1.一种硫系玻璃或相变储存材料锗砷硒碲靶材的生产工艺，其特征在于，包括如下步骤：
（1）配料和封管， 将纯度均为99.999%的单质Ge、As、Se、Te破碎为均匀小块或粉末，按原子比Ge:As:Se:Te=a:b:c:d（a+b+c+d=100%），，计算用量，并考虑到As、Se、Te反应中有损耗，在理论用料的基础上，As过量1%~6%、Se过量4%~8%，Te过量8~12%，将四种单质精确称量后装入石英管中，As、Se、Te置于一端，Ge置于另一端，抽石英管真空至10-2托，用氢氧焰封管待烧；
（2）双温区密管合成，将装好原料的密管放入双管炉中，双管炉两端分别按各自的时温曲线加热，高温端达到950~10000C，低温端采用阶梯式升温方式，分别在650~7000C、750~8000C、950~10000C等三个温度段各保温1小时，等合成完全后切断电源停止加热，随炉冷却；
（3）制粉， 用上述方法合成的锗砷硒碲材料是块状的，从密管中取出合成物，通过筛选、破碎、球磨制成100~200目的粉末作为生产靶材的原料；
（4）热压烧结成形， 将上述制得的粉末，按预先算好的用量，装入模具中，用热等静压烧结技术烧结成形，烧结温度300~6000C，施加压力12~25MPa，烧结时间10~30min，得到锗砷硒碲靶材的毛坯。
2.根据权利要求1所述的一种硫系玻璃或相变储存材料锗砷硒碲靶材的生产工艺，其特征在于还包括以下步骤：热等静压烧结成形的锗砷硒碲毛坯经热处理，热处理温度0.4Tm，再经水切割、外圆磨、平面磨、机床加工、抛光加工工序制成可出售的靶材，其规格为Dia（25.4mm~480mm）X Th（3~10mm）或L（110mm~415mm）X W（110mm~418mm）X Th（3~10mm），其指标为：
1）、相对密度90%以上；
2）、纯度为99.999%以上，主要杂质含量之和小于10μg/g；
3）晶粒尺寸≤50μm。