技术总结
本发明属于磁性氧化物薄膜生长技术领域，具体涉及一种基于石英衬底的掺杂钇铁石榴石薄膜脉冲激光沉积方法。本发明通过控制靶材与基底间距离4‑8cm、基底温度550℃‑750℃、氧压5‑10Pa、激光频率2‑10Hz、沉积后薄膜退火温度700‑850℃及保温时间10‑30min等参数，可以制备出高品质的磁光薄膜。在1550nm的光通信波段，在SiO2基片上沉积的CeYIG薄膜法拉第旋转角可以达到1deg/μm，满足高性能光隔离器对材料高磁光性能的要求，对推动集成薄膜型光学器件的发展具有重要意义。
技术研发人员：沈涛;代海龙
受保护的技术使用者：哈尔滨理工大学
文档号码：201611014033
技术研发日：2016.11.18
技术公布日：2017.03.15