接着，在由堤6所划分的各区域内，通过例如喷墨法滴下包含空穴输送层的材料的组合物墨，使该组合物墨干燥而形成空穴输送层7。在空穴输送层7形成后，在由堤6所划分的各区域内，通过例如喷墨法，滴下包含发光材料的组合物墨，使该组合物墨干燥而形成发光层8 (参照图10 (b))。另外，空穴输送层7以及发光层8也可以通过分墨法、喷嘴式涂敷法、旋涂法、凹版印刷、凸版印刷等形成。在发光层8形成后，形成电子输送层9以及阴极(例如由ITO薄膜构成)11，进而在阴极11上形成封止层12 (参照图10 (C))。电子输送层9以及阴极11的成膜可以使用磁
控溅射法、真空蒸镀法等真空成膜法。如上所述，根据本实施方式的显示面板105，透明导电层4和空穴注入层5的膜厚分布不一致，所以透明导电层4的膜厚最厚的部分和空穴注入层5的膜厚最厚的部分不一致而错开地层叠。同样，透明导电层4的膜厚最薄的部分和空穴注入层5的膜厚最薄的部分错开地层叠。因此，能够减小透明导电层4以及空穴注入层5的层叠膜中的膜厚不均，所以结果能够减小显示面板中的辉度不均。<变形例>以上，以显示面板为例，基于实施方式说明了本发明的发光面板，但是本发明当然不限于上述实施方式。例如可以想到以下的变形例。(I)微小区域a中的空穴注入层的膜厚可以比微小区域b中的空穴注入层的膜厚薄，并且微小区域a中的透明导电层的膜厚可以比微小区域b中的透明导电层的膜厚厚。(2)作为由磁控溅射装置成膜的两个功能层举例说明了透明导电层以及空穴注入层，但是也可以是其他功能层(例如、阳极、电子输送层、阴极等)。另外，这二层功能层不需要一定在层叠方向上相邻，也可以分离。但是，在该情况下，需要使两个功能层之间不介有由喷墨等涂敷法形成的功能层。这是因为，在由涂敷法形成的功能层的形状中不反映该功能层的下层的形状。在此，作为相互分离的两个功能层以阳极以及空穴注入层为例进行说明。图11是示意表示显示面板1051的微小区域a以及微小区域b各自中的阳极以及空穴注入层的膜厚的图。在图11所示的显示面板1051中，微小区域a中的阳极3a的膜厚比微小区域b中的阳极3b的膜厚薄，而微小区域a中的空穴注入层5a的膜厚比微小区域b中的空穴注入层5b的膜厚厚。即使像这样两个功能层相互分离，通过使用磁控管的配置不同的分别的磁控溅射装置成膜这两个功能层，也能够减小层叠膜的膜厚不均。另外，不必限定为两层功能层，对于三层以上功能层也同样。在此，作为三个功能层以透明导电层、空穴注入层以及阳极为例进行说明。图12是示意表示显示面板1052的微小区域a以及微小区域b各自中的透明导电层、空穴注入层以及阳极的膜厚的图。在图12所示的显示面板1052中，微小区域a中的空穴注入层5a的膜厚比微小区域b中的空穴注入层5b的膜厚厚，而微小区域a中的透明导电层4a的膜厚比微小区域b中的透明导电层4b的膜厚薄。另外，微小区域a中的阳极3a的膜厚比微小区域b中的阳极3b的膜厚厚。接着，图13 (a)是示意表示第一磁控溅射装置中的、基板61、靶构件62、以及多个磁控管65的配置关系的图。图13 (b)是示意表示第二磁控溅射装置中的、基板71、靶构件72以及多个磁控管75的配置关系的图。图13 (c)是示意表示阳极的成膜所使用的第三磁控溅射装置中的、基板91、靶构件92以及多个磁控管95的配置关系的图。图13 Ca)与图8 Ca)同样，图13 (b)与图8 (C)同样。也就是说，在图13 (a)和图13 (b)中，磁控管的配置偏移半周期，在图13 (b)中，在相当于图13 (a)所示的相邻的磁控管之间的各区域的部分配置磁控管。另外，在图13 (a)和图13 (c)中，磁控管的配置偏移I / 4周期。因此，多个磁控管95各自相对于靶构件92的位置，与多个磁控管65各自相对于靶构件62的位置、以及多个磁控管75各自相对于靶构件72的位置不同。磁控管的配置在所有的磁控溅射装置中都不同，所以能够减小由这些装置成膜的功能层的层叠膜的膜厚差。另外，在此，作为三个功能层以透明导电层、空穴注入层以及阳极为例进行了说明，但是也可以是其他的功能层。