技术总结
本实用新型公开了可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置，晶片载盘正下方的加热器包括内圈、中圈和外圈，加热器下方设有多层隔热板，隔热板下设有反射板，支撑轴从内圈穿过，并支撑起晶片载盘；内圈的内表面覆盖热辐射层。本实用新型加热器分成三段，使温度均匀分布；多层隔热板和下方的反射板将热量反射回晶片载盘，增加了晶片载盘中温度分布的均匀性；内圈的内表面覆盖热辐射层使得加热器内表面发射率达到外表面发射率的1.5‑2.0倍，增强了内圈对支撑轴的热辐射能力，总体提高了晶片载盘温度的均匀程度，载盘上的晶片能够均匀受热，外延生长均匀，提高了良品率。
技术研发人员：陈景升;黎静;田青林
受保护的技术使用者：江苏实为半导体科技有限公司
文档号码：201621027863
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2017.07.14