技术总结
一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，将除油后的半导体裸芯片表面或晶圆放入到硫酸与双氧水的混合溶液中，在30‑40℃下反应60‑90s后水，进行一次锌活化后酸腐蚀再进行二次锌活化，在经过二次锌活化后的裸芯片或晶圆表面进行沉积形成Ni层；在Ni层上沉积Pd层；在Pd层上沉积Au层。本发明使用化学镀镍钯浸金工艺，在半导体裸芯片表面制备兼容金线键合的镍钯金三层金属化层，膜层附着力及稳定性满足封装工艺的应用需求，改性后的芯片各项电参数与改性前对比无明显差异，在改性后的镍钯金层表面进行的金线键合可以满足高温环境应用及器件长寿命使用的可靠性需求。
技术研发人员：王超;陈雷达;张欲欣
受保护的技术使用者：西安微电子技术研究所
文档号码：201710114388
技术研发日：2017.02.28
技术公布日：2017.06.13