用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，包括真空密封的镀膜室，所述镀膜室内设有蒸发源和基片，其中，所述镀膜室的中间区域为镀膜区，左右两侧为控温区，所述蒸发源设置在镀膜区内，所述镀膜区和控温区内设有导轨，所述基片的背面贴有铜背板并通过基片架固定在导轨上。本实用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，当基片温度由于蒸镀后升高且接近临界安全温度时，基片沿着导轨移动并停留在左端或右端控温区降温，在温度降至安全温度后再返回镀膜区继续镀膜，直至厚度达到要求且温度降至安全温度后出料，从而保证镀膜的均匀性，有效避免散热不均匀或冷却过快导致的基片损坏，提高产品合格率。
【专利说明】用于非晶砸薄膜的蒸发镀膜机
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种镀膜装置，尤其涉及一种用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机。
【背景技术】
[0002]镀膜机主要由进(出)料室、镀膜室、线性硒蒸发源系统、冷却水系统、真空系统及控制系统组成。作为硒薄膜的载体(基片)，可以是筒鼓或薄板。非晶硒薄膜镀膜一般使用纯硒做蒸发用的原料，硒在化学元素周期表中属于氧族元素，硒的熔点为217°C，沸点为684.90C ;硒具有光电效应性能，非晶硒薄膜在图片、文件资料以及制图系统等复制设备中作为重要的传递介质而存在。例如，复印机的硒鼓，DR平板探测器的非晶硒光电二极管阵列组件等。
[0003]蒸镀非晶硒薄膜的基片一般为玻璃，基片的允许温度范围在50_80°C范围内，基片温度过高会使非晶态的硒转变为晶体硒，而基片温度过低会影响薄膜的结合强度以及基片的应力释放，所以镀膜时如何控制好基片温度就成为影响非晶硒薄膜质量的重要因素。
[0004]传统的控温方式一般是在镀膜室外表面分布有冷却水管或冷却水夹层，镀膜室内部安装用于烘烤的加热器，二者结合来控制基片的温度，基片温度过高时不能及时将温度降下来，产品合格率不稳定。
实用新型内容
[0005]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，能够保证镀膜的均匀性，有效避免散热不均匀或冷却过快导致的基片损坏问题，提高产品合格率，且结构简单，易于推广应用。
[0006]本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，包括真空密封的镀膜室，所述镀膜室内设有蒸发源和基片，其中，所述镀膜室的中间区域为镀膜区，左右两侧为控温区，所述蒸发源设置在镀膜区内，所述镀膜区和控温区内设有导轨，所述基片的背面贴有铜背板并通过基片架固定在导轨上。
[0007]上述的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，其中，所述镀膜室的控温区底部设置有冷凝铜管，所述冷凝铜管内通入冷媒介质。
[0008]上述的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，其中，所述镀膜室的控温区顶部设置有冷却铜板，所述冷却铜板内部设置有冷却水夹层，所述镀膜区导轨下方设有气动顶升装置，当气动顶升装置抬升时，所述铜背板和冷却铜板相接触。
[0009]上述的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，其中，所述镀膜室的一侧控温区设有冷却气氛入口，所述镀膜室的两侧控温区下方设有分子泵，所述分子泵通过高真空隔离阀和镀膜室相连。
[0010]上述的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，其中，所述镀膜室的顶部设有膜厚监控仪，所述膜厚监控仪位于蒸发源的上方。
[0011]上述的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，其中，所述蒸发源的周围设有防污板。[0012]上述的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，其中，所述镀膜室外部四周表面排布有冷却水带。
[0013]本实用新型对比现有技术有如下的有益效果:本实用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，通过在基片的背面贴有铜背板并通过基片架固定在导轨上，基片在镀膜区蒸镀非晶硒薄膜，当基片随导轨运行进入镀膜区时，在镀膜区硒蒸发源工作时，基片的温度随着硒膜的蒸镀过程会不断升高，当接近临界安全温度时，基片沿着导轨移动并停留在左端或右端控温区降温，在温度降至安全温度后再返回镀膜区继续蒸镀硒膜，此过程循环往复进行，直至厚度达到要求且温度降至安全温度后基片传输机构离开镀膜室准备出料，从而保证镀膜的均匀性，有效避免散热不均匀或冷却过快导致基片损坏，提高产品合格率。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机结构示意图。
[0015]图中:
[0016]I镀膜室 2蒸发源3基片
[0017]4基片架 5冷却气氛入口 6高真空隔离阀
[0018]7分子泵 8铜背板9冷凝铜管
[0019]10冷却铜板 11导轨12防污板
[0020]13膜厚监控仪
【具体实施方式】
[0021]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。
[0022]图1为本实用新型用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机结构示意图。
