晶片的加工方法与流程

本发明涉及晶片的加工方法。

背景技术：

在晶片的加工方法中进行如下动作：一边利用卡盘工作台对晶片进行保持而使其旋转并使研磨垫旋转而对晶片进行按压，一边提供研磨液并进行研磨，然后使卡盘工作台和研磨垫进行旋转并提供冲洗液，在晶片上形成去疵层(例如，参照专利文献1和专利文献2)。

专利文献1：日本特开2013-247132号公报

专利文献2：日本特开2013-244537号公报

专利文献1和2的发明使用研磨垫来连续地进行研磨及之后的去疵层形成。但是，专利文献1和2的发明并没有着眼于在各个处理中用于在晶片上高效地形成去疵层的卡盘工作台的优选的转速。在晶片的加工中希望高效地形成去疵层。

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供晶片的加工方法，能够高效地进行去疵层的形成。

为了解决上述的课题并达成目的，本发明的晶片的加工方法使用研磨垫，该研磨垫包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的该研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及去疵层形成工序，维持该研磨工序中的使以该规定的速度旋转的该研磨垫与旋转的该卡盘工作台上所保持的该晶片抵接的状态，在该研磨工序之后连续地使该卡盘工作台以比该第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。

该第2旋转速度也可以逐渐变小。

根据本发明，由于去疵层形成工序的卡盘工作台的旋转速度比研磨工序时的小，所以能够使去疵层形成工序的研磨垫与晶片的相对速度变得比研磨工序中的相对速度大，能够高效地进行去疵层的形成。

附图说明

图1是示出实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的器件晶片的立体图。

图2是在实施方式1的晶片的加工方法中使用的磨削研磨装置的结构例的立体图。

图3是示出图2所示的磨削研磨装置的研磨单元的结构例的立体图。

图4是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。

图5是示出实施方式1的晶片的加工方法的研磨工序的图。

图6是示出实施方式1的晶片的加工方法的去疵层形成工序的图。

图7是示出实施方式1的晶片的加工方法的研磨工序和去疵层形成工序的旋转速度与载荷的图。

图8是示出实施方式1的晶片的加工方法的单片化工序的图。

图9是示出实施方式2的晶片的加工方法的研磨工序的图。

图10是示出实施方式2的晶片的加工方法的去疵层形成工序的图。

图11是示出实施方式3的晶片的加工方法的研磨工序和去疵层形成工序的旋转速度的图。

图12是示出实施方式4的晶片的加工方法的研磨工序和去疵层形成工序的旋转速度与载荷的图。

标号说明

7：卡盘工作台；51：研磨垫；w：晶片；ws：正面；wr：背面；dv：器件；g：去疵层；r0：规定的速度；r1：第1旋转速度；r2、r2a：第2旋转速度；st4：研磨工序；st5：去疵层形成工序。

具体实施方式

参照附图对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细地说明。本发明并不限定于以下的实施方式所记载的内容。并且，在以下所记载的结构要素中包含本领域技术人员所容易想到的、实际上相同的结构。此外，能够对以下记载的结构进行适当组合。并且，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。

【实施方式1】

根据附图对本发明的实施方式1的晶片的加工方法进行说明。图1是示出实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的器件晶片的立体图。图2是示出在实施方式1的晶片的加工方法中使用的磨削研磨装置的结构例的立体图。图3是示出图2所示的磨削研磨装置的研磨单元的结构例的立体图。

实施方式1的晶片的加工方法是在图1所示的晶片w的背面wr上形成去疵层g并且将晶片w分割成器件芯片dt(在图1中由虚线示出)的方法。如图1所示，晶片w是以硅为原材料的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。在晶片w的正面ws上，在由呈格子状形成的多条分割预定线s划分出的区域内形成有器件dv。即，在晶片w的正面ws上形成有多个器件dv。关于晶片w，在对正面ws的背面侧的背面wr实施磨削加工等而薄化至规定的厚度之后，在背面wr侧形成去疵层g。去疵层g是在晶片w的背面wr(即各器件dv的背面wr)上形成有晶体缺陷、应变等(称为去疵位点)的层，是在该去疵位点对引起金属污染的杂质进行捕获、固着的层。在实施方式1中，当在背面wr侧形成了去疵层g之后，晶片w被分割成包含器件dv在内的器件芯片dt。在实施方式1中，晶片w的外径为300mm。

