一种真空离子蒸发镀膜装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种真空离子蒸发镀膜装置，该真空离子蒸发镀膜装置的壳体包括三层密封壳体，并在不同密封壳体之间设置有夹层空腔，在不同的夹层空腔内和在壳体外分别设置了真空泵，通过逐层抽真空的方式对中央真空室进行抽真空，大大提高了抽真空的效果，从而使本真空离子蒸发镀膜装置能够制得连续薄膜，提高薄膜在基板上的附着力，以及工艺重复性。
【专利说明】
一种真空离子蒸发镀膜装置
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及光学镀膜领域，特别是涉及一种真空离子蒸发镀膜装置。
【背景技术】
[0002]真空镀膜是一种由物理方法产生薄膜材料的技术，在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。其被广泛应用于生产光学镜片，如航海望远镜镜片等；后延伸到其他功能薄膜，唱片镀铝、装饰镀膜和材料表面改性等。真空蒸发镀膜是在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到待镀膜固体上，即衬底或基片表面，从而凝结形成固态薄膜的方法。现有的真空蒸发镀膜装置具有结构简单，操作容易，制成的薄膜纯度高等优点。但在蒸发镀膜过程都必须在空气非常稀薄的环境中进行，而现有的真空离子蒸发镀膜装置是在真空室内的底部(坩祸旁)设置通向栗来抽真空，不仅抽真空效果不佳，还会影响蒸发容器中逸出的蒸气流的流动方向，从而使蒸发物原子或分子将与大量空气分子碰撞，使膜层受到严重污染，甚至形成氧化物，并由于空气分子的碰撞阻挡，难以获得连续薄膜，所形成的薄膜在基板上的附着力较小，工艺重复性不佳。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题，一种真空离子蒸发镀膜装置，用于解决现有真空离子蒸发镀膜过程中真空条件不佳，难于得到连续薄膜以及薄膜在基板上的附着力较小，工艺重复性不佳的问题。
[0004]本实用新型是这样实现的:
[0005]—种真空离子蒸发镀膜装置，包括壳体、抽真空装置和坩祸，所述壳体由外至内依次包括外层壳体、中层壳体和内层壳体，所述外层壳体、中层壳体和内层壳体为密封壳体，内层壳体围成中央真空室，内层壳体与中层壳体围成第一夹层空腔，中层壳体与外层壳体围成弟一.夹层空腔；
[0006]所述抽真空装置包括第一真空栗、第二真空栗、第三真空栗和多个用于检测真空值的真空压力传感器，所述中央真空室、第一夹层空腔和第二夹层空腔内分别设置有所述真空压力传感器；
[0007]第一真空栗设置于第一夹层空腔内，并通过密封管道与中央真空室连通；
[0008]第二真空栗设置于第二夹层空腔内，并通过密封管道与第一夹层空腔连通；
[0009]第三真空栗设置于外层壳体外，并通过密封管道与第二夹层空腔连通；
[0010]所述坩祸设置于中央真空室的底部，坩祸的底部设置有加热装置，坩祸的上方设置有用于夹装镀膜基材的固定装置。
[0011]进一步的，中央真空室的顶部设置有两个以上抽气口，第一真空栗的密封管道连接于各抽气口。
[0012]进一步的，所述加热装置为钨丝。
[0013]进一步的，所述密封管道中分别串联有单向阀。
[0014]进一步的，所述固定装置的基材固定面设置有半导体制冷片，半导体制冷片的制冷面朝向基材夹装方向。
[0015]本实用新型具有如下优点:区别于现有的离子蒸发镀膜装置采用单一真空栗抽真空，真空效果不佳，难以获得连续薄膜，所形成的薄膜在基板上的附着力较小，工艺重复性不佳。本实用新型真空离子蒸发镀膜装置的壳体采用三层密封壳体，并在壳体之间设置有夹层空腔，并且在不同的夹层空腔内和在壳体外分别设置了真空栗，通过逐层抽真空的方式对中央真空室进行抽真空，大大提高了抽真空的效果，从而使本真空离子蒸发镀膜装置能够制得连续薄膜，提高薄膜在基板上的附着力，以及工艺重复性。
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型实施方式真空离子蒸发镀膜装置的结构示意图；
[0017]标号说明:
[0018]1、壳体;2、坩祸;3、抽真空装置;4、基材;5、固定装置;11、外层壳体;12、中层壳体；13、内层壳体；14、进料通道；15、舱门31、第一真空栗;32、第二真空栗;33、第三真空栗;34、真空压力传感器;111、中央真空室；121、第一夹层空腔;131、第二夹层空腔。
【具体实施方式】
[0019]为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
