1.一种喷淋头，用于半导体等离子体处理装置，所述半导体等离子体处理装置包括反应腔及设置于所述反应腔中的载物台，所述载物台用以承载衬底，所述喷淋头相对于所述载物台设置于所述反应腔中，用以将反应气体沿着所述衬底的方向喷淋，其特征在于，所述喷淋头包括喷淋头通孔以将所述反应气体通入所述反应腔，所述喷淋头通孔包括第一通孔与第二通孔，所述第一通孔具有第一流阻，所述第二通孔具有第二流阻，所述第一流阻不等于所述第二流阻，所述第一通孔在喷淋头中所形成的区域位置及区域形状不同于所述第二通孔在喷淋头中所形成的区域位置及区域形状以均匀所述反应气体在所述衬底上的沉积速率。
2.根据权利要求1所述的喷淋头，其特征在于：所述喷淋头通孔包括进气端及与所述进气端相连通的出气口，所述进气端沿着垂直气体流向的方向具有进气横截面积，所述出气口沿着垂直气体流向的方向具有出气横截面积，所述进气横截面积大于所述出气横截面积，所述进气横截面积为0.00785-7.85平方毫米，所述出气横截面积为0.00785-0.785平方毫米，所述进气端长度与出气口长度之和为5-20mm，进气端长度范围为2-20mm，出气口长度范围为2-20mm。
3.根据权利要求2所述的喷淋头，其特征在于：所述第一通孔具有第一进气端和第一出气口，所述第一进气端和所述第一出气口相连通，所述第一进气端沿着垂直气体流向的方向具有第一进气横截面积，所述第一进气端沿着垂直气体流向的方向具有第一出气横截面积，所述第一进气横截面积大于所述第一出气横截面积。
4.根据权利要求3所述的喷淋头，其特征在于：所述第二通孔具有第二进气端和第二出气口，所述第二进气端和所述第二出气口相连通，所述第二进气端沿着垂直气体流向的方向具有第二进气横截面积，所述第二出气口沿着垂直气体流向的方向具有第二出气横截面积，所述第二进气横截面积大于所述第二出气横截面积。
5.根据权利要求4所述的喷淋头，其特征在于：所述第一出气口的长度与所述第一通孔的长度具有第一长度比值，所述第二出气口与所述第二通孔具有第二长度比值，所述第一长度比值不等于所述第二长度比值。
6.根据权利要求4所述的喷淋头，其特征在于：所述第一进气横截面积与所述第一出气横截面积具有第一面积比值，所述第二进气横截面积与所述第二出气横截面积具有第二面积比值，所述第一面积比值不等于所述第二面积比值。
7.根据权利要求6所述的喷淋头，其特征在于：所述喷淋头还包括第三通孔，所述第三通孔具有第三进气端和第三出气口，所述第三进气端和所述第三出气口相连通，所述第三进气端沿着垂直气体流向的方向具有第三进气横截面积，所述第三出气口沿着垂直气体流向的方向具有第三出气横截面积，所述第三进气横截面积大于所述第三出气横截面积。
8.根据权利要求7所述的喷淋头，其特征在于：所述第三出气口的长度与所述第三通孔的长度具有第三长度比值，所述第一出气口的长度与所述第一通孔的长度具有第一长度比值，所述第二出气口的长度与所述第二通孔的长度具有第二长度比值，所述第三长度比值、所述第一长度比值与所述第二长度比值互不相等。
9.根据权利要求7所述的喷淋头，其特征在于：所述第三进气横截面积与所述第三出气横截面积具有第三面积比值，所述第三面积比值、所述第一面积比值与所述第二面积比值互不相等。
10.根据权利要求9所述的喷淋头，其特征在于：所述喷淋头具有圆形的出气面，所述出气面包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域为第一内嵌三角形面，所述第二区域为第二内嵌三角形面，所述第三区域为第二内嵌三角形外的弧面，所述第一通孔在所述出气面上形成若干第一出气口，所述第一出气口形成于所述第一区域，所述第二通孔在所述出气面上形成若干第二出气口，所述第二出气口形成于所述第二区域，所述第三通孔在所述出气面上形成若干第三出气口，所述第三出气口形成于所述第三区域。
11.根据权利要求9所述的喷淋头，其特征在于：所述喷淋头具有圆形的出气面，所述出气面包括第一区域和第二区域，所述第一区域为内嵌三角形面，所述第二区域为内嵌三角形外的弧面，所述第一通孔在所述出气面上形成若干第一出气口，所述第一出气口形成于所述第一区域，所述第二通孔在所述出气面上形成若干第二出气口，所述第二出气口形成于所述第二区域。
12.一种设置有如权利要求1-11中任一项所述的喷淋头的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置用于以化学气相沉积的方法在所述衬底上沉积薄膜，所述衬底为硅片。
13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：设置在所述反应腔下方的排气系统，所述排气系统包括控压单元和排气泵，所述控压单元用以控制所述反应腔内的气压，所述的反应腔具有侧壁，所述侧壁设置有反应腔阀门，所述反应腔阀门与传输腔相连接，用以将传输腔内的衬底经由所述反应阀门传输至所述反应腔内。
14.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于：在所述喷淋头和所述载物台间施加电压形成等离子体，用于对所述衬底进行等离子体处理。