技术特征：
技术总结
一种钽溅射靶，其中，使用背散射电子衍射法观察作为与靶的溅射面垂直的截面的轧制面法线方向ND时，{100}面沿ND取向的晶粒的面积率为30％以上。本发明的课题在于提供在高功率溅射情况下能够适当控制成膜速度的钽溅射靶。在使用这样的溅射靶进行溅射成膜时，即使对于微细布线而言，也能够形成膜厚均匀性优良的薄膜，并且能够提高薄膜形成工艺的生产率。
技术研发人员：永津光太郎;仙田真一郎
受保护的技术使用者：捷客斯金属株式会社
技术研发日：2016.05.17
技术公布日：2017.08.29