实施方式1的晶片的加工方法至少使用图2所示的作为加工装置的磨削研磨装置1。磨削研磨装置1为了使晶片w的背面wr薄型化而进行磨削加工，并且为了使磨削加工后的晶片w的背面wr高精度地平坦化并在晶片w的背面wr侧形成去疵层g而进行研磨加工。如图2所示，磨削研磨装置1主要具有：装置主体2；第1磨削单元3；第2磨削单元4；研磨单元5；设置在旋转工作台6上的例如4个卡盘工作台7；盒8、9；对位单元10；搬入单元11；清洗单元13；搬出搬入单元14；以及控制单元100。

第1磨削单元3用于进行如下加工：一边使安装于主轴的下端的具有磨削磨具的磨削磨轮31旋转，一边沿着与铅直方向平行的z轴方向对保持在粗磨削位置b的卡盘工作台7上的晶片w的背面wr进行按压，从而对晶片w的背面wr进行粗磨削加工。同样，第2磨削单元4用于进行如下加工：一边使安装于主轴的下端的具有磨削磨具的磨削磨轮41旋转，一边沿着z轴方向对保持在位于精磨削位置c的卡盘工作台7上的粗磨削完的晶片w的背面wr进行按压，从而对晶片w的背面wr进行精磨削加工。

在实施方式1中，如图3所示，研磨单元5使安装于主轴的下端的研磨垫51与卡盘工作台7的保持面相对配置。研磨单元5一边使研磨垫51旋转一边沿着z轴方向对保持在位于研磨位置d的卡盘工作台7的保持面上的精磨削完成的晶片w的背面wr进行按压。研磨单元5用于进行如下加工：使研磨垫51沿着z轴方向对晶片w的背面wr进行按压，从而对晶片w的背面wr进行研磨加工。研磨单元5的研磨垫51包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒。研磨用磨粒是适合于研磨加工的磨粒，例如是由二氧化硅(sio2)、氧化锆(zro2)和二氧化铈(ceo2)中的至少一种以上构成的磨粒。去疵用磨粒是适合于形成去疵层g的磨粒，例如是由gc(绿色碳化硅)、wa(白色氧化铝)和金刚石中的至少一种以上构成的磨粒。

研磨单元5一边经由切换阀12从与研磨垫51分开设置的喷嘴16对晶片w的背面wr提供来自研磨液提供源15的碱性的研磨液，一边使用研磨垫51对晶片w的背面wr实施所谓cmp(chemicalmechanicalpolishing：化学机械研磨)加工，之后，一边经由切换阀12从喷嘴16对晶片w的背面wr提供来自冲洗液提供源17的不与晶片w发生反应的液体(在实施方式1中为纯水)，一边使用研磨垫51在晶片w的背面wr侧形成去疵层g。并且，如图3所示，研磨单元5具有x轴移动单元52，该x轴移动单元52使研磨垫51与主轴一起在与z轴方向垂直且与装置主体2的宽度方向平行的x轴方向上移动。在实施方式1中，研磨垫51的外径为450mm。

旋转工作台6是设置在装置主体2的上表面上的圆盘状的工作台，该旋转工作台6被设置成能够在水平面内进行旋转，按照规定的时机进行旋转驱动。在该旋转工作台6上例如按照90度的相位角等间隔地配设有例如4个卡盘工作台7。这4个卡盘工作台7是在上表面具有真空卡盘的卡盘工作台构造，对所载置的晶片w进行真空吸附而保持。这些卡盘工作台7在磨削加工时和研磨加工时以与铅直方向平行的轴为旋转轴通过旋转驱动机构在水平面内进行旋转驱动。这样，卡盘工作台7具有能够将作为被加工物的晶片w保持为旋转的保持面。这样的卡盘工作台7通过旋转工作台6的旋转而依次移动到搬入搬出位置a、粗磨削位置b、精磨削位置c、研磨位置d以及搬入搬出位置a。

盒8、9是具有多个槽的用于收纳晶片w的收纳器。一个盒8对磨削研磨加工前的在正面ws上粘贴有保护部件p(如图5所示)的晶片w进行收纳，另一个盒9对磨削研磨加工后的晶片w进行收纳。并且，对位单元10是用于供从盒8取出的晶片w暂放并进行其中心对位的工作台。