[0023]请参见图1，本实用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机包括真空密封的镀膜室1，所述镀膜室I内设有蒸发源2和基片3，其中，所述镀膜室I的中间区域为镀膜区，左右两侧为控温区，所述蒸发源2设置在镀膜区内，所述镀膜区和控温区内设有导轨11，所述基片3的背面贴有铜背板8并通过基片架4固定在导轨11上。
[0024]本实用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，镀膜室I外部四周的表面可排布有冷却水带(图未示)，用于降低腔体表面温度；基片3背面紧贴的铜背板8与基片架4共同组成基片传输机构。在镀膜的过程中，蒸发硒时带给基片的热量会直接传导给铜背板8，便于散热；基片3随导轨11在水平方向做往复运动，保证基片表面的镀膜的均匀性。
[0025]本实用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，镀膜室I分三个区域，中间区域为镀膜区域，左右两端为控温区；当基片传输机构运行进入镀膜室的时候，在镀膜区硒蒸发源工作时，基片3的温度随着硒膜的蒸镀过程会不断升高，当接近临界安全温度时，基片3会沿着导轨11移动并停留在左端或右端控温区降温，在温度降至安全温度后再返回镀膜区继续蒸镀硒膜，此过程循环往复进行，直至厚度达到要求且温度降至安全温度后基片传输机构离开镀膜室准备出料。
[0026]本实用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，控温区底部设置冷凝铜管9，冷凝铜管9与深冷泵连接，冷凝铜管9内通入冷媒，深冷泵工作过程中，冷凝铜管可以补集真空室内的水汽，也可间接降低铜管周围空间的温度。控温区顶部设置冷却铜板10，内部设置有冷却水夹层，外部与冷却水循环机相连接，通过PID控制冷却水的温度。所述镀膜区导轨11下方设有气动顶升装置，当气动顶升装置抬升时，所述铜背板8和冷却铜板10相接触。每当基片3往复运行至两端控温区时，通过气动装置将基片传输机构抬升，使之与顶部冷却铜板10直接接触，待基片传输机构铜背板8温度降至安全温度后，基片传输机构回落到导轨11上，重新回到镀膜区继续镀膜。此外，所述镀膜室I的一侧控温区设有冷却气氛入口 5，所述镀膜室I的两侧控温区下方设有分子泵7，所述分子泵7通过高真空隔离阀6和镀膜室I相连，冷却气氛入口 5外部与氦气或気气气源相连接，当基片传输机构运行至控温区后，冷却气氛入口 5处的阀门打开，通过控制气体的流量，从而达到降低控温区温度的目的。
[0027]本实用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，所述镀膜室I的顶部设有膜厚监控仪13，所述膜厚监控仪13位于蒸发源2的上方，以便实时检测镀膜厚度是否达到要求。此外，所述蒸发源2的周围设有防污板12以防止蒸发物质污染其他零部件。
[0028]虽然本实用新型已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本实用新型，任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本实用新型的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
【权利要求】
1.一种用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，包括真空密封的镀膜室(1)，所述镀膜室(I)内设有蒸发源(2)和基片(3)，其特征在于，所述镀膜室(I)的中间区域为镀膜区，左右两侧为控温区，所述蒸发源(2)设置在镀膜区内，所述镀膜区和控温区内设有导轨(11)，所述基片(3)的背面贴有铜背板(8)并通过基片架(4)固定在导轨(11)上。
2.如权利要求1所述的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，其特征在于，所述镀膜室(I)的控温区底部设置有冷凝铜管(9)，所述冷凝铜管(9)内通入冷媒介质。
3.如权利要求1所述的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，其特征在于，所述镀膜室(I)的控温区顶部设置有冷却铜板(10)，所述冷却铜板(10)内部设置有冷却水夹层，所述镀膜区导轨(11)下方设有气动顶升装置，当气动顶升装置抬升时，所述铜背板(8)和冷却铜板(10)相接触。
4.如权利要求1所述的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，其特征在于，所述镀膜室(I)的一侧控温区设有冷却气氛入口(5)，所述镀膜室(I)的两侧控温区下方设有分子泵(7)，所述分子泵(7 )通过高真空隔离阀(6 )和镀膜室(I)相连。
5.如权利要求1所述的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，其特征在于，所述镀膜室(I)的顶部设有膜厚监控仪(13)，所述膜厚监控仪(13 )位于蒸发源(2 )的上方。
6.如权利要求1?5任一项所述的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，其特征在于，所述蒸发源(2)的周围设有防污板(12)。
7.如权利要求1?5任一项所述的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机，其特征在于，所述镀膜室(I)外部四周表面排布有冷却水带。
【文档编号】C23C14/06GK203668497SQ201320745620
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年11月22日 优先权日:2013年11月22日
【发明者】毛念新, 严仲君, 黄翔鄂, 王新征 申请人:上海嘉森真空科技有限公司