技术总结
本发明涉及一种用于线型沉积设备的线性源，其能够在进行线式PECVD、线式ALD或诸如此类以产生线形高密度等离子体的线型沉积设备中使得沉积厚度在小面积或大面积基板上维持高的均匀度，从而在基板上沉积薄膜。线性源包括：接地单元，其设置在线性源的中央部以向下喷射前体；第一等离子体喷嘴单元，其以向着接地单元倾斜的方式设置在接地单元的左侧，且适于通过从外侧供应的电力将工艺气体转变成等离子体，以向下喷射等离子体；以及第二等离子体喷嘴单元，其以向着接地单元倾斜的方式设置在接地单元的右侧，且适于通过从外侧供应的电力将工艺气体转变成等离子体，以向下喷射等离子体。
技术研发人员：朴根鲁
受保护的技术使用者：奈恩泰克有限公司
文档号码：201511021552
技术研发日：2015.12.31
技术公布日：2017.06.16