搬入单元11具有吸附垫，其对利用对位单元10进行了对位的磨削研磨加工前的晶片w进行吸附保持而搬入到位于搬入搬出位置a的卡盘工作台7上。搬入单元11对保持在位于搬入搬出位置a的卡盘工作台7上的磨削研磨加工后的晶片w进行吸附保持并向清洗单元13搬出。

搬出搬入单元14例如是具有u字型手部14a的机器人拾取器，通过u字型手部14a对晶片w进行吸附保持而搬送。具体来说，搬出搬入单元14将磨削研磨加工前的晶片w从盒8向对位单元10搬出，并且将磨削研磨加工后的晶片w从清洗单元13向盒9搬入。清洗单元13对磨削研磨加工后的晶片w进行清洗，将附着在进行了磨削和研磨的加工面上的磨削屑和研磨屑等污染物去除。

控制单元100分别对构成磨削研磨装置1的上述的构成要素进行控制。即，控制单元100使磨削研磨装置1执行对晶片w的加工动作。控制单元100是能够执行计算机程序的计算机。控制单元100具有：运算处理装置，其具有cpu(centralprocessingunit：中央处理器)那样的微处理器；存储装置，其具有rom(readonlymemory：只读存储器)或ram(randomaccessmemory：随机存取存储器)那样的存储器；以及输入输出接口装置。控制单元100的cpu在ram上执行存储在rom中的计算机程序并生成用于对磨削研磨装置1进行控制的控制信号。控制单元100的cpu将所生成的控制信号经由输入输出接口装置输出给磨削研磨装置1的各构成要素。并且，控制单元100与未图示的显示单元和输入单元连接，其中，该显示单元由对加工动作的状态和图像等进行显示的液晶显示装置等构成，该输入单元在操作人员登记加工内容信息等时使用。输入单元由设置于显示单元的触摸面板和键盘等中的至少一个构成。

接着，对实施方式1的晶片的加工方法进行说明。图4是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。图5是示出实施方式1的晶片的加工方法的研磨工序的图。图6是示出实施方式1的晶片的加工方法的去疵层形成工序的图。图7是示出实施方式1的晶片的加工方法的研磨工序和去疵层形成工序的旋转速度与载荷的图。图8是示出实施方式1的晶片的加工方法的单片化工序的图。图7的横轴表示从研磨工序st4开始起的时间，图7的纵轴表示卡盘工作台7和研磨垫51的转速、以及将研磨垫51按压在晶片w上的载荷的值。在图7中，用细实线表示卡盘工作台7的转速，用粗虚线表示研磨垫51的转速和将研磨垫51按压在晶片w上的载荷。

如图4所示，晶片的加工方法(以下，简称为加工方法)包含保持工序st1、粗磨削工序st2、精磨削工序st3、研磨工序st4、去疵层形成工序st5以及单片化工序st6。在保持工序st1中，首先，操作人员将盒8和盒9安装在装置主体2上，并将加工信息登记到控制单元100中，其中，在该盒8中收纳有磨削研磨加工前的在正面ws上粘贴有保护部件p的晶片w，在该盒9中未收纳晶片w。操作人员对磨削研磨装置1输入加工动作的开始指示，控制单元100使磨削研磨装置1的加工动作开始。

在保持工序st1中，磨削研磨装置1的搬出搬入单元14将晶片w从盒8取出并向对位单元10搬出，对位单元10进行晶片w的中心对位，搬入单元11将进行了对位的晶片w的正面ws侧搬入到位于搬入搬出位置a的卡盘工作台7上。在保持工序st1中，磨削研磨装置1利用卡盘工作台7来隔着保护部件p对晶片w的正面ws侧进行保持，使背面wr露出而利用旋转工作台6将晶片w依次搬送到粗磨削位置b、精磨削位置c、研磨位置d和搬入搬出位置a。另外，磨削研磨装置1中，每当转动工作台6旋转90度，便将磨削研磨加工前的晶片w搬入到搬入搬出位置a的卡盘工作台7上。

在粗磨削工序st2中，磨削研磨装置1使用第1磨削单元3在粗磨削位置b对晶片w的背面wr进行粗磨削加工，在精磨削工序st3中，使用第2磨削单元4在精磨削位置c对晶片w的背面wr进行精磨削加工。

