1.一种Se/S比连续可调的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜的制备方法，其中0≤x≤1，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)以Cu2(S1-xSex)、Zn(S1-xSex)和Sn(S1-xSex)2为靶材，采用磁控溅射技术制备沉积态薄膜；3)在热处理气氛下对薄膜进行热处理，获得晶化的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤2)中采用共溅射方式或者分层溅射方式制备沉积态薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述热处理气氛为硫化气氛、硒化气氛、或硫化气氛与硒化气氛的混合气氛。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，制备Cu2ZnSnS4薄膜时，靶材选用Cu2S、ZnS和SnS2，热处理气氛选用硫化气氛。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，制备Cu2ZnSnSe4薄膜时，靶材选用Cu2Se、ZnSe和SnSe2，热处理气氛选用硒化气氛。
6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，制备Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜时，其中，0＜x＜1，靶材选用Cu2(S1-xSex)、Zn(S1-xSex)和Sn(S1-xSex)2靶材，热处理气氛选用硫化气氛、硒化气氛、或硫化气氛与硒化气氛的混合气氛。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，选用不同Se/S比的溅射靶材，通过改变靶材中的Se/S比和各靶材的溅射功率，保证薄膜中金属元素比例的一致性，并实现薄膜中Se/S比的连续可调。