[0020]请参阅图1，本实用新型提供了一种真空离子蒸发镀膜装置，包括壳体1、抽真空装置3和坩祸2，所述壳体I由外至内依次包括外层壳体11、中层壳体12和内层壳体13，所述外层壳体11、中层壳体12和内层壳体13为密封壳体，内层壳体13围成中央真空室111，内层壳体13的内侧面设置有内衬，内层壳体13与中层壳体12围成第一夹层空腔121，中层壳体12与外层壳体11围成第二夹层空腔131。为了便于进出料，在壳体I的侧面设置有贯穿外层壳体
11、中层壳体12和内层壳体13的进料通道14，在进料通道14上设置有舱门15，舱门15上设置有密封橡胶。
[0021]所述抽真空装置3包括第一真空栗31、第二真空栗32、第三真空栗33和多个用于检测真空值的真空压力传感器34，所述中央真空室111、第一夹层空腔121和第二夹层空腔131内分别设置有所述真空压力传感器34。真空压力传感器34用于检测所在空间的真空值。
[0022]所述第一真空栗31设置于第一夹层空腔121内，并通过密封管道与中央真空室111连通，用于对中央真空室111抽真空;第二真空栗32设置于第二夹层空腔131内，并通过密封管道与第一夹层空腔121连通，用于对第一夹层空腔121抽真空；第三真空栗33设置于外层壳体11外，并通过密封管道与第二夹层空腔131连通，用于对第二夹层空腔131抽真空。
[0023]所述坩祸2设置于中央真空室111的底部，坩祸2的底部设置有加热装置，坩祸2的上方设置有用于夹装镀膜基材的固定装置5，镀膜基材4夹装于固定装置5上。优选的，所述加热装置为耐高温的钨丝，钨丝通过导线连接于电源。
[0024]待形成薄膜的原材料放置于坩祸2上，在加热装置的作用下，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到待镀膜基材表面，凝结形成固态薄膜。
[0025]本实用新型真空离子蒸发镀膜装置的壳体采用三层密封壳体，并在壳体之间设置有夹层空腔，并且在不同的夹层空腔内和在壳体外分别设置了真空栗，使每个夹层空腔维持在不同的真空值(中央真空室 > 第一夹层空腔 > 第二夹层空腔)，降低了各级真空栗的抽真空压力差，通过逐层抽真空的方式对中央真空室进行抽真空，大大提高了抽真空的效果，从而使本真空离子蒸发镀膜装置能够制得连续薄膜，提高薄膜在基板上的附着力，以及工艺重复性。
[0026]为了防止抽真空装置对蒸气流的干扰，在本实施方式中，所述中央真空室111的顶部设置有两个以上抽气口，第一真空栗31的密封管道连接于各抽气口。
[0027]进一步的，为了提高真空栗停止工作时密封管道的气密性，所述密封管道中分别串联有单向阀。
[0028]由于薄膜的原材料的蒸气流带有较高的温度，从而使基材4的温度也逐渐变高，不利于蒸气流凝结成膜。因此，在一实施方式中，在所述固定装置的基材固定面设置有半导体制冷片，半导体制冷片的制冷面朝向基材夹装方向。从而通过半导体制冷片的作用降低基材4的温度，提高蒸气流凝结成膜的效果。为了提高半导体制冷片的制冷效果，在半导体制冷片的发热面还设置了导热材料(如铜)，通过导热材料连接于内层壳体，从而使半导体制冷片发热面的温度传递至内层壳体上。
[0029]以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效形状或结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种真空离子蒸发镀膜装置，包括壳体、抽真空装置和坩祸，其特征在于，所述壳体由外至内依次包括外层壳体、中层壳体和内层壳体，所述外层壳体、中层壳体和内层壳体为密封壳体，内层壳体围成中央真空室，内层壳体与中层壳体围成第一夹层空腔，中层壳体与外层壳体围成第二夹层空腔； 所述抽真空装置包括第一真空栗、第二真空栗、第三真空栗和多个用于检测真空值的真空压力传感器，所述中央真空室、第一夹层空腔和第二夹层空腔内分别设置有所述真空压力传感器； 第一真空栗设置于第一夹层空腔内，并通过密封管道与中央真空室连通； 第二真空栗设置于第二夹层空腔内，并通过密封管道与第一夹层空腔连通； 第三真空栗设置于外层壳体外，并通过密封管道与第二夹层空腔连通； 所述坩祸设置于中央真空室的底部，坩祸的底部设置有加热装置，坩祸的上方设置有用于夹装镀膜基材的固定装置。2.根据权利要求1所述的真空离子蒸发镀膜装置，其特征在于，中央真空室的顶部设置有两个以上抽气口，第一真空栗的密封管道连接于各抽气口。3.根据权利要求1所述的真空离子蒸发镀膜装置，其特征在于，所述加热装置为钨丝。4.根据权利要求1所述的真空离子蒸发镀膜装置，其特征在于，所述密封管道中分别串联有单向阀。5.根据权利要求1所述的真空离子蒸发镀膜装置，其特征在于，所述固定装置的基材固定面设置有半导体制冷片，半导体制冷片的制冷面朝向基材夹装方向。
【文档编号】C23C14/26GK205556765SQ201620435356
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年5月13日
【发明人】关振奋
【申请人】晋谱（福建）光电科技有限公司