专利名称：沉积源和包括沉积源的有机层沉积装置的制作方法
技术领域：
本发明的实施方式的各方面涉及沉积源和有机层沉积装置，更具体地，涉及能简单用于生产大规模的大尺寸显示装置并能防止或基本防止沉积源喷嘴在沉积过程中被阻塞的沉积源和有机层沉积装置。
背景技术：
与其它显示装置相比，有机发光显示装置具有更大的视角、更好的对比度特性以及更快的响应速度，因而作为下一代显示装置而备受瞩目。有机发光显示装置通常具有层叠结构，该层叠结构包括阳极、阴极、以及插入阳极与阴极之间的发射层。当从阳极和阴极分别注入的空穴和电子在发射层中复合从而发出光线时，这些装置显示彩色图像。通过这种结构难以获得高发光效率，因此在发射层与这些电极中的每一个之间任选附加地插入包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等的中间层。另外，实际上很难在例如发射层和中间层的有机薄膜中形成精细图案，而且红色、 绿色以及蓝色发光效率根据有机薄膜改变。为了这些原因，不容易通过利用传统的有机层沉积装置在大衬底(例如具有5G或更大尺寸的母体玻璃)上形成有机薄膜图案，因而难以制造具有满意的驱动电压、电流密度、亮度、颜色纯度、发光效率以及寿命特性的大型有机发光显示装置。因此，就这一点而言存在改进的需求。
发明内容
根据本发明的实施方式的方面，沉积源和有机层沉积装置可以被简单制造、可以简单地用于生产大规模的大尺寸显示装置，并且可以防止或基本防止沉积源喷嘴在沉积过程中被阻塞。根据本发明的实施方式，沉积源包括第一沉积源和第二沉积源，均沿第一方向设置；第一沉积源喷嘴单元，位于所述第一沉积源的侧面，并且包括在所述第一方向设置的多个第一沉积源喷嘴；第二沉积源喷嘴单元，位于所述第二沉积源的侧面，并且包括在所述第一方向设置的多个第二沉积源喷嘴；一对第一突出反射器，被设置在所述多个第一沉积源喷嘴的相对两侧，其中所述多个第一沉积源喷嘴位于所述第一突出反射器之间；以及一对第二突出反射器，被设置在所述多个第二沉积源喷嘴的相对两侧，其中所述多个第二沉积源喷嘴位于所述第二突出反射器之间，其中所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴朝向彼此倾斜。从所述第一沉积源可以排放主体材料，而且从所述第二沉积源可以排放掺杂物材料。 该沉积源可以进一步包括第三突出反射器，所述第三突出反射器连接所述第一突出反射器中的一个的一端和所述第一突出反射器中的另一个的一端。所述第一突出反射器中的一个的所述一端和所述第一突出反射器中的另一个的所述一端均可以邻近所述第二沉积源。该沉积源可以进一步包括第四突出反射器，所述第四突出反射器连接所述第二突出反射器中的一个的一端和所述第二突出反射器中的另一个的一端。所述第二突出反射器中的一个的所述一端和所述第二突出反射器中的另一个的所述一端均可以邻近所述第一沉积源。所述第一突出反射器的高度可以大于或者等于所述第一沉积源喷嘴的高度。所述第二突出反射器的高度可以大于或者等于所述第二沉积源喷嘴的高度。在一个实施方式中，在所述多个第一沉积源喷嘴之中最靠近所述第二沉积源的沉积源喷嘴是虚拟喷嘴，并且所述虚拟喷嘴中没有孔，以使得所述第一沉积源中包含的沉积材料不能够通过所述虚拟喷嘴排放。在一个实施方式中，在所述多个第二沉积源喷嘴之中最靠近所述第一沉积源的沉积源喷嘴是虚拟喷嘴，并且所述虚拟喷嘴中没有孔，以使得所述第二沉积源中包含的沉积材料不能够通过所述虚拟喷嘴排放。根据本发明的另一实施方式，用于在衬底上形成薄膜的有机层沉积装置包括沉积源，用于排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，位于所述沉积源的侧面，并且包括在第一方向设置的多个沉积源喷嘴；以及图案化缝隙片，位于所述沉积源喷嘴单元的对面，并且具有在与所述第一方向垂直的第二方向设置的多个图案化缝隙。该衬底在所述第一方向相对于所述有机层沉积装置可移动以用于执行沉积。所述沉积源包括第一沉积源和第二沉积源，以用于排放不同的材料。所述沉积源喷嘴单元包括第一沉积源喷嘴单元，位于所述第一沉积源的侧面，并且包括在所述第一方向设置的多个第一沉积源喷嘴；以及第二沉积源喷嘴单元，位于所述第二沉积源的侧面，并且包括在所述第一方向设置的多个第二沉积源喷嘴。所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴倾斜预定的角度。从所述第一沉积源可排放主体材料，而且从所述第二沉积源可排放掺杂物材料。
