1.一种可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置，其特征在于，包括反应腔体，所述反应腔体中设有晶片载盘(2)和支撑轴(4)，所述晶片载盘(2)的凹槽内设有晶片衬底(1)，所述晶片载盘(2)正下方设有加热器(3)，加热器(3)下方设有多层隔热板(5)，隔热板(5)下设有反射板(6)，所述加热器包括内圈(31)、中圈(32)和外圈(33)，支撑轴(4)从内圈(31)穿过，并支撑起晶片载盘(2)；所述内圈(31)的内表面覆盖热辐射层(7)。
2.根据权利要求1所述的可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置，其特征在于，所述热辐射层(7)为刚玉喷砂层。
3.根据权利要求1所述的可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置，其特征在于，所述热辐射层(7)为蚀刻层。
4.根据权利要求1所述的可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置，其特征在于，所述热辐射层(7)为等离子喷涂铼粉层。
5.根据权利要求4所述的可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置，其特征在于，所述等离子喷涂铼粉层厚度为0.15mm。
6.根据权利要求1所述的可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置，其特征在于，所述内圈(31)的内表面材质为金属铼。