(3)说明了空穴输送层以及电子输送层分别有一层，但是也可以分别由两层以上构成。在该情况下，可以是各个空穴输送层的膜厚分布不同，也可以是各个电子输送层的膜厚分布不同。由此，能够减小这些层叠膜的膜厚不均。(4)多个磁控管以等间隔配置，但是不一定需要是等间隔。只要在各磁控溅射装置中多个磁控管配置成多个功能层各自中的、膜厚最厚的部分彼此、最薄部分彼此不层叠即可。因此，只要膜厚分布在多个功能层中不一致即可，可以是任意的配置。例如，可以将多个磁控管配置成间隔逐渐变大，另外，可以将多个磁控管倾斜配置。另外，磁控管的形状不限于四边形，也可以是圆形、多边形。(5)作为真空成膜装置，以磁控溅射装置为例进行了说明，但是也可以使用蒸镀装置、CVD装置、溅射装置、电镀装置等。在此，简单说明使用蒸镀装置的情况。在蒸镀装置内，取代多个磁控管，多个蒸镀源例如以等间隔与基板相对向配置。使用该蒸镀装置而成膜的功能层中的、相当于蒸镀源的区域的膜厚，比相当于相邻的蒸镀源之间的区域的膜厚厚。也就是说，在成膜的功能层中，产生因蒸镀源的配置引起的膜厚不均。因此，通过蒸镀源的配置不同的分别的蒸镀装置成膜各功能层，能够减小层叠膜的膜厚不均。(6)说明了微小区域a以及b分别为由多个像素构成的区域，但是也可以设为由I个像素构成的区域，还可以设为比I个像素小的区域。另外，微小区域a以及b分别也可以不是以像素为基准的区域。并且，微小区域a以及b可以是在与功能层的层叠方向交叉的方向上相邻的区域。(7)没有示出显示装置100的外观,但例如具有图14所示的外观。(8)作为发光面板以显示装置用的显示面板为例进行了说明，但是也可以是照明装置用的发光面板。(9)说明了作为第一成膜装置以第一磁控溅射装置为例，作为第二成膜装置以第二磁控溅射装置为例，用分别的磁控溅射装置成膜两个层的情况，但是也可以用同一磁控溅射装置成膜二个层。在该情况下，通过按每层改变同一磁控溅射装置内的磁控管的配置等等，能够成膜具有不同膜厚分布的膜。(10)可以是第一成膜装置为第一 CVD装置、第二成膜装置为第二 CVD装置，也可以
是第一成膜装置为第一蒸镀装置、第二成膜装置为第二蒸镀装置。另外，也可以是组合了磁控溅射装置、蒸镀装置、CVD装置、溅射装置以及电镀装置中的两个以上的成膜系统。例如，可以是第一功能层以及第二成膜装置的一方为磁控溅射装置、另一方为蒸镀装置，也可以是一方为CVD装置、另一方为蒸镀装置，还可以是一方为磁控溅射装置、另一方为CVD装置。产业上的可利用性本发明能够利用于显示装置、照明装置。附图标记说明100显示装置101控制电路102存储器103扫描线驱动电路104数据线驱动电路105显示面板200栅极线201数据线202电源线203开关晶体管204驱动晶体管
205阳极
206保持电容
207阴极
208像素电路
209驱动部
ITFT基板
2层间绝缘膜
3阳极
4透明导电层
5空穴注入层
6堤
7空穴输送层
8发光层
9电子输送层
11阴极
12封止层
权利要求
1.一种发光面板，具有基板和形成于所述基板上的发光功能层， 所述发光功能层由多个功能层层叠而成，所述多个功能层中包括第一功能层以及第二功能层， 在将从层叠方向的一方观察所述发光功能层时在与层叠方向交叉的方向上相邻或分离的两个区域中的一方称为第一发光区域、将另一方称为第二发光区域的情况下， 所述第一发光区域中的第一功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第一功能层的膜厚薄，并且所述第一发光区域中的第二功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第二功能层的膜厚厚。
2.根据权利要求1所述的发光面板， 所述第一功能层和所述第二功能层是由真空成膜法成膜的层。
3.根据权利要求1或2所述的发光面板， 所述第一功能层和所述第二功能层在层叠方向上相邻。
