用于原位清洁工艺腔室的方法和装置与流程

文档序号:13744503阅读:来源:国知局
技术特征:

1.一种基板处理腔室,所述基板处理腔室包括:

腔室主体,所述腔室主体包封内部容积;

腔室盖,所述腔室盖可移除地耦接到所述腔室主体的上部部分,所述腔室盖包括第一流动通道,所述第一流动通道被流体耦接到所述内部容积并且适于选择性地使所述内部容积与第一出口相通或将所述内部容积密封以与所述第一出口隔开;

腔室底,所述腔室底耦接到所述腔室主体的下部部分,所述腔室底包括第二流动通道,所述第二流动通道被流体耦接到所述内部容积并且适于选择性地使所述内部容积与第一入口相通或将所述内部容积密封以与所述第一入口隔开;以及

泵环,所述泵环设置在所述内部容积中并与所述内部容积流体连通,所述泵环包括:上部腔室,所述上部腔室被流体耦接到下部腔室;以及第二出口,所述第二出口被流体耦接到所述下部腔室并且适于选择性地使所述内部容积与所述第二出口相通或将所述内部容积密封以与所述第二出口隔开,其中所述第二流动通道、所述内部容积、所述泵环和所述第二出口构成第一流路,并且所述第二流动通道、所述内部容积、所述第一流动通道和所述第一出口构成第二流路。

2.根据权利要求1所述的腔室,其中,所述第一流动通道还进一步适于选择性地使所述内部容积与第二入口相通或将所述内部容积密封以与所述第二入口隔开。

3.根据权利要求2所述的腔室,进一步包括:

第二气体供源,所述第二气体供源耦接到所述第二入口以提供工艺气体或清洁气体中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的腔室,进一步包括:

基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述内部容积中,所述基板支撑件包括具有顶表面的板,所述板由轴支撑,其中所述板将所述内部容积分成介于所述顶表面与所述腔室盖之间的处理区域以及介于所述顶表面与所述腔室底之间的非处理的区域。

5.根据权利要求4所述的腔室,其中,所述第一流路的一部分包括所述非处理的区域的一部分。

6.根据权利要求4所述的腔室,其中以下之一:

所述第二流路的一部分包括所述非处理的区域的一部分;或者

所述第二流路的一部分包括所述处理区域。

7.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的腔室,进一步包括第一气体供源,所述第一气体供源通过阀流体耦接到所述第一流动通道,使得所述内部容积可以选择性地通向所述第一气体供源和对所述第一出口封闭、通向所述第一出口和对所述第一气体供源封闭、或者对所述第一气体供源和所述第一出口两者封闭。

8.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的腔室,其中,所述第一流路和所述第二流路可选择为同时打开、按顺序打开、或者关闭。

9.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的腔室,进一步包括:

阀,所述阀被流体耦接到所述第一流动通道,适于选择性地使所述内部容积与所述第一出口相通或与所述第一气体入口相通。

10.根据权利要求9所述的腔室,其中,第三流路包括处理区域、所述泵环、所述阀和所述第二出口。

11.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的腔室,进一步包括以下至少一个:

加热器,所述加热器设置在所述腔室盖中,以将所述腔室盖的内表面加热到约100℃与约300℃之间的清洁温度;或者

加热板,所述加热板设置在所述腔室底上,以将所述腔室底和所述泵环的面向内的表面加热到约100℃与约300℃之间的清洁温度。

12.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的腔室,进一步包括一或多个泵,所述一或多个泵被流体耦接到所述第一出口和所述第二出口中的一或多个,以促使流通过所述腔室。

13.一种工艺腔室清洁方法,所述方法包括:

使清洁气体穿过腔室底通过第一流动通道引入到腔室主体的内部容积;

提供所述清洁气体的可选第一流路,所述第一流路包括所述第一流动通道、所述腔室的内部容积、所述腔室内的泵环和第一出口;

提供所述清洁气体的可选第二流路,所述第二流路包括所述第一流动通道、所述腔室的所述内部容积和穿过腔室盖的第二出口;以及

选择流路从而提供清洁气体流路。

14.根据权利要求13所述的方法,其中选择流路包括以下之一或两者:

选择所述第一流路从而提供第一清洁气体流路;或者

选择所述第二流路从而提供第二清洁气体流路;

并且如果所述第一流路和所述第二流路两者均被选择,那么其中所述第一清洁气体流路与所述第二清洁气体流路是按顺序或同时提供。

15.根据权利要求13至14中任一项权利要求所述的方法,进一步包括以下至少一个:

将所述腔室底和所述泵环的面向内的表面加热到约100℃与约300℃之间的清洁温度;或者

将所述腔室盖的内表面加热到约100℃与约300℃之间的清洁温度。

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