技术总结
本发明涉及一种CMP后清洗液组合物，其包含：2‑氨基‑2‑甲基‑1‑丙醇(2‑Amino‑2‑methyl‑1‑propanol)0.01～10wt％、季铵氢氧化物0.1～10wt％、螯合剂0.001～3wt％、哌嗪(Piperazine)0.001～5wt％以及使全部组合物总重量为100wt％的余量的超纯水，根据本发明的CMP后清洗液组合物的pH为10～14，能够有效去除残留物和污染物，与有机或金属性蚀刻残留物形成配位键，从而防止从基板再沉积，并具有抑制铜腐蚀的效果，能够制造优异的半导体。
技术研发人员：李锡浩;宋定桓;全成植;赵诚一;韩挪;金炳卓;林娥铉
受保护的技术使用者：LTCAM株式会社
文档号码：201610533445
技术研发日：2016.07.07
技术公布日：2016.12.07