4.根据权利要求3所述的发光面板， 所述多个功能层还包括阳极、和夹着所述第一功能层以及第二功能层与所述阳极相对向的阴极， 所述第一功能层是层叠于所述阳极上的透明导电层， 所述第二功能层是层叠于所述透明导电层上的电荷注入层。
5.根据权利要求1 3中任一项所述的发光面板， 所述第一功能层由ITO或IZO构成， 所述第二功能层由氧化金属构成。
6.根据权利要求1所述的发光面板， 所述多个功能层中还包括第三功能层， 所述第一发光区域中的第三功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第三功能层的膜厚厚。
7.根据权利要求6所述的发光面板， 所述第三功能层是阳极， 所述多个功能层中还包括夹着所述第一功能层以及第二功能层与所述阳极相对向的阴极， 所述第一功能层是层叠于所述阳极上的透明导电层， 所述第二功能层是层叠于所述透明导电层上的电荷注入层。
8.根据权利要求6所述的发光面板， 所述第三功能层由铝、银、或铝以及银中的任一方的合金构成。
9.根据权利要求6所述的发光面板， 所述第三功能层是阴极， 所述多个功能层中还包括夹着所述第一功能层以及第二功能层与所述阴极相对向的阳极， 所述第一功能层是层叠于所述阳极上的透明导电层， 所述第二功能层是层叠于所述透明导电层上的电荷注入层。
10.一种发光面板的制造方法，所述发光面板具有基板和在所述基板上层叠多个功能层而成的发光功能层，所述多个功能层包括第一功能层以及第二功能层， 所述制造方法包括 第一工序，由第一成膜装置形成所述第一功能层；以及 第二工序，由第二成膜装置形成所述第二功能层， 在将从层叠方向的一方观察所述发光功能层时在与层叠方向交叉的方向上相邻或分离的两个区域中的一方称为第一发光区域、将另一方称为第二发光区域的情况下， 所述第一发光区域中的第一功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第一功能层的膜厚薄，并且所述第一发光区域中的第二功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第二功能层的膜厚厚。
11.根据权利要求10所述的发光面板的制造方法， 所述第一成膜装置是第一磁控溅射装置， 所述第二成膜装置是第二磁控溅射装置。
12.根据权利要求11所述的发光面板的制造方法， 所述第一磁控溅射装置具有 第一祀构件； 第一靶构件支架，保持配置于主面的所述第一靶构件；以及 多个第一磁控管，配置于所述第一靶构件支架中的与配置有所述第一靶构件的主面相反侧的面， 所述第二磁控溅射装置具有 第二靶构件； 第二靶构件支架，保持配置于主面的所述第二靶构件；以及 多个第二磁控管，配置于所述第二靶构件支架中的与配置有所述第二靶构件的主面相反侧的面， 所述基板，在所述第一磁控溅射装置内配置成与所述第一靶构件相对向之后，在所述第二磁控溅射装置内配置成与所述第二靶构件相对向， 所述多个第一磁控管各自相对于所述基板的位置，不同于所述多个第二磁控管各自相对于所述基板的位置。
13.根据权利要求12所述的发光面板的制造方法， 所述多个第一磁控管以第一间隔等间隔配置， 所述多个第二磁控管以第二间隔等间隔配置， 所述第一间隔与所述第二间隔相等。
14.根据权利要求10 13中任一项所述的发光面板的制造方法， 所述第一功能层与所述第二功能层在层叠方向上相邻。
15.根据权利要求11 14中任一项所述的发光面板的制造方法， 所述多个功能层中还包括第三功能层， 所述制造方法包括由第三磁控溅射装置形成第三功能层的第三工序、 所述第一发光区域中的第三功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第三功能层的膜厚厚。
16.根据权利要求15所述的发光面板的制造方法，所述第三磁控溅射装置具有 第三靶构件； 第三靶构件支架，保持配置于主面的所述第三靶构件；以及 多个第三磁控管，配置在所述第三靶构件支架中的与配置有所述第三靶构件的主面相反侧的面， 所述多个第三磁控管各自相对于所述基板的位置，不同于所述多个第一磁控管各自相对于所述基板的位置、以及所述多个第二磁控管各自相对于所述基板的位置。