所述第一沉积源和所述第二沉积源均可以沿所述第一方向设置。所述第一沉积源喷嘴单元可以进一步包括均设置在所述多个第一沉积源喷嘴的相对两侧的第一突出反射器和第二突出反射器，其中所述多个第一沉积源喷嘴位于所述第一突出反射器与所述第二突出反射器之间。该有机层沉积装置可以进一步包括第三突出反射器，所述第三突出反射器连接所述第一突出反射器的一端和所述第二突出反射器的一端。所述第一突出反射器的所述一端和所述第二突出反射器的所述一端可以邻近所述第二沉积源。所述第一突出反射器和所述第二突出反射器的高度可以大于或者等于所述第一沉积源喷嘴的高度。在一个实施方式中，在所述多个第一沉积源喷嘴之中最靠近所述第二沉积源的沉积源喷嘴是虚拟喷嘴并且所述虚拟喷嘴中没有孔，以使得所述第一沉积源中包含的沉积材料不能够通过所述虚拟喷嘴排放。所述第二沉积源喷嘴单元可以进一步包括均设置在所述多个第二沉积源喷嘴的相对两侧的第四突出反射器和第五突出反射器，其中所述多个第二沉积源喷嘴位于所述第四突出反射器与所述第五突出反射器之间。该有机层沉积装置可以进一步包括第六突出反射器，所述第六突出反射器连接所述第四突出反射器的一端和所述第五突出反射器的一端。所述第四突出反射器的所述一端和所述第五突出反射器的所述一端可以邻近所述第一沉积源。所述第四突出反射器和所述第五突出反射器的高度可以大于或者等于所述第二沉积源喷嘴的高度。在一个实施方式中，在所述多个第二沉积源喷嘴之中最靠近所述第一沉积源的沉积源喷嘴是虚拟喷嘴并且所述虚拟喷嘴中没有孔，以使得所述第二沉积源中包含的沉积材料不能够通过所述虚拟喷嘴排放。所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元、以及所述图案化缝隙片可以形成为一体，例如通过连接部件彼此连接。该装置可以进一步包括至少一个连接部件，所述至少一个连接部件被连接于所述沉积源喷嘴单元与所述图案化缝隙片之间，所述至少一个连接部件被配置成引导所述沉积材料的移动。所述至少一个连接部件可以被形成为密封所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元与所述图案化缝隙片之间的空间。该有机层沉积装置可以与所述衬底隔开一定距离。当所述衬底在所述第一方向相对于所述有机层沉积装置移动时，所述沉积材料被连续沉积在所述衬底上。所述图案化缝隙片可以小于所述衬底。从所述第一沉积源排放的主体材料中的至少一部分可以与从所述第二沉积源排放的掺杂物材料中的至少一部分混合。所述第一沉积源和所述第二沉积源可以设置在所述第一方向上以使彼此平行。所述多个第一沉积源喷嘴和所述第二沉积源喷嘴面向彼此倾斜。所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴可以以从所述第一沉积源排放的主体材料与从所述第二沉积源排放的掺杂物材料的混合比在整个所述衬底上被维持恒定的方式倾斜。所述第一沉积源和所述第二沉积源可以是线性沉积源。所述多个第一沉积源喷嘴或者所述多个第二沉积源喷嘴中的至少一个的沉积源喷嘴的下端部分可以具有弯曲表面。
本发明的以上和其它特征将通过参照附图详细描述的本发明的一些示例性实施方式变得更加明显，在附图中图I是根据本发明的实施方式的沉积源的示意性立体图2A是沿图I中线I-I获取的沉积源的横截面图；图2B是沿图I中线II-II获取的沉积源的横截面图；图2C是图I中的沉积源的修改示例的横截面图；图2D是示出沉积有沉积材料的沉积源喷嘴的下部的照片；图3是根据本发明的另一实施方式的沉积源的示意性立体图；图4是根据本发明的实施方式的有机层沉积装置的示意性立体图；图5是图4中的有机层沉积装置的示意性侧视横截面图；图6是图4中的有机层沉积装置的示意性前视横截面图；以及图7是根据本发明实施方式的、通过利用有机层沉积装置制造的有源矩阵有机发
光显示装置的横截面图。
具体实施例方式本发明的某些示例性实施方式将在下文中参照附图更全面地描述；然而，本发明的实施方式可以以不同的形式体现，而且不应解释为受本文中图示并提出的示例性实施方式限制。相反，这些示例性实施方式是通过示例的方式为了理解本发明并将本发明的范围传递给本领域技术人员所提供的。本领域技术人员应该理解，所描述的实施方式可以以各种不同的方式修改，所有的修改都不偏离本发明的精神或范围。有机发光显示装置包括中间层，该中间层包括配置于相对彼此设置的第一电极与第二电极之间的发射层。这些电极和中间层可以通过使用各种方法形成，其中一个方法是沉积法。当有机发光显示装置通过使用沉积方法制造时，具有与待形成的薄膜相同图案的精细金属掩模(FMM)被配置成紧密接触衬底，并且为了形成具有所需图案的薄膜，在FMM上沉积薄膜材料。图I是根据本发明的实施方式的沉积源10的示意性立体图。图2A是沿图I中的线I-I的横截面图。图2B是沿图I中的线II-II的横截面图。