研磨工序st4是如下的工序：将晶片w保持在卡盘工作台7上，使卡盘工作台7以第1旋转速度r1(如图7所示)旋转，一边对保持在卡盘工作台7上的晶片w提供碱性的研磨液一边使以规定的速度r0旋转的研磨垫51与该晶片w抵接而进行研磨。在研磨工序st4中，磨削研磨装置1将保持工序st1中保持在卡盘工作台7上的晶片w保持在卡盘工作台7上。在研磨工序st4中，磨削研磨装置1使研磨位置d的卡盘工作台7以第1旋转速度r1旋转，使研磨垫51以规定的速度r0旋转，并且如图5所示，一边从研磨液提供源15经由切换阀12对晶片w的背面wr提供研磨液，一边使研磨垫51以第1载荷f1按压在卡盘工作台7所保持的晶片w上，对晶片w的背面wr进行cmp研磨加工。作为这里所说的研磨液，可以是不包含用于研磨的粒子的液体，也可以是包含提高了对构成晶片w的硅的研磨性的二氧化硅等固相反应微粒子在内的研磨液。

另外，在实施方式1中，研磨工序st4的研磨垫51的规定的速度r0为500rpm，卡盘工作台7的第1旋转速度r1为505rpm，研磨垫51的第1载荷f1的值为25kpa，研磨液的提供量为1升/min。

去疵层形成工序st5是如下的工序：维持研磨工序st4中的使保持在旋转的卡盘工作台7上的晶片w与以规定的速度r0旋转的研磨垫51抵接的状态，在研磨工序st4之后连续地使卡盘工作台7以比第1旋转速度r1小的第2旋转速度r2旋转，一边提供不与晶片w发生反应的液体即纯水一边使以规定的速度r0旋转的研磨垫51与晶片w抵接而形成去疵层g。在去疵层形成工序st5中，当从研磨工序st4的开始起经过时间t0时，磨削研磨装置1对切换阀12进行切换而从冲洗液提供源17提供不与晶片w发生反应的液体即纯水，当从研磨工序st4的开始起经过比时间t0长的时间t1时，使研磨垫51以规定的速度r0旋转的状态不变而使卡盘工作台7的旋转速度从第1旋转速度r1减少到比第1旋转速度r1小的第2旋转速度r2，直到从研磨工序st4的开始起经过比时间t1长的时间t2为止。

并且，在去疵层形成工序st5中，当从研磨工序st4的开始起经过t1时，磨削研磨装置1使在研磨垫51的按压晶片w上的载荷减少到比第1载荷f1小的第2载荷f2，直到从研磨工序st4的开始起经过时间t2为止。这样，维持研磨工序st4中的使晶片w与研磨垫51抵接的状态，在研磨工序st4之后连续地实施去疵层形成工序st5。并且，实施方式1的加工方法在将去疵层形成工序st5的研磨垫51的旋转速度维持为研磨工序st4的研磨垫51的旋转速度的状态下实施去疵层形成工序st5。在去疵层形成工序st5中，磨削研磨装置1使研磨位置d的卡盘工作台7以第2旋转速度r2旋转，使研磨垫51以规定的速度r0旋转，并且如图6所示，一边从冲洗液提供源17经由切换阀12对晶片w的背面wr提供不与晶片w发生反应的液体即纯水，一边使研磨垫51以第2载荷f2按压在卡盘工作台7所保持的晶片w上而在晶片w的背面wr侧形成去疵层g。

另外，在实施方式1中，去疵层形成工序st5的研磨垫51的规定的速度r0为500rpm，卡盘工作台7的第2旋转速度r2为60rpm，研磨垫51的第2载荷f2的值为5kpa，不与晶片w发生反应的液体即纯水的提供量为1升/min。

并且，在实施方式1中，加工方法在研磨工序st4和去疵层形成工序st5中，将研磨垫51定位成使研磨垫51的外周将晶片w的中心覆盖并且从晶片w的外缘探出。当从研磨工序st4的开始起经过比时间t2长的时间t3时，加工方法使去疵层形成工序st5结束。

在去疵层形成工序st5之后，磨削研磨装置1将实施了去疵层形成工序st5的晶片w定位在搬入搬出位置a，通过搬入单元11搬入到清洗单元13中，利用清洗单元13进行清洗，利用搬出搬入单元14将清洗后的晶片w向盒9中搬入。

