技术总结
本实用新型提供一种喷淋头，其用于半导体等离子体处理装置，所述半导体等离子体处理装置包括反应腔及设置于所述反应腔中的载物台，所述载物台用以承载衬底，所述喷淋头相对于所述载物台设置于所述反应腔中，用以将反应气体沿着所述衬底的方向喷淋，所述喷淋头包括喷淋头通孔以将所述反应气体通入所述反应腔，所述喷淋头通孔包括第一通孔与第二通孔，所述第一通孔具有第一流阻，所述第二通孔具有第二流阻，所述第一通孔在喷淋头中所形成的区域位置及区域形状不同于所述第二通孔在喷淋头中所形成的区域位置及区域形状以均匀所述反应气体在所述衬底上的沉积速率。本实用新型的喷淋头及等离子体处理装置有效提高了反应气体在所述衬底上的沉积速率均匀性。
技术研发人员：刘忆军;戚艳丽;柴智;王卓
受保护的技术使用者：沈阳拓荆科技有限公司
文档号码：201620468469
技术研发日：2016.05.19
技术公布日：2017.03.22