参见图I至图2B，根据一个实施方式的沉积源10可包括第一沉积源110和第二沉积源120。通过分别在第一沉积源110和第二沉积源120中蒸发第一沉积材料117a和第二沉积材料117b在沉积目标(例如，图4所示的衬底400)上形成薄膜。第一沉积源110和第二沉积源120可以是线性沉积源。具体地，第一沉积源110可以包含主体材料如第一沉积材料117a，第二沉积源120 可以包含掺杂物材料如第二沉积材料117b。可选地，第一沉积源110可以包含掺杂物材料如第一沉积材料117a，第二沉积源120可以包含主体材料如第二沉积材料117b。由于主体材料和掺杂物材料在不同的温度下蒸发，所以提供第一和第二沉积源110和120以及第一沉积源喷嘴单元130和第二沉积源喷嘴单元140以同时沉积主体材料和掺杂物材料。具体地，第一沉积源110包括装有第一沉积材料117a的坩埚111，和加热器112， 加热器112加热坩埚111以朝坩埚111的侧面蒸发第一沉积材料117a，具体朝衬底400蒸发第一沉积材料117a。第二沉积源120包括装有第二沉积材料117b的坩埚121，和加热器 122，加热器122加热坩埚121以朝坩埚121的侧面蒸发第二沉积材料117b，具体朝衬底400 蒸发第二沉积材料117b。主体材料的示例可包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、9，10_ 二(萘_2_基)蒽(AND)、3_ 叔丁 基-9，10- 二(萘-2-基)蒽(TBADN)、4，4’ -双(2，2- 二苯基-乙烯-I-基)-4，4’ -二甲基苯基(DPVBi)、4，4，-双(2，2-二苯基-乙烯-I-基)_4，4’ -二甲基苯基(p-DMDPVBi)、四(9，9_ 二芳基芴)(TDAF)、2-(9，9’ -螺二芴-2-基)-9，9’ -螺二芴(BSDF)、2，7-双(9，9’-螺二芴-2-基)-9，9’ -螺二芴(TSDF)、双(9，9-二芳基芴) (BDAF)、4，4，-双(2，2-二苯基-乙烯-I-基)_4，4’ -二 _(叔丁基)苯基(p-TDPVBi)、
1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、l，3，5-三(咔唑 _9_ 基)苯(tCP)、4，4’，4” -三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4，4，-双(咔唑_9_基)联苯(CBP)、4，4，-双(9-咔唑基)-2， 2' -二甲基-联苯(CBDP)、4，4’-双(咔唑-9-基)-9，9-二甲基-芴(DMFL-CBP)、4，4’-双 (咔唑-9-基)-9，9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-4CBP)、4，4，-双(咔唑-9-基)-9， 9- 二-甲苯基-芴(DPFL-CBP)、9，9_ 双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP)等。掺杂物材料的示例可包括4，4’ -双[4_( 二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯 (DPAVBi)、9,10- 二 -(蔡 ~2~ 基)惠(ADN)、3_ 叔丁基-9,10- 二(蔡 ~2~ 基)惠(TBADN)
坐寸ο第一沉积源喷嘴单元130和第二沉积源喷嘴单元140被分别配置在第一沉积源 110的侧面和第二沉积源120的侧面，具体来说，被配置在第一沉积源110面向衬底400的侧面和第二沉积源120面向衬底400的侧面。在衬底400移动的移动方向(扫描方向)A， 在第一沉积源喷嘴单元130中形成多个第一沉积源喷嘴113，在第二沉积源喷嘴单元140中形成多个第二沉积源喷嘴123。多个第一沉积源喷嘴113和多个第二沉积源喷嘴123可设置为相等间隔。分别在第一和第二沉积源110和120中蒸发的第一沉积材料117a和第二沉积材料117b分别穿过第一沉积源喷嘴单元130和第二沉积源喷嘴单元140，而后朝衬底 400移动。由于多个第一和多个第二沉积源喷嘴113和123被设置在扫描方向A,即使多个第一和多个第二沉积源喷嘴113和123之间的流量存在差异，该差异可以被补偿并且沉积均匀性可维持恒定。在第一和第二沉积源喷嘴单元130和140中形成的多个第一和多个第二沉积源喷嘴单元113和123可以倾斜预定的角度。在一个实施方式中，多个第一沉积源喷嘴113和多个第二沉积源喷嘴123可以面向彼此倾斜。