在单片化工序st6中，在将晶片w从盒9内取出并将保护部件p从正面ws剥离之后，在晶片w的正面ws上形成未图示的保护膜，并将晶片w的背面wr侧吸引保持在图8所示的激光加工机20的卡盘工作台21上，其中，该保护膜由含有聚乙烯醇(polyvinylalcohol：pva)或聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone：pvp)等的水溶性树脂构成。如图8所示，在单片化工序st6中，一边使激光加工机20的激光照射组件22沿着分割预定线s相对地移动，一边从激光照射组件22对分割预定线s照射激光lr，对分割预定线s实施烧蚀加工而进行半切割，之后，施加外力而将晶片w沿着分割预定线s单片化成各个器件芯片dt。在照射激光lr而进行全切割的情况下，当在单片化工序st6中将晶片w单片化成各个器件芯片dt之后，将未图示的保护膜去除，对晶片w的正面ws进行清洗而将保护膜与碎屑一起清洗去除。

在实施方式1中，单片化工序st6通过使用了激光lr的烧蚀加工将晶片w单片化成各个器件芯片dt，但在本发明中，单片化工序st6可以通过照射激光而在晶片w的内部形成改质层从而将晶片w单片化成各个器件芯片dt，也可以通过使用了切削刀具的切削加工将晶片w单片化成各个器件芯片dt。

如以上那样，由于实施方式1的加工方法中，使去疵层形成工序st5的卡盘工作台7的旋转速度比研磨工序st4中的旋转速度小，所以去疵层形成工序st5中的卡盘工作台7与研磨垫51的相对速度比研磨工序st4中的相对速度大。因此，实施方式1的加工方法能够降低与去疵层g的形成有关的所需时间。其结果是，实施方式1的加工方法能够高效地进行去疵层g的形成。

并且，实施方式1的加工方法中，将去疵层形成工序st5的研磨垫51的旋转速度维持为研磨工序st4的研磨垫51的旋转速度不变，使卡盘工作台7的旋转速度在从研磨工序st4到去疵层形成工序st5的期间减少。这样，由于实施方式1的加工方法中，使直径比研磨垫51小的卡盘工作台7的旋转速度在从研磨工序st4到去疵层形成工序st5的期间发生变化，所以与使研磨垫51的旋转速度发生变化的情况相比，能够降低为了使旋转速度发生变化所需的时间。其结果是，实施方式1的加工方法能够降低从研磨工序st4转移到去疵层形成工序st5所需的时间，能够高效地进行去疵层g的形成。

【实施方式2】

根据附图对本发明的实施方式2的晶片的加工方法进行说明。图9是示出实施方式2的晶片的加工方法的研磨工序的图。图10是示出实施方式2的晶片的加工方法的去疵层形成工序的图。另外，在图9和图10中对与实施方式1相同的部分赋予相同的标号而省略了说明。

实施方式2的晶片的加工方法(以下，简称为加工方法)除了实施研磨工序st4和去疵层形成工序st5的研磨单元5的结构与实施方式1不同之外，与实施方式1相同。

关于实施方式2的加工方法，如图9和图10所示，实施研磨工序st4和去疵层形成工序st5的研磨单元5在中心设置有提供通路18，该提供通路18对研磨垫51的与晶片w的背面wr抵接的研磨面的中央提供来自研磨液提供源15的研磨液或来自冲洗液提供源17的液体。并且，在实施方式2的加工方法的研磨工序st4和去疵层形成工序st5中，将研磨垫51定位成利用研磨垫51的整体将晶片w的背面wr整体覆盖。在实施方式2中，研磨垫51的外径与晶片w的外径相等，均为300mm。

实施方式2的加工方法中，由于与实施方式1同样地使去疵层形成工序st5的卡盘工作台7的旋转速度比研磨工序st4中的旋转速度小，所以加工性良好并且能够高效地进行去疵层g的形成。

【实施方式3】

根据附图对本发明的实施方式3的晶片的加工方法进行说明。图11是示出实施方式3的晶片的加工方法的研磨工序和去疵层形成工序的旋转速度的图。另外，在图11中对与实施方式1相同的部分赋予相同的标号而省略了说明。图11的横轴表示从研磨工序st4开始起的时间，图11的纵轴表示卡盘工作台7和研磨垫51的转速。在图11中，用细实线表示卡盘工作台7的转速，用粗虚线表示研磨垫51的转速。

