本发明涉及一种硅片抛光方法。
背景技术：
现有抛光工艺为通过抛光机台大盘的旋转和抛头自转相结合达到移除硅片表面损伤层，确保硅片表面平整度要求。目前硅片抛光的贴片方式为在陶瓷盘上统一的参考面朝外，在抛光过程中，硅片受到的压力相同，但旋转中的角速度一致，但线速度不同的影响，容易造成硅片边缘的参考面位置抛去量过多，影响硅片参数。
技术实现要素：
本发明的目的之一是为了克服现有技术中的不足，提供一种良率高的硅片抛光方法。
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：
硅片抛光方法，其特征在于，所述硅片放置于大盘上并随大盘旋转；使用旋转的抛布研磨硅片表面以抛光；所述抛布为圆形形状切割多条边而成，相邻两条切边不重合；切割方法为垂直于径向切割抛布，切割长度为自圆周顶点向圆心方向切割的尺寸L为：抛头转速与大盘转速比×抛头直径与大盘直径比×硅片直径。
根据本发明的技术方案，沿圆周方向均匀切割四条边。
根据本发明的技术方案，所述抛布直径为96cm，切割长度L为4-6cm。
本发明中的硅片抛光方法，将圆形的抛布边缘割除一部分部分，减少抛布与硅片的边缘接触面积，可降低在抛光过程中边缘的抛去量。使用本发明中的硅片抛光方法，硅片抛光不良率由3.4％降至0.5％。
附图说明
图1为本发明使用的抛光布结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细的描述：
硅片抛光方法，所述硅片放置于大盘上并随大盘旋转；使用旋转的如图1所示抛布1研磨硅片表面以抛光；所述抛布1为圆形形状切割多条边而成。切割后，在抛布上形成切边11，相邻两条切边11不重合；切边11以外的部分被切除。切割方法为垂直于径向切割抛布1，切边11垂直于抛布1径向。切割长度L为自圆周顶点向圆心方向切割的尺寸(单位：厘米)：抛头转速与大盘转速比×抛头直径与大盘直径比×硅片直径，硅片直径单位为厘米。在如图所示的示例中，沿圆周方向均匀切割四条边。
在本发明的一个应用实例中，抛头转速35转/分、大盘转速30转/分、抛头直径392mm、大盘直径960mm、硅片直径125mm。所述抛布直径为96cm，切割长度L为5.6cm。使用切割后的抛布抛光，硅片抛光不良率由3.4％降至0.5％。发明人经试验，使用本发明的计算方式计算后切割获得的抛布，其抛光硅片均能达到以上效果。
本发明中的实施例仅用于对本发明进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本发明保护范围内。