尽管含有的第二沉积材料117b的量可依据薄膜形成材料改变，在100重量份数的薄膜形成材料(主体材料和掺杂物材料117a和117b的总重量)中所包含的第二沉积材料 117b可以为约3至约20重量份数。如果第二沉积材料117b含量超过以上所述的范围，有机发光显示装置的发光性能会降低。如果第一和第二沉积源喷嘴113和123不倾斜并且被设置为与衬底400平行，那么在沉积过程的初始阶段第二沉积材料117b被沉积在衬底400 上，在沉积过程的中间阶段第二沉积材料117b和第一沉积材料117a交替地沉积在衬底400 上，并且在沉积过程的最后阶段第一沉积材料117a沉积在衬底400上。也就是说，第一沉积材料117a和第二沉积材料117b的混合比可依据衬底400的区域改变。因此，在一个实施方式中，多个第一和多个第二沉积源喷嘴113和123倾斜预定的角度。第一沉积源喷嘴单元130的第一沉积源喷嘴113和第二沉积源喷嘴单元140的第二沉积源喷嘴123可面向彼此倾斜。也就是说，第一沉积源喷嘴单元130的第一沉积源喷嘴 113可面向第二沉积源120倾斜，第二沉积源喷嘴单元140的第二沉积源喷嘴123可面向第一沉积源110倾斜。在上述结构中，第一沉积材料117a和第二沉积材料117b的混合比可在整个衬底 400上被维持恒定。如果通过利用以恒定的混合比混合有第一沉积材料117a和第二沉积材料117b的混合物来形成薄膜，该薄膜可以在彩色坐标、光学效率、驱动电压以及寿命方面展示改进的特性。第一沉积源喷嘴单元130可包括反射器114、114a、114b和114c以及冷却板116， 第二沉积源喷嘴单元140可包括反射器124、124a、124b和124c以及冷却板126。具体地，第一沉积源喷嘴单元130可包括上部反射器114、第一突出反射器114a、 第二突出反射器114b、第三突出反射器114c、以及冷却板116。上部反射器114可被配置在第一沉积源110和加热器112上。上部反射器114可防止或基本防止由加热器112产生的热发射到外部。在一个实施方式中，第一和第二突出反射器114a和114b从上部反射器 114的端部并朝向图案化缝隙片150延伸。在一个实施方式中，第一和第二突出反射器114a 和114b被配置成彼此远离预定的距离以与多个第一沉积源喷嘴113平行。多个第一沉积源喷嘴113被设置在第一突出反射器114a和第二突出反射器114b之间。在一个实施方式中，第三突出反射器114c从第一突出反射器114a的一个端部和第二突出反射器114b的一个端部延伸，以连接第一突出反射器114a和第二突出反射器114b。在一个实施方式中，第三突出反射器114c被形成为使邻近第二沉积源120的、第一突出反射器114a的一个端部和邻近第二沉积源120的、第二突出反射器114b的一个端部连接。第一至第三突出反射器 114a、114b、以及114c的高度可以等于或者大于多个第一沉积源喷嘴113的高度。从多个第一沉积源喷嘴113排放的第一沉积材料117a中的一些可流至冷却板 116。流至冷却板116的第一沉积材料117a被硬化，而且沉积过程越长，冷却板116上的第一沉积材料117a可能越硬，越会阻塞多个第一沉积源喷嘴113。根据本发明的实施方式， 多个第一沉积源喷嘴113朝向多个第二沉积源喷嘴123倾斜。然而，在本发明的实施方式中，由于第一至第三突出反射器114a至114c包围多个第一沉积源喷嘴113，所以可防止或基本防止多个第一沉积源喷嘴113被冷却板116上硬化并生长的第一沉积材料117a阻塞。第二沉积源喷嘴单元140可包括上部反射器124、第四突出反射器124a、第五突出反射器124b、第六突出反射器124c以及冷却板126。上部反射器124被配置在第二沉积源 120和加热器122上。上部反射器124可防止或基本防止由加热器122产生的热发射到外部。在一个实施方式中，第四和第五突出反射器124a和124b从上部反射器124的一个端部朝向图案化缝隙片150延伸。在一个实施方式中，第四和第五突出反射器124a和124b被配置成彼此远离预定的距离以与多个第二沉积源喷嘴123平行。多个第二沉积源喷嘴123 被设置在第四和第五突出反射器124a和124b之间。在一个实施方式中，第六突出反射器 124c从第四突出反射器124a的一个端部和第五突出反射器124b的一个端部延伸，以连接第四突出反射器124a和第五突出反射器124b。具体来说，第六突出反射器124c被形成为使邻近第一沉积源110的、第四突出反射器124a的一个端部和邻近第一沉积源110的、第五突出反射器124b的一个端部连接。第四至第六突出反射器124a、124b以及124c的高度可以等于或者大于多个第二沉积源喷嘴123的高度。从多个第二沉积源喷嘴123排放的第二沉积材料117b中的一些可流至冷却板 126。