17.根据权利要求10所述的发光面板的制造方法， 所述第一成膜装置是第一蒸镀装置， 所述第二成膜装置是第二蒸镀装置。
18.根据权利要求17所述的发光面板的制造方法， 所述第一蒸镀装置具有多个第一蒸镀源， 所述第二蒸镀装置具有多个第二蒸镀源， 所述基板，在所述第一蒸镀装置内配置成与所述多个第一蒸镀源相对向之后，在所述第二蒸镀装置内配置成与所述多个第二蒸镀源相对向， 所述多个第一蒸镀源各自相对于所述基板的位置，不同于所述多个第二蒸镀源各自相对于所述基板的位置。
19.根据权利要求18所述的发光面板的制造方法， 所述多个第一蒸镀源以第一间隔等间隔配置， 所述多个第二蒸镀源以第二间隔等间隔配置， 所述第一间隔与所述第二间隔相等。
20.根据权利要求17 19中任一项所述的发光面板的制造方法， 所述第一功能层和所述第二功能层在层叠方向上相邻。
21.根据权利要求17 20中任一项所述的发光面板的制造方法， 所述多个功能层中还包括第三功能层， 所述制造方法包括由第三蒸镀装置形成第三功能层的第三工序， 所述第一发光区域中的第三功能层的膜厚比所述第二发光区域中的第三功能层的膜厚厚。
22.根据权利要21所述的发光面板的制造方法， 所述第三蒸镀装置具有多个第三蒸镀源， 所述多个第三蒸镀源各自相对于所述基板的位置，不同于所述多个第一蒸镀源各自相对于所述基板的位置、以及所述多个第二蒸镀源各自相对于所述基板的位置。
23.一种成膜系统，用于制造发光面板，所述发光面板具有基板和在所述基板上层叠多个功能层而成的发光功能层，所述多个功能层包括第一功能层以及第二功能层， 所述成膜系统，包括 第一磁控溅射装置，形成所述第一功能层；以及 第二磁控溅射装置，形成所述第二功能层， 所述第一磁控溅射装置具有 第一靶构件；第一靶构件支架，保持配置于主面的所述第一靶构件；以及 多个第一磁控管，配置于所述第一靶构件支架中的与配置有所述第一靶构件的主面相反侧的面， 所述第二磁控溅射装置具有 第二靶构件； 第二靶构件支架，保持配置于主面的所述第二靶构件；以及 多个第二磁控管，配置于所述第二靶构件支架中的与配置有所述第二靶构件的主面相反侧的面， 将所述基板，在所述第一磁控溅射装置内配置成与所述第一靶构件相对向之后，在所述第二磁控溅射装置内配置成与所述第二靶构件相对向， 所述多个第一磁控管各自相对于所述基板的位置，不同于所述多个第二磁控管各自相对于所述基板的位置。
24. 一种成膜系统，用于制造发光面板，所述发光面板具有基板和在所述基板上层叠多个功能层而成的发光功能层，所述多个功能层包括第一功能层以及第二功能层， 所述成膜系统，包括 第一蒸镀装置，形成所述第一功能层；以及 第二蒸镀装置，形成所述第二功能层， 所述第一蒸镀装置具有多个第一蒸镀源， 所述第二蒸镀装置具有多个第二蒸镀源， 将所述基板，在所述第一蒸镀装置内配置成与所述多个第一蒸镀源相对向之后，在所述第二蒸镀装置内配置成与所述多个第二蒸镀源相对向， 所述多个第一蒸镀源各自相对于所述基板的位置，不同于所述多个第二蒸镀源各自相对于所述基板的位置。
全文摘要
发光面板(105)，具有基板和形成于所述基板上的发光功能层，所述发光功能层是多个功能层层叠而成的，多个功能层包括第一功能层以及第二功能层，在将从层叠方向的一方观察所述发光功能层时在与层叠方向交叉的方向上相邻或分离的两个区域中的一方称为第一发光区域(a)、将另一方称为第二发光区域(b)的情况下，所述第一发光区域(a)中的第一功能层(4a)的膜厚比所述第二发光区域(b)中的第一功能层(4b)的膜厚薄，并且所述第一发光区域(a)中的第二功能层(5a)的膜厚比所述第二发光区域(b)中的第二功能层(5b)的膜厚厚。
文档编号C23C14/34GK103026791SQ201180036878
公开日2013年4月3日 申请日期2011年6月8日 优先权日2011年6月8日
发明者西山诚司 申请人:松下电器产业株式会社