1.一种在用于处理半导体衬底的沉积设备中有用的喷头的面板，所述面板具有气孔的不对称气孔图案，其中所述气孔沿着曲线间隔开，所述曲线在所述面板的中心向外处相交，所述气孔图案具有延伸穿过所述面板的非径向和非同心分布的气孔。
2.根据权利要求1所述的面板，其中所述气孔位于所述曲线的相交处，其中所述曲线围绕所述面板的中心沿顺时针和逆时针方向向外延伸，顺时针线在沿逆时针线的单个位置处与所述逆时针线相交。
3.根据权利要求1所述的面板，其中，所述面板包括容纳所述气孔的底壁、从所述底壁的外周向上延伸的侧壁、从所述侧壁的上端向内延伸的顶壁、以及从所述底壁的上表面向上延伸的可选的柱，所述柱成锥形且在所述底壁的上表面处直径较小。
4.根据权利要求1所述的面板，其中气孔位于所述面板的中心。
5.根据权利要求2所述的面板，其中(a)沿顺时针曲线定位的相邻气孔之间的距离大约等于沿逆时针曲线定位的相邻气孔之间的距离，或者(b)气孔的顺时针曲线的总数和气孔的逆时针曲线的总数是斐波那契序列的连续成员。
6.根据权利要求2所述的面板，其中(a)气孔的顺时针曲线的总数与气孔的逆时针曲线的总数的比接近黄金比(1.6180)或(b)气孔的逆时针曲线的总数对孔的顺时针曲线的总数的比接近黄金比率(1.6180)。
7.根据权利要求2所述的面板，其中(a)在所述气孔图案的外周处具有少于100个的气孔的逆时针曲线和至少140个的气孔的顺时针曲线，或者(b)在气孔图案的外周处具有少于100个的气孔的顺时针曲线和至少140个的气孔的逆时针曲线。
8.根据权利要求2所述的面板，其中(a)所述气孔以伏格尔模式布置或(b)每个所述气孔具有约0.04英寸的直径。
9.一种用于处理衬底的沉积设备，所述沉积设备包括：
真空室，其包括其中可以处理衬底的处理区；
与所述真空室流体连通的至少一个气体源，所述至少一个气体源可操作以在处理期间将工艺气体供应到所述真空室中；
包括如权利要求1所述的面板和背板的喷头组件，所述背板包括与所述至少一个气体源流体连通的至少一个气体入口，所述面板中的所述气孔在处理期间将所述工艺气体分配到所述真空室中；和
衬底基座组件，其被配置为当在所述沉积设备中处理衬底时将所述衬底支撑在其上表面上。
10.根据权利要求9所述的沉积设备，其中
所述喷头组件还包括杆，其中所述背板从所述杆的下端横向向外延伸，所述杆具有至少一个垂直延伸穿过其中的气体通道，所述气体通道与所述至少一个气体源流体连通。