流至冷却板126的第二沉积材料117b被硬化，而且沉积过程越长，冷却板126上的第二沉积材料117b可能越硬，越会阻塞多个第二沉积源喷嘴123。根据本发明的实施方式， 多个第二沉积源喷嘴123朝向多个第一沉积源喷嘴113倾斜。然而，在本发明的实施方式中，由于第四至第六突出反射器124a至124c包围多个第二沉积源喷嘴123，所以防止或基本防止多个第二沉积源喷嘴123被冷却板126上硬化并生长的第二沉积材料117b阻塞。图2C是图I中的沉积源的修改示例的横截面图。图2D是示出沉积有沉积材料的沉积源喷嘴123"的下部的照片。参见图2C，第二沉积源喷嘴123'的下端部分均具有弯曲表面123 ' a。换句话说，不同于图2B所示的第二沉积源喷嘴123，在第二沉积源喷嘴123'中，通过外侧表面 123' c和内侧表面123' b形成的下端部分均具有弯曲表面123' a。另外，尽管未示出， 第一沉积源喷嘴的下端部分均可具有弯曲表面。相反，参见图2D，与均具有弯曲表面123' a的第二沉积源喷嘴123'的下端部分不同，第二沉积源喷嘴123"的下端部分具有拐角(corner)。因此，当沉积材料117'通过第二沉积源喷嘴123"排放时，沉积材料117'被连续沉积在第二沉积源喷嘴123"的具有拐角的下端部分处。因此，第二沉积源喷嘴123"的下端部分可能被沉积材料117'阻塞。图3是根据本发明的另一实施方式的沉积源20的示意性立体图。图3中的沉积源 20与图I中的沉积源10的相同之处在于第一突出反射器114a和第二突出反射器114b被配置在第一沉积源喷嘴单元230的第一沉积源喷嘴113的两侧，而且第四突出反射器124a 和第五突出反射器124b被配置在第二沉积源喷嘴单元240的第二沉积源喷嘴123的两侧， 但是与沉积源10的不同之处在于在第一沉积源喷嘴单元230和第二沉积源喷嘴单元240 中分别形成有第一虚拟喷嘴113a和第二虚拟喷嘴123a，而不是沉积源10所包括的第三和第六突出反射器114c和124c。在一个实施方式中，第一和第二突出反射器114a和114b被配置为彼此远离预定的距离以与多个第一沉积源喷嘴113平行。多个第一沉积源喷嘴113被设置在第一突出反射器114a和第二突出反射器114b之间。第一和第二突出反射器114a和114b的高度可以等于或者大于多个第一沉积源喷嘴113的高度。根据一个实施方式，在多个第一沉积源喷嘴113中，第一虚拟喷嘴113a最靠近第二沉积源120，并且第一虚拟喷嘴113a中没有孔。由于第一虚拟喷嘴113a不具有孔，包含在第一沉积源110中的沉积材料不通过第一虚拟喷嘴113a排放。在图I的沉积源10的多个第一沉积源喷嘴113之中的第一个沉积源喷嘴最可能被沉积材料阻塞，但是在图3的沉积源20中，在多个第一沉积源喷嘴113之中的第一个沉积源喷嘴是第一虚拟喷嘴113a，因此不会被沉积材料阻塞。在一个实施方式中，第四和第五突出反射器124a和124b被配置为彼此远离预定的距离以与多个第二沉积源喷嘴123平行。多个第二沉积源喷嘴123被设置在第四突出反射器124a和第五突出反射器124b之间。第四和第五突出反射器124a和124b的高度可以等于或者大于多个第二沉积源喷嘴123的高度。根据一个实施方式，在多个第二沉积源喷嘴123中，第二虚拟喷嘴123a最靠近第一沉积源110，并且第二虚拟喷嘴123a中没有孔。由于第二虚拟喷嘴123a不具有孔，包含在第二沉积源120中的沉积材料不通过第二虚拟喷嘴123a排放。在图I的沉积源10的多个第二沉积源喷嘴123之中的第一个沉积源喷嘴最可能被沉积材料阻塞，但是在图3的沉积源20中，在多个第二沉积源喷嘴123之中的第一个沉积源喷嘴是第二虚拟喷嘴123a，因此不会被沉积材料阻塞。图4是根据本发明的实施方式的有机层沉积装置100的示意性立体图。图5是图 4中的有机层沉积装置100的示意性侧视横截面图。图6是图4中的有机层沉积装置100 的示意性前视横截面图。参见图4至图6,根据一个实施方式的有机层沉积装置100包括第一沉积源110、 第二沉积源120、第一沉积源喷嘴单元130、第二沉积源喷嘴单元140以及图案化缝隙片 150。尽管出于清晰的考虑在图4至图6中没有示出腔室，但是有机层沉积装置100的所有部件均可设置在维持有适当真空度的腔室内。该腔室可被维持在适当的真空下，以便允许第一和第二沉积材料117a和117b以大致直线移动通过有机层沉积装置100。具体来说，为了使从第一和第二沉积源110和120发射、并通过第一和第二沉积源喷嘴单元130和140以及图案化缝隙片150排放的第一和第二沉积材料117a和117b以所需图案沉积在衬底400上，需要如利用精细金属掩模(FMM)的沉积方法一样将腔室维持在高真空状态。