1.一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)微蚀：将除油后的半导体裸芯片表面或晶圆放入到硫酸与双氧水的混合溶液中，在30-40℃下反应60-90s后水洗；
2)一次锌活化：将经步骤1)微蚀的半导体裸芯片表面或晶圆采用活化液，在反应温度为20-30℃下活化30-40s；
3)酸腐蚀：一次锌活化后，进行酸腐蚀，将锌腐蚀掉；
4)二次锌活化：将经步骤3)酸腐蚀后的元件采用活化液在温度为20-30℃下进行活化15-20s，然后水洗；
5)化学镀Ni：采用镀液，在经过二次锌活化后的裸芯片或晶圆表面进行沉积形成2μm～4μm的Ni层；
6)化学镀Pd：采用镀液，在Ni层上沉积Pd层，厚度为0.2μm～0.5μm；
7)浸金：采用镀液，在Pd层上沉积Au层，厚度为：0.05μm～0.1μm，然后水洗、烘干。
2.根据权利要求1所述的一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，其特征在于，步骤1)中硫酸的质量浓度为18.4mol/L，硫酸与双氧水的体积比为(80-100)mL：(80-90)mL。
3.根据权利要求1所述的一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，其特征在于，步骤3)中酸腐蚀具体是在浸泡在硝酸水溶液中，浸泡15-30s后水洗；其中，硝酸水溶液是按体积比1:1将硝酸加入到水中制得。
4.根据权利要求1所述的一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，其特征在于，步骤2)和步骤4)中的活化液均是将氢氧化钠、氧化锌、三氯化铁以及酒石酸钾钠加入到水中制得，并且活化液中氢氧化钠的浓度为500-600g/L，氧化锌的浓度为90-100g/L，三氯化铁的浓度为1g/L，酒石酸钾钠的浓度为10g/L。
5.根据权利要求1所述的一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，其特征在于，步骤5)中镀液是将NiSO4与H3BO3加入到水中制得，并且镀液中NiSO4的浓度为300g/L，H3BO3的浓度为40g/L。
6.根据权利要求1所述的一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，其特征在于，步骤5)中以0.2μm-0.3μm/min的速率进行沉积。
7.根据权利要求1所述的一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，其特征在于，步骤6)中镀液是将二氯二氨基钯盐、氯化铵、氨水以及NH4OH加入到水中制得，并且镀液中二氯二氨基钯盐的浓度为20～40g/L，氯化铵的浓度为10～20g/L，氨水的质量浓度为25％，NH4OH的浓度为40～60g/L。
8.根据权利要求1所述的一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，其特征在于，步骤6)中在0.05μm-0.1μm/min的速率下进行沉积。
9.根据权利要求1所述的一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，其特征在于，步骤7)中镀液是将亚硫酸金钠、亚硫酸钠、硫代硫酸钠以及硼砂加入到水中制得，并且镀液中，亚硫酸金钠的浓度为2g/L，亚硫酸钠的浓度为15/L，硫代硫酸钠的浓度为12.5g/L，硼砂的浓度为10g/L。
10.根据权利要求1所述的一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，其特征在于，步骤7)中在0.01μm/min的速率下进行沉积。