实施方式3的晶片的加工方法(以下，简称为加工方法)除了研磨工序st4和去疵层形成工序st5的卡盘工作台7的旋转速度与实施方式1不同之外，与实施方式1相同。

在实施方式3的加工方法的去疵层形成工序st5中，当从研磨工序st4的开始起经过比时间t0长的时间t1时，磨削研磨装置1使研磨垫51以规定的速度r0旋转的状态不变而使卡盘工作台7的旋转速度从第1旋转速度r1减少到比第1旋转速度r1小且比第2旋转速度r2大的第2旋转速度r2a，直到从研磨工序st4的开始起经过比时间t1长且比时间t2短的时间t2a为止。在实施方式3的加工方法的去疵层形成工序st5中，当从研磨工序st4的开始起经过时间t2a时，磨削研磨装置1使研磨垫51以规定的速度r0旋转的状态不变而使卡盘工作台7的旋转速度从第2旋转速度r2a减少到比第1旋转速度r1小的第2旋转速度r2，直到从研磨工序st4的开始起经过时间t2为止。这样，在实施方式3的加工方法的去疵层形成工序st5中，磨削研磨装置1的卡盘工作台7的转速阶段性地逐渐变小，但也可以连续地逐渐变小。

实施方式3的加工方法中，由于与实施方式1同样使去疵层形成工序st5的卡盘工作台7的旋转速度变得比研磨工序st4中的旋转速度小，所以能够高效地进行去疵层g的形成。

并且，实施方式3的加工方法，由于与实施方式1同样使去疵层形成工序st5的卡盘工作台7的旋转速度阶段性地逐渐变小，所以能够降低从研磨工序st4转移到去疵层形成工序st5时的研磨单元5的负荷。

【实施方式4】

根据附图对本发明的实施方式4的晶片的加工方法进行说明。图12是示出实施方式4的晶片的加工方法的研磨工序和去疵层形成工序的旋转速度与载荷的图。另外，在图12中对与实施方式3相同的部分赋予相同的标号而省略说明。图12的横轴表示从研磨工序st4开始起的时间，图12的纵轴表示卡盘工作台7和研磨垫51的转速、以及将研磨垫51按压在晶片w上的载荷的值。在图12中，用细实线表示卡盘工作台7的转速，用粗虚线表示研磨垫51的转速和将研磨垫51按压在晶片w上的载荷。

实施方式4的晶片的加工方法(以下，简称为加工方法)中，除了研磨工序st4和去疵层形成工序st5的将研磨垫51按压在晶片w上的载荷与实施方式3不同之外，与实施方式3相同。

在实施方式4的加工方法的去疵层形成工序st5中，磨削研磨装置1与实施方式3同样地使卡盘工作台7的转速阶段性地变小，而且当从研磨工序st4的开始起经过比时间t0长的时间t1时，使研磨垫51按压在晶片w上的载荷从第1载荷f1减少到比第1载荷f1小且比第2载荷f2大的第2载荷f2a，直到从研磨工序st4的开始起经过比时间t1长且比时间t2短的时间t2a为止。在实施方式4的加工方法的去疵层形成工序st5中，当从研磨工序st4的开始起经过时间t2a时，磨削研磨装置1使研磨垫51按压在晶片w上的载荷从第2载荷f2a减少到比第1载荷f1小的第2载荷f2，直到从研磨工序st4的开始起经过时间t2为止。这样，在实施方式4的加工方法的去疵层形成工序st5中，磨削研磨装置1可以使研磨垫51按压在晶片w上的载荷阶段性地变小，但也可以使载荷连续地逐渐变小。

实施方式4的加工方法中，由于与实施方式1同样使去疵层形成工序st5的卡盘工作台7的旋转速度比研磨工序st4中的旋转速度小，所以加工性良好并且能够高效地进行去疵层g的形成。

并且，实施方式4的加工方法中，由于与实施方式1同样除了去疵层形成工序st5的卡盘工作台7的旋转速度之外，还使研磨垫51按压在晶片w上的载荷阶段性地变小，所以能够降低从研磨工序st4转移到去疵层形成工序st5时的研磨单元5的负荷。

根据各实施方式，能够得到以下的器件芯片的制造方法。

(附记1)

一种器件芯片的制造方法，该方法使用研磨垫，该研磨垫包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒，其中，该方法包含如下的工序：

研磨工序，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的该研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及

去疵层形成工序，维持该研磨工序中的使以该规定的速度旋转的该研磨垫与旋转的该卡盘工作台上所保持的该晶片抵接的状态，在该研磨工序之后连续地使该卡盘工作台以比该第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。

另外，本发明并不限定于上述实施方式。即，能够在不脱离的本发明的主旨的范围内实施各种变形。