此外，图案化缝隙片150的温度应该足够低于第一和第二沉积源110和120 的温度。在一个实施方式中，图案化缝隙片150的温度可以为约100°C或更低。图案化缝隙片150的温度应该足够低，以便减少图案化缝隙片150的热膨胀。作为沉积目标衬底的衬底400被设置在腔室中。衬底400可以为用于平板显示器的衬底。用于制造多个平板显示器的大衬底例如母体玻璃可以被用作衬底400。还可以采用其它类型的衬底。在一个实施方式中，当衬底400相对于有机层沉积装置100移动时执行沉积。具体来说，在利用FMM的传统的沉积方法中，FMM的尺寸必须等于衬底的尺寸。因此，当衬底变得更大时FMM的尺寸不得不增加，而无论是直接制造大的FMM还是将FMM延伸均难以与图案精确对准。为了克服这个问题，在根据本发明的实施方式的有机层沉积装置100中，可在有机层沉积装置100或衬底400相对于彼此移动时执行沉积。换句话说，可以在被配置以面向有机层沉积装置100的衬底400移动(例如，在Y轴方向)时连续执行沉积。换句话说， 当衬底400移动(例如，在图4中箭头A的方向)时，沉积可以以扫描方式执行。另外，尽管衬底400被示出为当执行沉积时在图4中的Y轴方向移动，但是本发明的实施方式不限于如此。例如，在另一实施方式中，可以在有机层沉积组件100移动(例如,在Y轴方向)、 而衬底400固定时执行沉积。在根据本发明的实施方式的有机层沉积装置100中，图案化缝隙片150可以明显小于传统的沉积方法中使用的FMM。换句话说，在根据一个实施方式的有机层沉积装置100 中，当衬底400在Y轴方向移动时连续执行沉积，即，以扫描方式。因此，在X轴和Y轴方向上的图案化缝隙片150的长度可以明显小于在X轴和Y轴方向上的衬底400的长度。如上所述，由于图案化缝隙片150可以形成为明显小于传统的沉积方法中使用的FMM，所以相对容易制造图案化缝隙片150。换句话说，与利用大的FMM的传统沉积方法相比，在包括蚀刻和其它后续工艺(例如，精确延长、焊接、移动以及清洁工艺)的所有工艺中利用小于传统的沉积方法中使用的FMM的图案化缝隙片150更方便。这一点尤其有利于制造相对大的显示装置。为了如上所述当有机层沉积装置100或衬底400相对彼此移动时执行沉积，有机层沉积装置100和衬底400可以彼此隔开预定的距离。这一点稍后将更详细地描述。分别包含并加热第一和第二沉积材料117a和117b的第一和第二沉积源110和 120被设置在腔室中与设置衬底400的侧面相对的侧面。当包含在第一和第二沉积源110 和120中的第一和第二沉积材料117a和117b被蒸发时，第一和第二沉积材料117a和117b 被沉积在衬底400上。具体地，第一沉积源110可包含主体材料如第一沉积材料117a，第二沉积源120可包含掺杂物材料如第二沉积材料117b。也就是说，由于主体材料和掺杂物材料在不同的温度下蒸发，所以第一和第二沉积源110和120以及第一和第二沉积源喷嘴单元130和140 被提供以同时沉积主体材料和掺杂物材料。具体来说，分别包含并加热主体材料和掺杂物材料的第一和第二沉积源110和 120被设置在腔室中与设置衬底400的侧面相对的侧面。当包含在第一和第二沉积源110 和120中的主体材料和掺杂物材料被蒸发时，主体材料和掺杂物材料被沉积在衬底400上。 具体来说，第一沉积源110包括装有主体材料的坩埚111以及加热器112，加热器112加热坩埚111以朝坩埚111的侧面蒸发坩埚111中所包含的主体材料，具体朝第一沉积源喷嘴单元130蒸发主体材料。第二沉积源120包括装有掺杂物材料的坩埚121以及加热器122， 加热器122加热坩埚121以朝坩埚121的侧面蒸发坩埚121中所包含的掺杂物材料，具体朝第二沉积源单元140蒸发掺杂物材料。主体材料的示例可包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、9，10_ 二(萘_2_基) 蒽(AND)、3_ 叔丁 基-9，10- 二(萘-2-基)蒽(TBADN)、4，4’ -双(2，2- 二苯基-乙烯-I-基)-4，4’ -二甲基苯基(DPVBi)、4，4，-双(2，2-二苯基-乙烯-I-基)_4，4’ -二甲基苯基(p-DMDPVBi)、四(9，9_ 二芳基芴)(TDAF)、2-(9，9’ -螺二芴-2-基)-9，9’ -螺二芴(BSDF)、2，7-双(9，9，-螺二芴-2-基)-9，9’ -螺二芴(TSDF)、双(9，9-二芳基芴) (BDAF)、4，4，-双(2，2-二苯基-乙烯-I-基)_4，4’ -二 _(叔丁基)苯基(p-TDPVBi),
