本实用新型涉及一种束源炉技术领域，特别是涉及一种高温束源炉。
背景技术：
束源炉是一种蒸发镀膜装置是在高真空条件下，通过加热材料的方法，使坩埚中被蒸发物在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜，可用于镀半导体、金属膜，氧化物、纳米级单层及多层功能膜的连续沉积。
随着真空镀膜技术的不断发展，对镀膜设备的工艺需求也不断提出更高的要求，尤其在超高温蒸发设备领域更显突出。在超高温状态下所用材料的选用尤为重要，要求在正常高温下炉内气氛清洁，不能给工件带来污染，使用稳定性，温控精度等。原高温炉多采用石墨及感应加热，这两种加热方式使用面窄，如受材料特性、周围气氛要求等很多因素限制。
技术实现要素：
针对上述问题中存在的不足之处，本实用新型提供一种高温束源炉，使其在1500℃状态下可以长期工作稳定，膜层纯度达到满意效果，无挥发掺杂，选用热解氮化硼坩埚，其耐高温，强度随温度升高，2200℃达到最大值，耐酸、碱、盐及有机试剂，高温与绝大多数熔融金属、半导体等材料不湿润、不反应，适用范围广泛。
为了解决上述问题，本实用新型提供一种高温束源炉，包括机架，其中，所述机架包括底座和垂直设置在所述底座上的立杆，所述束源炉本体包括坩埚、加热丝、冷却波纹管和电极组件，所述底座的上方设置有保护罩，所述保护罩内设置有所述坩埚和所述加热丝，所述坩埚上设置有所述加热丝，所述坩埚的外侧设置有屏蔽层，所述底座上设置有所述冷却波纹管和所述电极组件，所述冷却波纹管通过连接管路与所述束源炉本体连通，所述电极组件通过连接引线与所述束源炉本体连接。
优选的，所述冷却波纹管上设置有冷却管接头，所述冷却管接头采用VCR接头结构。
优选的，所述保护罩的左端和底端分别设置有第一连接杆和第二连接杆，所述第一连接杆与所述底座连接，所述第二连接杆与所述立杆连接。
优选的，所述第一连接杆上设置有测温电偶。
优选的，所述底座的右端底面上设置有连接法兰，所述连接法兰设置有所述冷却波纹管和所述电极组件。
优选的，所述加热丝的外围设置有绝缘管。
与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：
1、本实用新型在1500℃状态下可以长期工作稳定，膜层纯度达到满意效果，无挥发掺杂，选用热解氮化硼坩埚，其耐高温，强度随温度升高，2200℃达到最大值，耐酸、碱、盐及有机试剂，高温与绝大多数熔融金属、半导体等材料不湿润、不反应，适用范围广泛；
2、本实用新型采用钨莱偶测温，保证高温检测的精确性，采用Φ1.5钽丝外穿氮化硼管，满足在2000℃下长期工作，在坩埚屏蔽层外部增加一钽片屏蔽保护，以减少热辐射扩散；
3、本实用新型的炉体冷却系统在炉外部选用Φ6液压波纹管以避免热应力变形造成炉体损坏，另外冷却管接头采用VCR接头，其在高温环境下密封可靠且操作方便。
附图说明
图1是本实用新型的实施例结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图与实例对本实用新型作进一步详细说明，但所举实例不作为对本实用新型的限定。
如图1所示，本实用新型的实施例包括机架，其中，机架包括底座和垂直设置在底座上的立杆，束源炉本体包括坩埚1、加热丝2、冷却波纹管4和电极组件7，底座的上方设置有保护罩10，保护罩10内设置有坩埚1和加热丝2，坩埚1上设置有加热丝2，坩埚1的外侧设置有屏蔽层3，底座上设置有冷却波纹管4和电极组件7，冷却波纹管4通过连接管路与束源炉本体连通，电极组件7通过连接引线与束源炉本体连接，冷却波纹管4上设置有冷却管接头5，冷却管接头5采用VCR接头结构。
保护罩10的左端和底端分别设置有第一连接杆和第二连接杆，第一连接杆与底座连接，第二连接杆与立杆连接，第一连接杆上设置有测温电偶9。
底座的右端底面上设置有连接法兰6，连接法兰6设置有冷却波纹管4和电极组件7，加热丝2的外围设置有绝缘管。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。