技术总结
一种高效率研磨抛光GaN晶片的方法。本发明提出一种高效率研磨GaN晶片的光电化学机械抛光方法。本发明，通过光照与外加电场作用,将GaN晶片的待抛光表面氧化形成氧化镓，氧化镓与抛光液中的氢氧根离子结合形成氢氧化镓钝化层，氧化镓与抛光液中的氢离子结合形成镓离子；在所述氢氧化镓钝化层和富含镓离子的抛光液的保护下，待抛光表面低凹部分的光照与氧化被有效抑制，而待抛光表面高凸部分，则受机械作用被刨除并露出新GaN表面，继续受光照被氧化致有选择性地被刨除。调控光照强度、电压值及施加在上托盘上的压力，使待抛光晶片表面的氧化速率与机械刨除速率实现匹配，从而提高GaN晶片的表面平整度与抛光效率，得到高质量的抛光GaN晶片。
技术研发人员：刘南柳;陈蛟;张国义
受保护的技术使用者：东莞市中镓半导体科技有限公司
文档号码：201510182104
技术研发日：2015.04.16
技术公布日：2016.11.23