1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、l，3，5-三(咔唑 _9_ 基)苯(tCP)、4，4’，4” -三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4，4，-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、4，4，-双(9-咔唑基)-2， 2' -二甲基-联苯(CBDP)、4，4’-双(咔唑-9-基)-9，9-二甲基-芴(DMFL-CBP)、4，4’_双 (咔唑-9-基)-9，9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-4CBP)、4，4，-双(咔唑-9-基)-9， 9- 二-甲苯基-芴(DPFL-CBP)、9，9_ 双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP)等。掺杂物材料的示例可包括4，4’ -双[4_( 二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯 (DPAVBi)、9,10- 二 -(蔡 ~2~ 基)惠(ADN)、3_ 叔丁基-9,10- 二(蔡 ~2~ 基)惠(TBADN)
等
权利要求
1.一种沉积源,包括第一沉积源和第二沉积源，均沿第一方向设置；第一沉积源喷嘴单元，位于所述第一沉积源的侧面，并且包括在所述第一方向设置的多个第一沉积源喷嘴；第二沉积源喷嘴单元，位于所述第二沉积源的侧面，并且包括在所述第一方向设置的多个第二沉积源喷嘴；一对第一突出反射器，被设置在所述多个第一沉积源喷嘴的相对两侧，其中所述多个第一沉积源喷嘴位于所述第一突出反射器之间；以及一对第二突出反射器，被设置在所述多个第二沉积源喷嘴的相对两侧，其中所述多个第二沉积源喷嘴位于所述第二突出反射器之间，其中所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴朝向彼此倾斜。
2.如权利要求I所述的沉积源，其中从所述第一沉积源排放主体材料，从所述第二沉积源排放掺杂物材料。
3.如权利要求I所述的沉积源，进一步包括第三突出反射器，所述第三突出反射器连接所述第一突出反射器中的一个的一端和所述第一突出反射器中的另一个的一端。
4.如权利要求3所述的沉积源，其中所述第一突出反射器中的一个的所述一端和所述第一突出反射器中的另一个的所述一端均邻近所述第二沉积源。
5.如权利要求I所述的沉积源，进一步包括第四突出反射器，所述第四突出反射器连接所述第二突出反射器中的一个的一端和所述第二突出反射器中的另一个的一端。
6.如权利要求5所述的沉积源，其中所述第二突出反射器中的一个的所述一端和所述第二突出反射器中的另一个的所述一端均邻近所述第一沉积源。
7.如权利要求I所述的沉积源，其中所述第一突出反射器的高度大于或者等于所述第一沉积源喷嘴的高度。
8.如权利要求I所述的沉积源，其中所述第二突出反射器的高度大于或者等于所述第二沉积源喷嘴的高度。
9.如权利要求I所述的沉积源，其中在所述多个第一沉积源喷嘴之中最靠近所述第二沉积源的沉积源喷嘴是虚拟喷嘴，并且所述虚拟喷嘴中没有孔，以使得所述第一沉积源中包含的沉积材料不能够通过所述虚拟喷嘴排放。
10.如权利要求I所述的沉积源，其中在所述多个第二沉积源喷嘴之中最靠近所述第一沉积源的沉积源喷嘴是虚拟喷嘴，并且所述虚拟喷嘴中没有孔，以使得所述第二沉积源中包含的沉积材料不能够通过所述虚拟喷嘴排放。
11.一种有机层沉积装置，用于在衬底上形成薄膜，所述装置包括沉积源，用于排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，位于所述沉积源的侧面，并且包括在第一方向设置的多个沉积源喷嘴；以及图案化缝隙片，位于所述沉积源喷嘴单元的对面，并且具有在与所述第一方向垂直的第二方向设置的多个图案化缝隙，其中所述衬底能够在所述第一方向相对于所述有机层沉积装置移动以用于执行沉积， 其中所述沉积源包括第一沉积源和第二沉积源，以用于排放不同的材料，并且其中所述沉积源喷嘴单元包括第一沉积源喷嘴单元，位于所述第一沉积源的侧面，并且包括在所述第一方向设置的多个第一沉积源喷嘴；以及第二沉积源喷嘴单元，位于所述第二沉积源的侧面，并且包括在所述第一方向设置的多个第二沉积源喷嘴，其中所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴倾斜预定的角度。
12.如权利要求11所述的装置，其中从所述第一沉积源排放主体材料，从所述第二沉积源排放掺杂物材料。
