一种硅片镀膜用石墨框的制作方法

本实用新型涉及太阳能电池片的制备，尤其涉及一种硅片镀膜用石墨框。

背景技术：

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳电池中，晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能，因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。

现有技术中，晶体硅太阳能电池的制备工艺主要包括：清洗、去损伤层、制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷、烧结、电池片测试。其中，沉积减反射膜是晶体硅太阳能电池生产过程中的一个重要工序。目前，氮化硅薄膜作为晶体硅太阳能电池的光学减反射膜，同时也起到表面钝化和体内钝化的作用，以提高太阳能电池的转换效率。现有技术中，制备氮化硅薄膜一般采用的是等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，如可以才用德国ROTH&RAU公司的PECVD设备。在采用PECVD设备制备氮化硅薄膜的过程中，需要使用一种承载硅片的石墨框。

现有的石墨框参见附图1和附图2所示，包括石墨框本体1，其呈网格状结构，由复数个网格2组成，网格2的四边上均匀分布有多个挂钩3，用来承载硅片，以防止硅片掉落，硅片水平放置在石墨框本体1的网格2中，对硅片向下的面进行镀膜。硅片表层的氮化硅薄膜在钝化和减反射方面起到了非常重要的作用，但同时由于氮化硅薄膜的存在，增加了丝网主栅线与硅片的接触电阻，导致效率的降低。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种减少主栅线和硅片之间接触电阻的硅片镀膜用石墨框。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种硅片镀膜用石墨框，所述石墨框包括一石墨框本体，石墨框本体内设有复数个网格，每个网格对应一硅片设置；

每个网格内对应于硅片上每条主栅线的位置均设置有石墨遮挡条。

上述方案中，所述石墨遮挡条的宽度比主栅线宽度小0.1~0.5毫米。

上述方案中，所述石墨遮挡条的厚度为0.3~1毫米。

上述方案中，所述网格的尺寸大于硅片尺寸。

上述方案中，所述石墨遮挡条与石墨框本体为一体结构。

上述方案中，在使用状态下，所述石墨遮挡条承托硅片，石墨遮挡条与硅片接触，以遮挡主栅线对应的位置。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1．本实用新型在石墨框的网格内对应于主栅线的位置设置石墨遮挡条，镀膜时，石墨遮挡条将主栅线的位置遮挡，被石墨遮挡条遮挡的位置不会沉积氮化硅，从而减少了主栅线和硅片之间的接触电阻，提高了效率；

2. 本实用新型不易发生形变，无污染，耐酸洗；

3. 本实用新型结构简单，适于推广。

附图说明

图1为现有技术石墨框结构示意图。

图2为现有技术石墨框的单个网格结构示意图。

图3为本实用新型实施例一石墨框结构示意图。

图4为本实用新型实施例一石墨框的单个网格结构示意图。

其中：1、石墨框本体；2、网格；3、挂钩；4、石墨遮挡条。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例一：

参见图3~4所示，一种硅片镀膜用石墨框，所述石墨框包括一石墨框本体1，石墨框本体1内设有二十五个网格2，每个网格2对应一硅片设置；

每个网格2内对应于硅片上每条主栅线的位置均设置有石墨遮挡条4。

每个石墨框本体1内网格2数量及石墨遮挡条4的数量根据实际情况确定。

所述石墨遮挡条4的宽度比主栅线宽度小0.3毫米。

所述石墨遮挡条4的厚度为0.6毫米。

所述网格2的尺寸大于硅片尺寸。

所述石墨遮挡条4与石墨框本体1为一体结构。

在使用状态下，所述石墨遮挡条4承托硅片，石墨遮挡条4与硅片接触，以遮挡主栅线对应的位置。