技术总结
本实用新型涉及真空镀膜技术领域，尤其是一种实现离子源均匀照射镀膜基片的屏蔽罩，其特征在于：所述屏蔽罩设置在所述离子源的外围，所述屏蔽罩的罩体顶部开设有扇形或类扇形开口，所述扇形或类扇形开口位于所述离子源的上方。本实用新型的优点是：实现镀膜伞架径向上的镀膜基片接受到的荷能粒子照射强度大致相当，从而形成均匀性较好的薄膜致密度；结构简单、合理，适用性强。
技术研发人员：龙汝磊;戴秀海;余龙;孙英会
受保护的技术使用者：光驰科技（上海）有限公司
文档号码：201621441260
技术研发日：2016.12.27
技术公布日：2017.06.30