13.如权利要求11所述的装置，其中所述第一沉积源和所述第二沉积源均沿所述第一方向设置。
14.如权利要求11所述的装置，其中所述第一沉积源喷嘴单元进一步包括设置在所述多个第一沉积源喷嘴的相对两侧的第一突出反射器和第二突出反射器，其中所述多个第一沉积源喷嘴位于所述第一突出反射器与所述第二突出反射器之间。
15.如权利要求14所述的装置，进一步包括第三突出反射器，所述第三突出反射器连接所述第一突出反射器的一端和所述第二突出反射器的一端。
16.如权利要求15所述的装置，其中所述第一突出反射器的所述一端和所述第二突出反射器的所述一端均邻近所述第二沉积源。
17.如权利要求14所述的装置，其中所述第一突出反射器和所述第二突出反射器的高度大于或者等于所述第一沉积源喷嘴的高度。
18.如权利要求14所述的装置，其中在所述多个第一沉积源喷嘴之中最靠近所述第二沉积源的沉积源喷嘴是虚拟喷嘴并且所述虚拟喷嘴中没有孔，以使得所述第一沉积源中包含的沉积材料不能够通过所述虚拟喷嘴排放。
19.如权利要求11所述的装置，其中所述第二沉积源喷嘴单元进一步包括设置在所述多个第二沉积源喷嘴的相对两侧的第四突出反射器和第五突出反射器，其中所述多个第二沉积源喷嘴位于所述第四突出反射器与所述第五突出反射器之间。
20.如权利要求19所述的装置，进一步包括第六突出反射器，所述第六突出反射器连接所述第四突出反射器的一端和所述第五突出反射器的一端。
21.如权利要求20所述的装置，其中所述第四突出反射器的所述一端和所述第五突出反射器的所述一端均邻近所述第一沉积源。
22.如权利要求19所述的装置，其中所述第四突出反射器和所述第五突出反射器的高度大于或者等于所述第二沉积源喷嘴的高度。
23.如权利要求19所述的装置，其中在所述多个第二沉积源喷嘴之中最靠近所述第一沉积源的沉积源喷嘴是虚拟喷嘴并且所述虚拟喷嘴中没有孔，以使得所述第二沉积源中包含的沉积材料不能够通过所述虚拟喷嘴排放。
24.如权利要求11所述的装置，其中所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元、以及所述图案化缝隙片形成为一体。
25.如权利要求11所述的装置，进一步包括至少一个连接部件，所述至少一个连接部件被连接于所述沉积源喷嘴单元与所述图案化缝隙片之间，所述至少一个连接部件被配置成引导所述沉积材料的移动。
26.如权利要求25所述的装置，其中所述至少一个连接部件被形成为密封所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元与所述图案化缝隙片之间的空间。
27.如权利要求11所述的装置，其中所述装置与所述衬底隔开一定距离。
28.如权利要求11所述的装置，其中当所述衬底在所述第一方向相对于所述装置移动时，所述沉积材料被连续沉积在所述衬底上。
29.如权利要求11所述的装置，其中所述图案化缝隙片小于所述衬底。
30.如权利要求11所述的装置，其中从所述第一沉积源排放的主体材料中的至少一部分与从所述第二沉积源排放的掺杂物材料中的至少一部分混合。
31.如权利要求11所述的装置，其中所述第一沉积源和所述第二沉积源均设置在所述第一方向上以使彼此平行。
32.如权利要求11所述的装置，其中所述多个第一沉积源喷嘴和所述第二沉积源喷嘴面向彼此倾斜。
33.如权利要求11所述的装置，其中所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴以从所述第一沉积源排放的主体材料与从所述第二沉积源排放的掺杂物材料的混合比在整个所述衬底上被维持恒定的方式倾斜。
34.如权利要求11所述的装置，其中所述第一沉积源和所述第二沉积源是线性沉积源。
35.如权利要求11所述的有机层沉积装置，其中所述多个第一沉积源喷嘴或者所述多个第二沉积源喷嘴中的至少一个的沉积源喷嘴的下端部分具有弯曲表面。
全文摘要
一种沉积源和有机层沉积装置，其可以简单地用于制造大规模的大尺寸显示装置，并且可以防止或者基本防止沉积源喷嘴在沉积材料的沉积过程中被阻塞，从而提高制造产量和沉积效率。沉积源包括具有多个第一沉积源喷嘴的第一沉积源；以及具有多个第二沉积源喷嘴的第二沉积源，其中所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴朝向彼此倾斜。
文档编号C23C14/12GK102586738SQ20121000839
公开日2012年7月18日 申请日期2012年1月9日 优先权日2011年1月12日
发明者崔永默, 康熙哲, 李东规, 金綵雄, 金茂显 申请人:三星移动显示器株式会社